Продукція > AS4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS4C16M16MSA-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8) Memory Interface: Parallel Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16MSB-6BIN | Alliance Memory | DRAM LPSDRAM, 256M, 16M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 16 X 16MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, B Die | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 319 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16MSB-6BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT LVCMOS 54FBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: LVCMOS Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 16M x 16 | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16MSB-6BINTR | Alliance Memory | DRAM LPSDRAM, 256M, 16M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 16 X 16MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16MSB-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT LVCMOS 54FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPSDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: LVCMOS Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 16M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6BIN | Alliance Memory | DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54FBGA | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TAN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1080 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TAN | Alliance Memory | DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TANTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TCN | Alliance Memory | DRAM 256M SDRAM 16M X 16 166MHz | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 256MB 16MX16 54-TSOP | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TIN | Alliance Memory | DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TIN | Alliance Semiconductor | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TIN | Alliance Memory | Синхронна динамічна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = 16M x 16, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-54 Од. вим: шт кількість в упаковці: 108 шт | на замовлення 26 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TINTR | Alliance Memory | DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-6TINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-7BCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-7BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-7TCN | Alliance Memory | DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 16M x 16 SDRAM | на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-7TCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1080 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16S-7TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BAN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 6420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BAN | Alliance Memory | Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 256 Мбіт, Орг. пам. = DRAM, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °С = -40...+105, t = 5 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-54 Од. вим: шт кількість в упаковці: 348 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BAN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54 Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...105°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: FBGA54 Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5.4ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BAN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp - Tray | на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BAN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit | на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BANTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BANTR | Alliance Memory | DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BIN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BIN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3÷3.6V; 166MHz; 6ns; TFBGA54 Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: TFBGA54 Operating voltage: 3...3.6V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 6ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BIN | Alliance Memory, Inc. | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA Tray | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6BIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TFBGA, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BINTR | Alliance Memory | DRAM 256Mb, 3.3V, 166Mhz 16M x 16 SDRAM | на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6BINTR | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; FBGA54 Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: FBGA54 Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5.4ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TAN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TAN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 256Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TAN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TAN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp - Tray | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TAN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Clock frequency: 166MHz Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of package: in-tray Operating voltage: 3.3V Access time: 5.4ns | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TAN Код товару: 112420
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TANTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Grade: Automotive Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TANTR | Alliance Memory | DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TCN | Alliance Memory, Inc. | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TCN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; 0÷70°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Clock frequency: 166MHz Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray Operating voltage: 3.3V Access time: 5.4ns | на замовлення 155 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TCN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, Commercial Temp - Tray | на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TCN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TCNTR | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; 0÷70°C Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP54 II Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5.4ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TCNTR | Alliance Memory | DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, Commercial Temp Tape and Reel, A Die | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TIN Код товару: 150901
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-6TIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TIN | ALLIANCE | 16-bit Memory IC; 256Mb (16M x 16); Parallel; 5ns; 166MHz; 3,0V~3,6V; -40°C~85°C; Substitute: AS4C16M16SA-6TIN TR; AS4C16M16SA-6TINTR; AS4C16M16SA-6TIN PDAS4C16M16SA-6TIN кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 13 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TIN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5.4ns; in-tray Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP54 II Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5.4ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 11517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TIN | Alliance Semiconductor | DRAM 256M PARALLEL TSOP-54 Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TIN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray | на замовлення 4103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TIN | Alliance Memory, Inc. | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TIN | ALLIANCE | 16-bit Memory IC; 256Mb (16M x 16); Parallel; 5ns; 166MHz; 3,0V~3,6V; -40°C~85°C; Substitute: AS4C16M16SA-6TIN TR; AS4C16M16SA-6TINTR; AS4C16M16SA-6TIN PDAS4C16M16SA-6TIN кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-6TINTR | Alliance Memory | DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, A Die | на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7BCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7BCN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7BCN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7BCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TFBGA, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7BCNTR | Alliance Memory | DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Commercial Temp(.63) Tape and Reel, A Die | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCN | ALLIANCE | Synchronous DRAM, 256Mbit (16M x 16bit x 4 banks), 143MHz, 3.3V, 0?70°C AS4C16M16SA-7TCN Alliance PSD0256/16/143 ALL кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCN | Alliance Memory, Inc. | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II Tray | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SA-7TCN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray | на замовлення 11277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 143MHz Memory: 256Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP54 II Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5.4ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCNTR | Alliance Memory | DRAM SDR, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, A Die | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SA-7TCNTR | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Clock frequency: 143MHz Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Manufacturer standard package: 1000pcs. Kind of interface: parallel Kind of package: reel Operating voltage: 3.3V Access time: 5.4ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6BIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SB-6BIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, FBGA, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 256Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: LVTTL Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6BIN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: LVTTL Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6BINTR | Alliance Memory | DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp(.63) Tape and Reel, B Die | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6TIN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP54 II Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6TIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: LVTTL Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6TIN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6TIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 256Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 16 Bit | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6TIN | ALLIANCE | 16-bit Memory IC; 16MB-SDRAM; 3V~3,6V; 166MHz; -40°C ~ 85°C; AS4C16M16SB-6TIN PSAS4C16M16SB-6TIN кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6TINTR | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 166MHz; 5ns; TSOP54 II Kind of package: reel Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 166MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP54 II Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6TINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: LVTTL Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-6TINTR | Alliance Memory | DRAM 256Mb, SDR, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, B Die | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-7TCN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 16Mx16bit; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C Kind of package: in-tray Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 143MHz Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 16Mx16bit Case: TSOP54 II Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SDRAM Mounting: SMD Access time: 5.4ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-7TCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: LVTTL Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-7TCN | Alliance Memory | DRAM SDRAM, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp - Tray | на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-7TCNTR | Alliance Memory | DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, B Die | на замовлення 834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M16SB-7TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: LVTTL Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M32MD1-5BCN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C16M32MD1-5BCN - DRAM, LPDDR1, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, FBGA, 90 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: LPDDR1 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 90Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| AS4C16M32MD1-5BCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TJ) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 16M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

