Продукція > IMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMBA-Q670-R30IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67,DDR3,VGA/DVI/HDMI,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,HD Audio,RoHS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q770-R10IEISingle Board Computers F260 3.75G module kit for embedded system, with BT V2.1, 2 x RF cable, 1 x Antenna, RoHs, For IEI ATO only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q870-ECO-R10IEISingle Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel Q87, DDR3, Triple Independent Display VGA/DVI-D/HDMI/iDP, USB 3.0, SATA 6Gb/s, ECO packing and RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-Q870-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,Three Independent Displays VGA/DVI-D/HDMI/iDP,Dual Intel GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s, Audio, iRIS-2400 and RoHS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+29960.80 грн
5+29178.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-R680-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-R680-R11IEIIndustrial Motherboards ATX motherboard supports LGA1700 12th/13th/14th Generation Intel Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR5, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, and RoHS
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+35721.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBA-R680E-R11IEI ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th/14th Generation
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBC327-25
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148 E9GSSOT23-A2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148 E9 SOT23-A2GS
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.16 грн
109+3.82 грн
166+2.51 грн
250+2.09 грн
500+1.80 грн
1000+1.57 грн
1500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 62564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
60+5.01 грн
100+4.17 грн
500+2.50 грн
1000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V Io/150mA
на замовлення 155417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.32 грн
27+11.99 грн
100+5.94 грн
500+4.07 грн
1000+3.24 грн
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+1.96 грн
9000+1.84 грн
15000+1.13 грн
30000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.87 грн
61+12.40 грн
62+12.28 грн
137+5.33 грн
264+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.50 грн
25+13.10 грн
100+7.11 грн
500+5.25 грн
1000+4.14 грн
2500+4.07 грн
5000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.87 грн
50+5.98 грн
100+4.19 грн
500+2.86 грн
1000+2.41 грн
2000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+11.36 грн
83+9.20 грн
84+9.02 грн
140+5.22 грн
250+4.79 грн
500+4.08 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-EP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
17+19.29 грн
100+10.63 грн
500+6.70 грн
1000+5.87 грн
3000+5.11 грн
6000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-G3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE STANDARD 75V 150MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-GS08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
29+10.32 грн
100+5.59 грн
500+4.11 грн
1000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 11849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
35+9.13 грн
100+5.04 грн
500+3.18 грн
1000+2.76 грн
2500+2.42 грн
5000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+2.72 грн
417+1.81 грн
422+1.80 грн
450+1.62 грн
482+1.40 грн
517+1.26 грн
1000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+2.38 грн
9000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
115+3.94 грн
130+3.27 грн
500+2.89 грн
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
35+9.13 грн
100+5.04 грн
500+3.18 грн
1000+2.76 грн
2500+2.42 грн
5000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-A-08VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3-A-18VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-08VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.32 грн
6000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-08VishaySmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.15 грн
24+13.42 грн
100+7.32 грн
500+5.38 грн
1000+4.76 грн
3000+3.93 грн
6000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-08VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
32+9.50 грн
100+6.20 грн
500+4.27 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-HE3_A-18VishayDescription: DIODE STANDARD 75V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148-V-GS08VIS07+;
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148E9
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148NEDDIODES03+
на замовлення 15010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148NEO(A2)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4148NEO/A2ITT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448ITT
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 15078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
32+10.08 грн
100+5.52 грн
500+4.00 грн
1000+3.59 грн
2500+2.97 грн
5000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.78 грн
24+13.34 грн
100+6.56 грн
500+4.69 грн
1000+3.59 грн
2500+3.31 грн
5000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-G3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-G3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-G3-18Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-G3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3-08Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3-18Vishay SemiconductorsSmall Signal Switching Diodes 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-HE3_A-08VishaySmall Signal Switching Diodes SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
на замовлення 9777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.87 грн
23+13.97 грн
100+6.14 грн
500+4.69 грн
1000+3.80 грн
2500+3.18 грн
5000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBD4448-V-GS08VISHAYSOT-23
на замовлення 16400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+609.67 грн
28+515.69 грн
50+392.79 грн
200+355.52 грн
500+289.38 грн
1000+270.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+388.20 грн
10+256.92 грн
100+204.57 грн
500+169.02 грн
1000+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1InfineonSICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.92 грн
10+335.82 грн
25+283.73 грн
100+236.10 грн
250+229.19 грн
500+210.55 грн
1000+184.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.57 грн
500+169.02 грн
1000+132.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.29 грн
10+210.15 грн
100+149.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.57 грн
10+385.79 грн
100+312.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+184.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1038.60 грн
19+769.91 грн
50+718.11 грн
100+614.61 грн
200+531.44 грн
500+496.75 грн
1000+477.13 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.57 грн
10+334.23 грн
100+211.24 грн
500+200.20 грн
1000+187.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+385.79 грн
100+312.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.18 грн
10+310.89 грн
100+225.72 грн
500+200.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 88W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.526ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.07 грн
500+199.68 грн
1000+150.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.25 грн
10+229.37 грн
100+164.26 грн
500+149.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+424.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.75 грн
10+302.83 грн
100+219.07 грн
500+199.68 грн
1000+150.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+755.46 грн
26+550.62 грн
50+489.18 грн
100+442.67 грн
200+386.21 грн
500+345.98 грн
1000+324.28 грн
2000+323.25 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.64 грн
10+277.07 грн
100+174.66 грн
500+159.47 грн
1000+149.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R008M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 189 A, 1.2 kV, 0.0077 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 189A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2641.70 грн
5+2330.02 грн
10+2017.52 грн
50+1872.66 грн
100+1616.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 189A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2807.53 грн
10+1998.01 грн
100+1746.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 189A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2127.20 грн
10+2126.25 грн
25+2125.30 грн
100+2048.49 грн
250+1895.91 грн
500+1819.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]