Продукція > FF6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER EASY Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 150A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Supplier Device Package: Module | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 36-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Modules 1200 V CoolSiC Mosfet Half-Bridge Module | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 36-Pin Tray | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1HPB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 36-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A Part Status: Obsolete Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF6MR12W2M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Silicon Carbide Power Mosfet | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR12W2M1_B11 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 160 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR20W2M1HB70BPSA1 | Infineon Technologies | Description: FF6MR20W2M1HB70BPSA1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1200V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 160A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780nC @ 3V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| FF6MR20W2M1HQB70BPSA1 | Infineon Technologies | Discrete Semiconductor Modules EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |