Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBT2907ALT1 2F | N/A | 07+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1(2F) | fsc | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT12F | на замовлення 354000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT12F100-300 | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP | на замовлення 76820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON-Semiconductor | Transistor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT290 MMBT2907ALT1G TMMBT2907alt1 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 21433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Uceo, В = -60, Ic = -600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,35 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 1740 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G Код товару: 25960
2
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 200 MHz Uке, В: 60 V Uкб, В: 60 V Iк, А: 0,6 A h21,max: 300 | у наявності: 5771 шт
|
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3897000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3897000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 21433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | On Semiconductor | SOT23 Транзистори | на замовлення 2810 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | на замовлення 8220 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1G/2 | на замовлення 9990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 60V 0.6A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A | на замовлення 8372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1S | MOTOROLA | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1SOT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1SOT23-2F | ON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1XT | Infineon Technologies | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT1XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A | на замовлення 66363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 62306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP | на замовлення 39397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 62306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907ALTI | ON | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR | на замовлення 24000 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 265 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.64W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 265 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | ON Semiconductor | на замовлення 7720 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMBT2907AM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AQ | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry | на замовлення 1586 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AQ | Yangjie Electronic Technology | PNP General Purpose Amplifier | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 310 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AQ-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K | на замовлення 8165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AST1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907AT | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 60V 150MW 75@0.1MA,10V 600MA PNP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 2728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 60V 150MW 75@0.1MA,10V 600MA PNP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT -60V 150mW | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 150mW; SOT523 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Quantity in set/package: 3000pcs. | на замовлення 108 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-7-F | DIODES/ZETEX | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-523 MMBT2907AT-7-F TMMBT2907at кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 5657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 150W, 60V, 600mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AT/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907AW | onsemi | ON Semiconductor SS SC70 GP XSTR PNP 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AW | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMBT2907AW-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1 | ON | 07+; | на замовлення 113790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1 | onsemi | Description: TRANS SS GP PNP 60V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 977734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 904952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP | на замовлення 10144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBT2907AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 8667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | ON-Semiconductor | PNP 60V 0.6A 150mW 200MHz MMBT2907AWT1G ON Semiconductor TMMBT2907aw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 880 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AWT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | на замовлення 1804 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMBT2907AW_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBT2907AW_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-60V IC-600mA SOT-323 | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

