Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT2369LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV Current - Collector Cutoff (Max): 400nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 105329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 20...120 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2369LT1G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 187140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT1G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT1G Код товару: 25173
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT2369LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 200mA 15V Switching NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV Current - Collector Cutoff (Max): 400nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 350mV Current - Collector Cutoff (Max): 400nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2369LT3G - TRANS, NPN, 15V, 0.2A, 150DEG C, 0.225W tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 15V | на замовлення 7981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2369LT41G | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2369R | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 15018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2369RLT1G | на замовлення 2262 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2369_NL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2369_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484 | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | на замовлення 30005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484 | Fairchild Semiconductor | Description: 0.1A, 60V, NPN | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9616 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484/1U | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2484L | onsemi | SS SOT23 LN XSTR NPN 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484L | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1 | onsemi | Description: TRANS SS GP NPN 60V SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 106530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2484LT1 - TRANSISTOR, NPN SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 106034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Current gain: 250...800 Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN | на замовлення 3021 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2484LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 20040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 3730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN | на замовлення 79693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON-Semiconductor | NPN 100mA 60V 225mW -MHz MMBT2484LT1G TMMBT2484lt1 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 60V | на замовлення 22421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW | на замовлення 31084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2484LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT269(1J) | на замовлення 67955 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT28S-B | на замовлення 5637 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2904-7 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | ONS/FAI | MMBT2907 Series 40 V CE Breakdown .8 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS PNP 60V 600MA SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | Yangjie Electronic Technology | MMBT2907 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 40V 250MW 100@150MA,10V 600MA PN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 670mV @ 50mA, 500mA | на замовлення 1032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907-2F | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907-7 | на замовлення 105000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 487145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Purp Amp | на замовлення 9744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 171373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 284118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907-D87Z | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907-D87Z - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 284119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907-GS08 | VISHAY | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907-ML | MOSLEADER | Description: 0.2W 10V 0.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG; MMBT2907A JSMICRO TMMBT2907a JSM кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 12888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 60V, 600mA, PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A Код товару: 83731
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Гранична частота fT, МГц: 200 МГц Напруга Uке, В: 60 В Напруга Uкб, В: 60 В Струм Iк, А: 0,6 А | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec | PNP, Uкэ=60V, Iк=0.8A, 200МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 29387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | LGE | PNP -600mA -60V 225mW 200MHz MMBT2907A-YAN; MMBT2907A China TMMBT2907a c кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Single Bipolar Transistors PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 12888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 | на замовлення 56498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Good-Ark | High DC Current Gain PNP Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | на замовлення 18337 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | ONS/FAI | PNP, Uкэ=60V, Iк=0.8A, 200МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 541 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A Код товару: 160581
Додати до обраних
Обраний товар
| Yangjie | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Гранична частота fT, МГц: 200 МГц Напруга Uке, В: 60 В Напруга Uкб, В: 60 В Струм Iк, А: 0,6 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 300 | у наявності: 4 шт
|
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | LITE ON | PNP, Uкэ=60V, Iк=0.8A, 200МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 800 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 800mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907A | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

