Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF7807ZIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7807ZPBF - IRF7807 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZPBFPROInternational RectifierDescription: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.44 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 11A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFINTERNATIONAL RECTIFIERMOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 11A 13.8mOhm 7.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7808
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809IOR09+ SO-8
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809ATRIR00+
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809ATRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809ATRPBFIOR
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 41nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVPBFInfineon Technologies Americas Corp.Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRIR04+
на замовлення 4017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.33 грн
184+76.77 грн
215+65.73 грн
227+60.15 грн
500+52.05 грн
1000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInternational RectifierSO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7809AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.3 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809AVTRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7809TRPBFIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811IORSOP-8
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AIRSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811APBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811APBFIR09+ QFP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811APBF 
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRIRSOP8
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATR SOP8IR
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRPBFIORDIP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811ATRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AV/AIOR09+ SO-8
на замовлення 23987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 28, Id = 11 A, Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10, Qg, нКл = 17, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
100+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVPBF
Код товару: 71910
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,014 Ом
Примітка: Затвор, Qg: 17 nC
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTR
Код товару: 25341
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 28 В
Струм стоку Idd, А: 11,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1800/23
Примітка: -
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTR SOP8IR
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTR-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; Substitute: IRF7811AVTR-VB; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRHRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 14A 14mOhm 17nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1801 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVTRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811AVUPbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811TRIOR00+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811TRPBF
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WIR09+
на замовлення 34514 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WGTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 30V, 14A, 12 mOhm, 15.6 nC Qg, SO-8, Halogen-free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WGTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRIR07+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBFIOR
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2335 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 14A 12mOhm 15.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7811WTRPBF-1Infineon / IRInfineon SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]