Продукція > FF1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF150R12KE3B8BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 150 A dual IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3G | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 150A DUAL | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3GB2 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 225A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 780W euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: C Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12KE3GHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 225A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 780W euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon | FF150R12KE3GHOSA1 FF150R12KE3 IGBT MODULE, DUAL NPN, 1200V, 225A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3G_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KE3_B8 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 150A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KF2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4 Код товару: 30320
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FF150R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 150A DUAL | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4, | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FF150R12KS4-B2 Код товару: 398
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FF150R12KS4B2HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4B2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: FF150R12 - IGBT MODULE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4B2HOSA1 | Infineon Technologies | FF150R12KS4B2HOSA1 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 1250W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 225A; 62MM; 1.25kW Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 225A Case: 62MM Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 1.25kW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2 Dauer-Kollektorstrom: 225 usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2 Verlustleistung Pd: 1.25 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 225 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KT3G | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KT3G | EUPEC | MODULE | на замовлення 462 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12KT3GHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 225 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 780 Verlustleistung: 780 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Zweifach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 225 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; Ic: 225A; 62MM; 780W; Field Stop,Trench Case: 62MM Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 225A Type of semiconductor module: IGBT Power dissipation: 780W Technology: Field Stop; Trench | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12ME3G | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 200A 695W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 695 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12ME3G | Infineon | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT N-CH 1.2KV 200A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12ME3G | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 695W MOD Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 695 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Part Status: Not For New Designs IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 695W MOD Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 695 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Part Status: Not For New Designs IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12MS4G | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12MS4G | EUPEC | MODULE | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12MS4GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12MS4GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 1250W MOD Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1250 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Part Status: Active Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12MS4GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 150A | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12RT4 Код товару: 116327
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 790W euEccn: NLR Verlustleistung: 790W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 150A 790W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 790 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EasyDUAL 1200V IGBT7 module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12W1T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | FF150R12W1T7EB11BPSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 31-Pin Tray | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 31-Pin Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 31-Pin Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12W2T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 135 A, 1.55 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 135A Produktpalette: EasyDUAL Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 31-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 31-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12YT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12YT3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625W 9-Pin EASY2-1 Tray | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12YT3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 625W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 625 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17KE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 150A 1700V | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17KE4 | Infineon | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 250A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 1700V AG-62MM-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17ME3G | EUPEC | MODULE | на замовлення 204 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17ME3G | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 240A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 240A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Power - Max: 1050 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 240 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 240A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 240A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 240A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1600003 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1600003 | Diodes Incorporated | Description: CRYSTAL SURFACE MOUNT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |