Продукція > AUI
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF2807 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2903Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2903Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2903ZL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2903ZS | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2903ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2903ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2903ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2903ZSTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2907Z | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2907Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2907ZS-7P | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2907ZS-7P | International Rectifier | N-Channel 75 V 180A (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2907ZS-7P | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 110A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7580 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2907ZS7PTL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7580 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2907ZS7PTL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF2907ZS7PTR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 3.8mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3004WL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9450 pF @ 32 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-262-3 Wide Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 195A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-262-3 Wide Leads Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3004WL | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3007 | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3007 | Infineon Technologies | MOSFET 75V 80A 12.6mOhm Automotive MOSFET | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF3205 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 8000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205 | Infineon Technologies | Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V | на замовлення 22940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205 | International Rectifier | Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205 | Infineon Technologies | MOSFETs 55V, 98A, 8mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205XKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205Z | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF3205Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 6500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | на замовлення 2417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205Z | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 76nC On-state resistance: 6.5mΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205Z | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205Z | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205ZS | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205ZS | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3205ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205ZSTRL | Infineon | на замовлення 456000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRF3205ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3205ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3305 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 140A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3305 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3305 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3305 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 140A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3305 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 140A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3305 | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3305 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 140A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3305XKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3315S | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3315S | Infineon / IR | MOSFET 150V, 21A, 82 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3315STRL | Infineon / IR | MOSFET 150V, 21A, 82 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3315STRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3315STRR | Infineon / IR | MOSFET 150V, 21A, 82 mOhm Automotive MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3415 Код товару: 62937
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRF3415 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 150V 1 N-CH HEXFET 42mOhms | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3415 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3504 | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3504 | International Rectifier | Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3504-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 40V 87A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710Z | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710Z | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 108mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710Z Код товару: 107592
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRF3710ZS | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 82nC On-state resistance: 18mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZS | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK (TO263-3) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 59A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRR | Infineon / IR | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3710ZSTRR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 35A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3805 | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3805 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3805 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3805 Код товару: 173979
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRF3805 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3805 | INFINEON | Description: INFINEON - AUIRF3805 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 A, 0.0026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3805 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3805L | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO262 Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3805L | Infineon Technologies | MOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AUIRF3805L | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3805L-7P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 160A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-7 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AUIRF3805L-7P | Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |