Продукція > FQD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQD5P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 18903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+57.96 грн
100+38.34 грн
500+28.09 грн
1000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.25 грн
5000+36.10 грн
25000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.11 грн
5000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TMonsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 23231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.67 грн
10+62.24 грн
100+35.83 грн
500+27.96 грн
1000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.34A; 45W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.34A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.64 грн
14+30.75 грн
100+28.59 грн
500+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TMONS/FAIMOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK=TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.11 грн
5000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.58 грн
5000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM (D-PAK)
Код товару: 92602
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD5P20TM_F080onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD60N03FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD60N03LFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD60N03LTMFAIRCHILTO-252
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD60N03LTMFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD630FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD630TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 207503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 888 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD630TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N15FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N15TFonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N15TMonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25onsemi / FairchildMOSFET QFC 250V 1.0OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25TMonsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTFON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.59 грн
10+70.63 грн
25+61.49 грн
100+48.20 грн
250+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTMON-SemiconductorN-MOSFET 4.5A 400V 48W 1Ω FQD6N40CTM TFQD6n40ctm
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD6N40CTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 4.5 A, 0.83 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.15 грн
13+64.35 грн
100+51.22 грн
500+46.14 грн
1000+39.56 грн
5000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTMonsemiMOSFETs 400V N-Channel Advance QFET
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+84.15 грн
100+50.33 грн
500+41.35 грн
1000+37.76 грн
2500+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+84.88 грн
100+57.23 грн
500+42.60 грн
1000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM-NBEA002ON Semiconductor / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40CTM_NBEA002Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+42.59 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.95 грн
25+30.31 грн
26+28.32 грн
100+25.80 грн
250+24.37 грн
500+23.97 грн
1000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTMOn SemiconductorMOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTMON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N50CTM_F080ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60Consemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTFonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTFFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTFFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTMFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTMonsemi / FairchildMOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6P25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6P25TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 53364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
503+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD6P25TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD70N03FAIRCHILD03+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD70N03LFAIRCHILD04+
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10LFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 100V 350MOHM L DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10LTFFairchild
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10LTMUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10LTMonsemi / FairchildMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 26481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.57 грн
10+48.59 грн
100+32.79 грн
250+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10LTMUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N10TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 172261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LFAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20Lonsemi / FairchildMOSFETs QF 200V 750MOHM L DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
14+57.59 грн
100+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 69083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.30 грн
100+33.85 грн
500+24.72 грн
1000+22.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
885+40.06 грн
1000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 885 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTMonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.26 грн
10+45.81 грн
100+27.68 грн
500+24.23 грн
1000+22.02 грн
2500+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.13 грн
5000+19.70 грн
7500+18.87 грн
12500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 45W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20LTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20TFON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20TFFairchild
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20TMFairchild
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N20TM_F080ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N30FAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N30TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N30TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.49 грн
25+35.74 грн
100+33.32 грн
250+30.59 грн
500+28.54 грн
1000+28.04 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7N30TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]