Продукція > CY1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CY14B104N-BA25XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-BA25XIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-BA45XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-BA45XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-BA45XCT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-BA45XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tube Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104N-BA45XIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS20XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS20XCT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 20NS 44TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XCT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS25XIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XC | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XC | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XCT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 45NS 44TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XI | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104N-ZS45XIT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT 45NS 44TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 598 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 598 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 20 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA20XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25I | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25I | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25I | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25IT | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XI | INFINEON | Description: INFINEON - CY14B104NA-BA25XI - Nichtflüchtiger SRAM, 4MB, 256K x 16 Bit, 25ns Lese-/Schreibzyklus, parallel, 2.7V bis 3.6V, FBGA-48 tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Mbit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Speicherorganisation: 256K x 16 Bit SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 25ns Zugriffszeit für Lesen: 25ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 299 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA25XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XE | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 48-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 598 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XE | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 45 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 598 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XE | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 598 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XET | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 48-Pin FBGA T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XET | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XET | Cypress Semiconductor | NVRAM Non Volatile SRAMs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XET | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 48-Pin FBGA T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 598 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA Tray | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XI | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES | Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-BA45XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256K x 16 Bit, 45ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, FBGA-48 Bauform - Speicherbaustein: FBGA MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Speicherorganisation: 256K x 16 Bit Speichergröße: 4 Anzahl der Pins: 48 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Zugriffszeit für Schreiben: 45 Zugriffszeit für Lesen: 45 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 48-Pin FBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 48-FBGA (6x10) Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-BA45XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XI | Cypress Semiconductor | Статична енергонезалежна пам'ять NVSRAM, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 256К х 16, Тдост/Частота = 20 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-44 Од. вим: шт кількість в упаковці: 135 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 20 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS20XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25X1 | Rochester Electronics, LLC | Description: NON-VOLATILE SRAM, 256KX16, 25NS | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XE | Infineon Technologies | NVRAM Non Volatile SRAMs | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XE | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XE | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XET | Cypress Semiconductor | NVRAM Non Volatile SRAMs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XET | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XET | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 675 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES | Description: CYPRESS - INFINEON TECHNOLOGIES - CY14B104NA-ZS25XI - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 4MB, 256Kx16Bit, 25ns Lesen/Schreiben, parallel, 2.7-3.6V, TSOP-II-44 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2.7 Speicherorganisation: 256K x 16 Bit Speichergröße: 4 Anzahl der Pins: 44 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 3.6 Zugriffszeit für Schreiben: 25 Zugriffszeit für Lesen: 25 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | Cypress Semiconductor | NVSRAM 4MBIT 25NS 44TSOP Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS25XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 25 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XE | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XE | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.63V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XE | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.63V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XE | Infineon Technologies | NVRAM Non Volatile SRAMs | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XET | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 45 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.63V Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XET | Infineon Technologies | NVRAM Non Volatile SRAMs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XET | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM 4Mbit 3V/3.3V Automotive 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 45 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM | на замовлення 606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 675 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XI | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XIKA | Cypress Semiconductor Corp | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Bulk Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XIT | Infineon Technologies | NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 3V 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XIT | Infineon Technologies | Description: IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 45ns Memory Interface: Parallel Access Time: 45 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZS45XIT | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CY14B104NA-ZSP25XI Код товару: 103163
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542399000 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CY14B104NA-ZSP25XI | Infineon Technologies | NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 216 шт В кошику од. на суму грн. |

