Продукція > FF6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30900.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+29931.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24048.29 грн
10+23403.91 грн
25+22255.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33323.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28371.86 грн
5+26328.13 грн
10+25246.15 грн
30+23880.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24048.29 грн
10+23403.91 грн
25+22255.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B70BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 200A 35-Pin AG-EASY2B Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B70BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1B70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: AG-EASY2B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 150A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9387.75 грн
15+7979.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+13820.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5227.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 145A 36-Pin Tray
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5227.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 150A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 446nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 60mA
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11595.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB70BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 150 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules 1200 V CoolSiC Mosfet Half-Bridge Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9920.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+30513.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules LOW POWER EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 200A
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26303.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+28245.89 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10099.59 грн
3+9777.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26303.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+25407.38 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSilicon Carbide Power Mosfet
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37268.12 грн
5+33060.43 грн
10+30776.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1_B11Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HB70BPSA1Infineon Technologies CoolSiC MOSFET half-bridge module 2000 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24100pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 160A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 780nC @ 3V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 112mA
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15361.98 грн
15+13087.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HB70BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 160 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HQB70BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF6MR20W2M1HQB70BPSA1 - H COOLSIC TRENCH MOSFET
tariffCode: 85044095
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HQB70BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.