Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JAN2N2905AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2905AL | MICROSEMI | TO-5/PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR 2N2905 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2905AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2905AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906 | MOTOROLA | на замовлення 56623 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2906A | Semicoa Semiconductors | PNP Bipolar junction transistor 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT | на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 193 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906A | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 193 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2906A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 371 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AL | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2906AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2906AUA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A 4-SMD Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A 4-SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: 4-SMD Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UBC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2906AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907 | MOTOROLA | на замовлення 236500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2907A | MICROSEMI | TO-18/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT | на замовлення 3172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907A | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Case: TO18 Mounting: THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 129 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | на замовлення 5041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| Jan2N2907A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 513 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 193 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 193 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AL | MICROSEMI | TO18/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AL | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Case: TO18 Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 93 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2907AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 371 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AP | Microchip / Microsemi | Microchip Technology Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AP | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 500mW; TO18 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 0.5W Case: TO18 Mounting: THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AP | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2907AUA | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2907AUA | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2907AUA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUA/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUB | MICROSEMI | UB/PNP TRANSISTOR 2N2907 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUB | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 59 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JAN2N2907AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 121 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUB/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUBP | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUBP | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUBP | Microchip / Microsemi | Microchip Technology Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUBP/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2907AUBP/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2908 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2908A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2909 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2909A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2910 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2910A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2911 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2911A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2912 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2912A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2913 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2913A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2914 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2914A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2915 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2915A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2916 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2916A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2917 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2917A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2918 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2918A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2919 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2919 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| Jan2N2919/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2919A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| Jan2N2919L | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2919L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2919L/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2919U | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2919U | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2919U/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N291A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2920 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2920 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2920 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2920A | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JAN2N2920A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2920A | Microchip Technology | Description: DUAL SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2920L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2920L | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2920L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2920U | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 60V 0.03A Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: U Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jan2N2920U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2920U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2920U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: U Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/355 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN2N2940 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

