Продукція > FF1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 31-Pin Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 31-Pin Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R12YT3 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12YT3BOMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 625W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 625 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12YT3BOMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625W 9-Pin EASY2-1 Tray | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17KE4 | Infineon | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1700V, 250A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17KE4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 150A 1700V | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17KE4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: MODULE IGBT 1700V AG-62MM-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17ME3G | EUPEC | MODULE | на замовлення 204 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17ME3G | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.7KV 240A | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 240A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 240 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1050 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 240A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 240A 1050W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Power - Max: 1050 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector (Ic) (Max): 240 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 240A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF150R17ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 240A 1050W 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1600003 | Diodes Incorporated | Crystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1600003 | Diodes Zetex | Crystal 16MHz FUND 4-Pin Mini-CSMD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1600003 | Diodes Incorporated | Description: CRYSTAL SURFACE MOUNT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1600R12IP7BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 12-Pin Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1600R12IP7BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 12-Pin Tray | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1600R12IP7BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1.6KA MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.79V @ 15V, 1.6kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 217000 pF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1600R12IP7BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 12-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1600R12IP7BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 12-Pin Tray | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1600R12IP7BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 1600 A dual IGBT module | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1600R12IP7BOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1600R12IP7BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.6 kA, 1.27 V, 20 mW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.27V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.6kA Produktpalette: PrimePACK 2 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1600R12IP7BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.6KA 12-Pin Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1601.1AE/3.1 | GEMESIS | 04+ BGA | на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF16SG1B-XP | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors TERMINAL FINCLICK FEMALE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1700XTR17IE5DBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1700XTR17IE5DBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.7 kA, 1.95 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Schraub rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 1.7kA Produktpalette: PrimePACK 3+ B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1700XTR17IE5DBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1.7KA 2.1MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.33V @ 15V, 1.7kA NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 2100000 W Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1700XTR17IE5DBPSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1700 V, 1700 A dual IGBT module | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF172 | EBM Papst | Thrml Mgmt Access Fan Filter Guard 172mm | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF172 | ebm-papst Inc. | Description: FAN FILTER ASSEMBLY 172MM Packaging: Box Material: Polycarbonate (PC) Fan Accessory Type: Filter Guard Assembly Fits Fan Size: 172mm Sq Part Status: Active | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF172 | ebm-papst | Fan Accessories Fan Filter Finger Guard Grille, Round 172mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF172 | EBM Papst | Thrml Mgmt Access Fan Filter Guard 172mm | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF172 | EBM Papst | Thrml Mgmt Access Fan Filter Guard 172mm | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1729 | Leader Tech Inc. | Description: FERRITE CORE CLAMP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 140 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF17900J-7 | fastSiC | Description: SICFET N-CH 1700V 4.5A TO-263-7L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 18V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK-7L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 1.2 kV | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin Tray | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB17BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Produktpalette: EasyDUAL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB17BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules EASY STANDARD | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB17BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 20mW Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 50A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 20mA Supplier Device Package: AG-EASY1B | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 1200V AG-EASY1B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Supplier Device Package: AG-EASY1B Part Status: Active | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF18-10A-R11AD-B-3H | Fujikura Ltd. | FF18-10A-R11AD-B-3H | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF18-4A-R11AD-B-3H | Fujikura Ltd. | FF18-4A-R11AD-B-3H | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF18-4A-R11AD-B-3H | Fujikura Ltd. | FF18-4A-R11AD-B-3H | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF18-7A-R11AD-B-3H | Fujikura Ltd. | FF18-7A-R11AD-B-3H | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF18-8A-R11AD-B-3H | Fujikura Ltd. | FF18-8A-R11AD-B-3H | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 67 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF18-9A-R11AD-B-3H | Fujikura Ltd. | FF18-9A-R11AD-B-3H | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 1800A 20MW Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1800A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98.5 nF @ 25 V | на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1800R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: PrimePACK 3+ IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 1800 A dual IGBT module | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 1800A 20MW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1800A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | Infineon Technologies | High Reliability IGBT Modules IC | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.8KA 14-Pin Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules PP IHM I | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.8KA 14-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 1800A 20MW Input Capacitance (Cies) @ Vce: 98.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 20 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1800A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R12IE5PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: PrimePACK 3+B IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 14-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 14-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1800A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1800A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 105 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 14-Pin Tray | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1800R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 2.2 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 1.8kA Produktpalette: PrimePACK 3+B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.8kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 14-Pin Tray | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 14-Pin Tray | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1800R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 1.75 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: PrimePACK 3+B IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 14-Pin Tray | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.8KA 14-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF1800R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 3600A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1800A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1800000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 105 nF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5PS4BPSA1 | Infineon Technologies | FF1800R17IP5PS4BPSA1 | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5S4BPSA1 | Infineon Technologies | FF1800R17IP5S4BPSA1 | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5S4BPSA1 | Infineon Technologies | FF1800R17IP5S4BPSA1 | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5S4BPSA1 | Infineon Technologies | FF1800R17IP5S4BPSA1 | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R17IP5S4BPSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF1800R17IP5S4BPSA1 - FF1800R17IP5 IGBT MOD 1.2KV 300A MODULE tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R23IE7BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 2300V 1.8KA 14-Pin Tray | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF1800R23IE7BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1800R23IE7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.8 V, 20 mW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V Dauer-Kollektorstrom: 1.8kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: PrimePACK 3+B Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.3kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

