Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 179604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.51 грн
25+14.49 грн
50+11.84 грн
100+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 800
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 116893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V
на замовлення 77160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.35 грн
9000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045U-7DiodesТранзистор: P-MOSFET, полевой, 24В, 4,3А, SOT23 Транзистори
на замовлення 491 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
168+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 740mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.95 грн
6000+8.74 грн
9000+8.32 грн
15000+7.36 грн
21000+7.09 грн
30000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFDB-7Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 1206000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
6000+5.54 грн
9000+5.30 грн
15000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.38 грн
6000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7DiodesMOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 27927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.38 грн
6000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
на замовлення 1208212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
17+18.49 грн
100+9.06 грн
500+7.98 грн
1000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+20.08 грн
100+12.78 грн
500+9.00 грн
1000+8.04 грн
2000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 5177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
6000+7.92 грн
9000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+24.68 грн
100+12.43 грн
500+10.34 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
6000+7.92 грн
9000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.97 грн
6000+7.50 грн
9000+6.64 грн
30000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.35 грн
6000+8.07 грн
9000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2045UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 101114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2045UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
6000+8.07 грн
9000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -16A; 1.66W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.66W
Case: U-WLB1010-4
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.40 грн
25+39.79 грн
50+32.84 грн
100+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch ENH Mode FET -20V -6
на замовлення 20750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+46.11 грн
413+34.27 грн
429+33.04 грн
501+27.23 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2047UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.04 ohm, U-WLB1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: U-WLB1010
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.47 грн
16+49.82 грн
25+46.11 грн
100+33.05 грн
250+29.50 грн
500+24.21 грн
1000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 218 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2047UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2047UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.04 ohm, U-WLB1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: U-WLB1010
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.70 грн
25+46.89 грн
50+38.83 грн
100+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V Dual P-Ch Enh 12Vgs -1.4W 884pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2060UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+17.51 грн
100+11.03 грн
500+7.72 грн
1000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDBDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.66 грн
20000+10.43 грн
30000+10.02 грн
50000+8.98 грн
70000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 77734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.19 грн
100+22.05 грн
500+15.79 грн
1000+14.21 грн
2000+12.87 грн
5000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 684000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 126329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+38.80 грн
25+32.43 грн
50+26.68 грн
100+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.26 грн
6000+14.00 грн
9000+13.83 грн
15000+13.17 грн
30000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 752pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.34 грн
9000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.26 грн
6000+14.00 грн
9000+13.83 грн
15000+13.17 грн
30000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3.2A; 0.74W; U-DFN2020-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.74W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: -3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 11693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.27 грн
25+18.54 грн
50+15.16 грн
100+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
9000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2065UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2065UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET P-channel 1.25W
на замовлення 9010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 18337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
11+29.66 грн
100+19.07 грн
500+13.58 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.53 грн
6000+10.16 грн
9000+9.67 грн
15000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -18A; 1.25W; SOT26
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 10.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -3.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT26
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2xP-Channel 2W
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.45 грн
30+25.30 грн
100+16.95 грн
250+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 300066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.08 грн
10+32.08 грн
100+20.65 грн
500+14.75 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.37 грн
6000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSN-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-channel 1.25W
на замовлення 14914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.50 грн
5000+14.59 грн
7500+13.93 грн
12500+12.37 грн
17500+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 48726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+39.93 грн
100+25.96 грн
500+18.71 грн
1000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 9998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1496 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.