Продукція > FQD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQD7N30TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06onsemi / FairchildMOSFETs QF -60V 45MOHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TFFairchild
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V P-Channel QFET
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TM-NB82050Fairchild
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TM_F080onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P06TM_NB82050onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.27 грн
5000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 690mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.41 грн
10+63.74 грн
75+49.48 грн
100+46.96 грн
500+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMonsemi / FairchildMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 3953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMONS/FAIMOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK Транзистори
на замовлення 340 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
15+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMonsemiMOSFETs 200V P-Channel QFET
на замовлення 6536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 32802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.08 грн
50+60.19 грн
100+50.45 грн
500+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM
Код товару: 149423
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 5,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 770 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 10 В, Rds = 690 мОм @ 2,85 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 55, Тексп, °C = -55..+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD7P20TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.69ohm
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD7P20TM_F080onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8N25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8N25onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8N25TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQD8N25TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8N25TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 33444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.99 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8N60CFfairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10onsemi / FairchildMOSFET QF -100V 53MOHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TF-NB82052Fairchild
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TF_NB82052onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 14074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.48 грн
50+41.20 грн
100+34.33 грн
500+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMON-SemiconductorP-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMonsemi / FairchildMOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 18570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.90 грн
5000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 44W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 44W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.09 грн
8+58.54 грн
10+51.33 грн
50+37.82 грн
100+33.38 грн
500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TMonsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 15772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085onsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 25361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 44W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.76 грн
10+78.35 грн
100+52.82 грн
500+39.31 грн
1000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085onsemi / FairchildMOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 32030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.89 грн
5000+32.21 грн
7500+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 6.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F080onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK-3
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM_SB82052onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N08FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N08LFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N15FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TMonsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.7A; Idm: 29.6A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F080onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS N-Ch 250V 7.4A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD9N25TM-SBEK002onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQDLX36Panduit CorpDescription: CABLE FIBER OPTIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQDPN25
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.