Продукція > MJE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJE243GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.29 грн
100+32.45 грн
500+23.66 грн
1000+21.48 грн
2000+19.64 грн
5000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 12643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.23 грн
13+58.57 грн
100+45.90 грн
500+32.88 грн
1000+27.07 грн
2000+25.52 грн
5000+23.45 грн
10000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GOn SemiconductorTRANS NPN 100V 4A TO-225 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.80 грн
13+59.44 грн
100+46.58 грн
500+33.38 грн
1000+27.48 грн
2000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W NPN
на замовлення 3859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+41.94 грн
1000+41.53 грн
2500+41.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
12+37.07 грн
100+28.51 грн
200+26.08 грн
250+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243GON-SemiconductorNPN 4A 100V 15W MJE243G TMJE243
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE243MJE253
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253
Код товару: 41964
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253ONSEMI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253On SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 40МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE243) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.59 грн
1000+43.78 грн
2500+38.62 грн
5000+33.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorТранзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 100V 15W PNP
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 4A; 15W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 15W
Case: TO225
Current gain: 40...180
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 40MHz
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.77 грн
10+43.36 грн
50+37.74 грн
100+29.27 грн
250+26.84 грн
500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE253G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 100 V, 4 A, 15 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.29 грн
100+32.45 грн
500+23.66 грн
1000+21.48 грн
2000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE253GOn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=4A (8 имп.), h21=15...180, 40МГц, 15Вт, TO-225AA (комплемент. MJE243) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270onsemiBipolar Transistors - BJT 2A 100V Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.70 грн
100+34.05 грн
500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE270G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 2 A, 15 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE
Transistormontage: Durchsteckmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 6MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 100V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 15W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GSTMTRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+44.92 грн
409+34.61 грн
500+28.41 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 2A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.50 грн
17+44.92 грн
100+34.61 грн
500+27.39 грн
1000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGON Semiconductor2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.79 грн
50+39.70 грн
100+35.27 грн
500+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE270TGonsemiDarlington Transistors 2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Junction Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271STMTRANS PNP DARL 100V 2A TO-225 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271
на замовлення 14408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDarlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GONSEMIDescription: ONSEMI - MJE271G - MJE271G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE271GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.2mA, 120mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 120mA, 10V
Frequency - Transition: 6MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 60V 10A 75W TH TRANSISTOR-BIPOLA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT LEADED POWER TRANSIS GEN PUR T0-220
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 60Vcbo 60Vceo 3.0A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2801T TIN/LEADCentral SemiconductorPower Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955
Код товару: 24030
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, МГц: 2 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 70 В
Струм Iк, А: 10 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 100
товару немає в наявності
2+11.00 грн
10+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955/3055ST08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955ET4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.70 грн
50+35.34 грн
100+34.04 грн
500+31.23 грн
1000+28.30 грн
2000+25.99 грн
5000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 10A; 90W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+119.22 грн
10+71.79 грн
50+54.93 грн
100+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+35.70 грн
401+35.34 грн
416+34.04 грн
500+31.23 грн
1000+28.30 грн
2000+25.99 грн
5000+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
50+80.61 грн
100+72.40 грн
500+54.42 грн
1000+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMPNP Power silicon transistor, Ic=10 A, Vceo=60V, -55 to 150 C, TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJE2955T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955T
Код товару: 57977
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, МГц: 2 МГц
Напруга Uке, В: 60 В
Напруга Uкб, В: 70 В
Струм Iк, А: 10 А
у наявності: 97 шт
  • 84 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 23 шт
  • 23 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+27.50 грн
10+24.80 грн
100+21.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.89 грн
50+91.97 грн
100+70.97 грн
500+54.32 грн
1000+46.05 грн
2000+37.44 грн
5000+36.17 грн
10000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsТранзистор PNP (Uce=60V, Ic=10A, P=75W, B=20-70@I=4A, F=2MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 43010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+93.70 грн
153+92.76 грн
198+71.58 грн
500+54.78 грн
1000+46.45 грн
2000+37.76 грн
5000+36.48 грн
10000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TSTPNP 10A 60V 75W MJE2955T TMJE2955t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGOn SemiconductorPNP Power silicon transistor, Ic=10 A, Vceo=60V, -55 to 150 C, TO-220, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.37 грн
18+44.03 грн
100+39.79 грн
500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.89 грн
270+52.55 грн
500+48.33 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+67.89 грн
100+52.55 грн
500+48.33 грн
1000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
50+90.54 грн
100+81.48 грн
500+61.54 грн
1000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGSTMPNP Power silicon transistor, Ic=10 A, Vceo=60V, -55 to 150 C, TO-220, Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.61 грн
500+82.09 грн
1000+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 10A; 125W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
Current gain: 20...100
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+98.44 грн
10+45.37 грн
50+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+34.43 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGONSEMIDescription: ONSEMI - MJE2955TG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGonsemiBipolar Transistors - BJT 10A 60V 125W PNP
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TMJE3055T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Silicon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUFairchildPNP 60V 10A 0.6W 2MHz MJE2955TTU Fairchild TMJE2955t FAI
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 10A 600mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU-ONonsemiDescription: TRANS PNP 60V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE2955TTU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055STM
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 60V 10A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055/2955T
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TSTMMJE3055T Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJE3055TMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - MJE3055T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 10 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.