Продукція > NDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NDS9430AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.06 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430AON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9430_NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9431
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9431NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9431_NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Power Dissipation (Max): 2W
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+68.58 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435Aonsemi / FairchildMOSFETs -30V -5.3A P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435A
Код товару: 58304
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 25 В
Струм стоку Id, А: 5,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
товару немає в наявності
2+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435A-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435A_NLFSC09+
на замовлення 100018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435FDS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9435RFAIRCHILD0624
на замовлення 653 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16ETInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16ET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16ITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 1M x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS96PT4-16IT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 16MBIT LVTTL 50TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 50-TSOP II
Memory Interface: LVTTL
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9852AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9905
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9917FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9924AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9925AonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9925AFAISO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933NSSOP-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933AonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933AFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 925 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933A_NLFAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9933_NLFAIRCHILD
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936onsemi / FairchildMOSFET Dl N-Ch Enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 40970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936-NL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936AFAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936A_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9936_NLFAIRCHILD
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9939NSSOP-8
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS99407NS07+/08+ SOP8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9942onsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9942onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9942FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9942-NLFAIRCHILDSOP8 0919+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9943onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9943FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9943onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9943onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945onsemiMOSFETs Dl N-Ch Enhancement
на замовлення 6122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
10+105.29 грн
100+72.04 грн
500+54.26 грн
1000+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; 2W; SO8
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.50 грн
10+125.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9945 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.076 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.076
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945-NL
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945.ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945.ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9945. - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945NLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9945_NLFSC09+
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9946FAI07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9947Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 23768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948onsemiMOSFETs Dual PCh PowerTrench
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -2A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 2W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -2A
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.67 грн
8+54.18 грн
10+47.97 грн
50+35.89 грн
100+31.45 грн
500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1119+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 1119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ONS/FAIMOSFET 2P-CH 60V 2.3A SOIC-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9948 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.3 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.25ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948
Код товару: 100660
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 2,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 250 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 394/9
Монтаж: SMD
у наявності: 279 шт
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 257 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+20.00 грн
10+17.90 грн
100+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 394pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1119+31.62 грн
10000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 1119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948NLFAIRCHILD
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9948_NLFAIRCHILD
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952NSSOP-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
627+56.47 грн
1000+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 627 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N&P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952AONSEMIDescription: ONSEMI - NDS9952A - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDS9952A-F011onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.