Продукція > DTA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA114EUBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GKAT146 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 50V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1924 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R2 ALONE TYPE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: PNP, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-323, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 583 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GU3T106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GU3T106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GUA | ROHM | 04+ SOT-323 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 4180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1624 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114G Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DGTL PNP 50V 100MA | на замовлення 8948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2174 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114GUAT106 | ROHM | Description: ROHM - DTA114GUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114G Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114T | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114T - DTA114T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114T | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA Packaging: Bulk | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TCA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased Sgle PNP, -100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 5851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TCAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TCAT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114TCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE | ROHM | 10+ SOT-523 | на замовлення 210200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE TL | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 4824 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP 10KOhms 250MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 542 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 282 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 100MA 50V SOT-416FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2381 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITAL TRANSISTORS 100MA 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114TET1 - TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TET1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7212 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TET1G | ON Semiconductor | на замовлення 4750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DTA114TET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114TET1G - DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 10432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 276000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TET1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 32524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA | на замовлення 2844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TK | ROHM | SOT-23 | на замовлення 11300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TKA | ROHM | SOT-23 | на замовлення 107325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TKA T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 2667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TKA-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT PNP 50V 100MA | на замовлення 5530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1786 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTA114TM | ROHM | SOT723 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTA114TM FS6T2L | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

