Продукція > MJE

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiBipolar Transistors - BJT 5A 25V 15W PNP
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 143096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 904 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210NLIGHTNINGTO126 08+
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 5A 15000mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 58305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1810+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 1810 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 5A TO-126-3
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126-3
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STU
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 58888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1920+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 4256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210STU-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 5A SOT223
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE210TG - MJE210TG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE210TGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 5A TO-126
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 65MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 10150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 1158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2360T
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243onsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO225AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243
Код товару: 41963
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243On SemiconductorNPN, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 40МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE253) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243ONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243 - TRANS NPN 100V 4A TO225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.65 грн
100+33.32 грн
500+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 12643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+41.39 грн
373+38.02 грн
507+27.94 грн
1000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
564+25.10 грн
605+23.38 грн
656+20.79 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 564 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.17 грн
16+49.83 грн
100+44.41 грн
500+28.92 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GOn SemiconductorTRANS NPN 100V 4A TO-225 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.09 грн
251+56.53 грн
331+41.26 грн
500+30.01 грн
1000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON-SemiconductorNPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+66.83 грн
11+39.50 грн
50+31.20 грн
100+27.84 грн
200+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.79 грн
17+48.45 грн
100+34.06 грн
500+23.17 грн
1000+19.58 грн
5000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+49.84 грн
319+44.41 грн
500+29.99 грн
1000+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+43.07 грн
1000+37.05 грн
2500+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 12643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.84 грн
19+41.39 грн
100+38.02 грн
500+26.94 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.98 грн
344+41.13 грн
500+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.46 грн
14+54.53 грн
25+53.98 грн
100+39.69 грн
250+36.72 грн
500+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243MJE253
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253
Код товару: 41964
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253On SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 40МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE243) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253ONSEMI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
10+43.86 грн
50+33.04 грн
100+29.52 грн
250+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.97 грн
15+54.38 грн
100+35.77 грн
500+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 17196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+48.91 грн
100+32.21 грн
500+23.49 грн
1000+21.32 грн
2000+19.49 грн
5000+17.23 грн
10000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 40МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE243) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 6MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.50 грн
17+44.92 грн
100+34.61 грн
500+27.39 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GSTMTRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.94 грн
22+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+56.23 грн
100+37.04 грн
500+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+44.92 грн
409+34.61 грн
500+28.41 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 6MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
50+41.89 грн
100+37.22 грн
500+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGON Semiconductor2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271STMTRANS PNP DARL 100V 2A TO-225 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GON Semiconductor
на замовлення 7478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorPower Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955
Код товару: 24030
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, MHz: 2 MHz
Напруга Uке, V: 60 V
Напруга Uкб, V: 70 V
Струм Iк, A: 10 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 100
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+9.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220AB
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Frequency - Transition: 2MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955/3055ST08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955ET4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.51 грн
192+73.99 грн
212+66.78 грн
500+49.65 грн
1000+43.33 грн
2000+34.14 грн
5000+33.79 грн
10000+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTPNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955T
Код товару: 57977
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, MHz: 2 MHz
Напруга Uке, V: 60 V
Напруга Uкб, V: 70 V
Струм Iк, A: 10 A
у наявності: 102 шт
  • 94 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.86 грн
50+39.77 грн
100+38.52 грн
500+33.89 грн
1000+30.66 грн
2000+27.08 грн
5000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
50+80.67 грн
100+72.44 грн
500+54.45 грн
1000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+39.86 грн
356+39.77 грн
368+38.52 грн
500+33.89 грн
1000+30.66 грн
2000+27.08 грн
5000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsТранзистор PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, F=2MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+107.48 грн
10+61.72 грн
50+44.62 грн
100+39.42 грн
200+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 35110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.74 грн
50+73.23 грн
100+66.09 грн
500+49.14 грн
1000+42.89 грн
2000+33.78 грн
5000+33.44 грн
10000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMPNP Power silicon transistor, Ic=10 A, Vceo=60V, -55 to 150 C, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]