Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SC3649T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.95 грн
2000+21.05 грн
3000+20.03 грн
5000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 0.5W; SOT89
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Collector current: 1.5A
Current gain: 200...400
Collector-emitter voltage: 160V
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.78 грн
500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.15 грн
10+50.89 грн
100+29.06 грн
500+22.51 грн
1000+18.64 грн
2000+16.78 грн
5000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.11 грн
100+32.87 грн
500+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3649T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SC3649
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 1.5A 160V
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 160V 1.5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3649T-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 1.5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3650KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3650(CF)
на замовлення 30767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3650-TDSANYOSOT89-CF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3650-TD SOT89-CFSANYO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3650-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3650-TD-E - 2SC3650-TD-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1457+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 1457 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3650-TD-ESanyoDescription: TRANS NPN 25V 0.5A SOT-89/PCP-1
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Frequency - Transition: 250MHz
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
993+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 993 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3650-TD-E-ONonsemiDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3650-TDDOT89-CFSANYO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3650\CFSANYOSOT-89
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651KEXIN09+
на замовлення 200018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-OTE-TD-EON SemiconductorHIGH-GAIN/LF AMPLIFIER
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1955+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 1955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-OTE-TD-EON SemiconductorHIGH-GAIN/LF AMPLIFIER
на замовлення 74000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1955+18.13 грн
10000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 1955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-OTE-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3651-OTE-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2290+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 2290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-OTE-TD-EON SemiconductorHIGH-GAIN/LF AMPLIFIER
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1955+18.13 грн
10000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 1955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-OTE-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 0.2A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1297+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 1297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-TDKEC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-TD-EonsemiDescription: 2SC3651 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3651-TD-E - 2SC3651-TD-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1886+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 1886 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-TD-EON Semiconductor2SC3651-TD-E
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-TD-EFairchild SemiconductorDescription: 2SC3651 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3651-TD-EON Semiconductor2SC3651-TD-E
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3652
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3653
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3654
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3655
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3656
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3657
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3658TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3658 FHAT2L RROHMSOT23/SOT323
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3658 T2L RROHMSOT23/SOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3659TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC366
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3660NECTO-55
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661SANYO03/04+ SOT23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-TBSANYO
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-TB-ESanyo ElectricTrans GP BJT NPN 25V 0.3A 200mW 3-Pin Case CP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+22.01 грн
10000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-TB-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.3A 200mW 3-Pin Case CP
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+22.01 грн
10000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-TB-ESanyo ElectricTrans GP BJT NPN 25V 0.3A 200mW 3-Pin Case CP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-TB-ESanyo ElectricTrans GP BJT NPN 25V 0.3A 200mW 3-Pin Case CP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-TB-ESanyoDescription: TRANS NPN 25V 0.2A 3-CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3661-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), 25 V, 200 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 800hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: -
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1886+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 1886 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-TB-ESANYOSOT23
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-U-TB-EonsemiDescription: BIP NPN 0.3A 25V
Packaging: Bulk
на замовлення 24435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-U-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC3661-U-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-U-TB-EON Semiconductor2SC3661-U-TB-E
на замовлення 24435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.50 грн
10000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3661-XMITSOT23
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3662
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3663NECSOT-23
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3664
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3665-Y(T2NSW,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 800MA 120V SC71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3665-Y,T2F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 800MA 120V SC71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3665-Y,T2NSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 800MA 120V SC71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3665-Y,T2YNSF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 800MA 120V SC71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3666
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3667
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3668
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3668-O,T2CLAF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3668-Y,F2PANF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3668-Y,T2F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3668-Y,T2F(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3668-Y,T2WNLF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3669-OToshibaBipolar Transistors - BJT MSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3669-YToshibaBipolar Transistors - BJT MSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3669-Y(2OMPP,AFToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3669-Y(T2OMI,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 80V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3669-Y(T2OMI,FMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3669-Y,T2F(JToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3669-Y,T2F(MToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3669-Y,T2PASF(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3669-Y,T2PASF(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 80V 2A MSTM
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: MSTM
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-71
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC366GGTM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC367
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3670
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3671
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3672-O(T2ASH,FMToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 100MA 300V SC71
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3673TOSTO-92 05+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3674
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3675
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3675-RD7onsemiDescription: BIP NPN 0.1A 900V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3676
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3677
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3678
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3679SANYO09+
на замовлення 6638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3679
Код товару: 73523
Додати до обраних Обраний товар
SavanticТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 6 MHz
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 900 V
Ic,A: 5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+46.00 грн
10+41.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC367GGTM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC368NECCAN
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3681SANYO00+ TO-3PB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC3682SANYO00+ TO-3PB
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 78 91 104 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]