Продукція > 2SA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA1160-B(TE6,C,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1160-B(TE6,F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP 10V 2A Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1160-B(TE6FM)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162
Код товару: 27587
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT, МГц: 80 МГц
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 50 В
Струм Iк, А: 0,15 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+5.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GATOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GRTOSHIBAS-MINI
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GRToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(T5L,F,T)TOSHIBA0750+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(T5L,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON,DISCON(06-01)/PHASE-OUT(06-04)/OBSOLETE(06-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(T5LIBM)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),INACTIVE,DISCON(05-10)/PHASE-OUT(07-01)/OBSOLETE(07-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(T5R,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),DISCON-->2009-10-09
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(TE85L,FToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(TE85L,FTOSHIBACategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 0.15W; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 70...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(TE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT753 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(TE85R)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(TE85R,FToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR(TLSPFTToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
6000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.60 грн
46+6.55 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+8.12 грн
124+5.89 грн
162+4.17 грн
250+3.23 грн
500+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXGF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+11.70 грн
100+7.60 грн
122+6.22 грн
143+5.08 грн
500+4.15 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXGF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXGF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.97 грн
22+14.00 грн
100+8.80 грн
500+6.12 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 11116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.02 грн
6000+4.36 грн
9000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GRLXGF(BToshibaBipolar Transistors - BJT SOT23 N CHAN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-GRTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 14188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.60 грн
46+6.55 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.97 грн
22+14.00 грн
100+8.80 грн
500+6.12 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 5764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-O,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-O-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT23
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-YShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 150MW 150MA PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
6000+0.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-YToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-YTOSHIBA10+ROHS SOT-23
на замовлення 150929 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-YShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 50V 150MW 150MA PNP SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.96 грн
86+3.50 грн
138+2.17 грн
500+1.46 грн
1000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT SOT346S-MINI 50V PNP BIPOLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(T5LCANOF)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 5146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(T5LND)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(T5LND,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(T5RTORKF)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(TE85L)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-07)/OBSOLETE(10-10),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(TE85L,F)TOSHIBA1221+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(TE85LF)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(TE85LЈ©TOSHIBATOSHIBA
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(TE85R)ToshibaBipolar Transistors - BJT S-MINI PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y(TLSPF,T)ToshibaBipolar Transistors - BJT SM SIG POWER TRANS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V
на замовлення 23689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.60 грн
46+6.55 грн
100+4.02 грн
500+2.74 грн
1000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
6000+1.87 грн
9000+1.75 грн
15000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(BToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 29324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 29324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXGF(TToshibaTransistor Silicon PNP Epitaxial Audio Frequency General Purpose Amplifier Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.97 грн
22+14.00 грн
100+8.80 грн
500+6.12 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.02 грн
6000+4.36 грн
9000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1162-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-Y-TPMicro Commercial CoDescription: TRANSISTOR PNP SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-YLXGF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-YTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT X34 Pb-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=80MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162-YTE85LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GRTOSHIBA07+ SOT-23
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GR(T5LFJTNFToshibaBipolar Transistors - BJT Pb-F S-MINI PLN(LF),ACTIVE,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GRT5LTToshibaBipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GRTE85LFToshibaBipolar Transistors - BJT X34 Pb-F S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=150mW F=80MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 137880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 137880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.66 грн
100000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1162GT1onsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Наступна Сторінка >> ]