Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SMMBT3906LT3ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
2000+2.18 грн
5000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3641+3.88 грн
4984+2.84 грн
6303+2.24 грн
6638+2.05 грн
7895+1.60 грн
10000+1.33 грн
20000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 3641 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1092+12.96 грн
1125+12.58 грн
1161+12.19 грн
3000+11.39 грн
6000+10.20 грн
15000+9.47 грн
30000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 1092 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GONN
на замовлення 4242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.74 грн
20000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+10.56 грн
120+6.34 грн
195+3.88 грн
500+2.74 грн
1000+2.00 грн
2000+1.83 грн
5000+1.54 грн
10000+1.33 грн
20000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
на замовлення 50811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.48 грн
54+14.11 грн
55+13.72 грн
100+12.87 грн
250+11.57 грн
500+10.78 грн
1000+10.45 грн
3000+10.13 грн
6000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906LT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7178+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 7178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 40V
на замовлення 20406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
36+8.53 грн
100+5.25 грн
500+3.59 грн
1000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+14.16 грн
88+8.66 грн
145+5.23 грн
500+3.68 грн
1000+3.06 грн
3000+2.17 грн
6000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2125+6.66 грн
2773+5.10 грн
3081+4.59 грн
4156+3.28 грн
6000+2.92 грн
15000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 2125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6049+2.34 грн
9000+2.20 грн
27000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 6049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT3906WT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.92 грн
63+12.16 грн
67+11.28 грн
108+6.77 грн
250+5.94 грн
500+4.37 грн
1000+3.94 грн
3000+2.92 грн
6000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GOn SemiconductorTRANS NPN 40V 0.6A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1G
Код товару: 164502
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.53 грн
9000+3.87 грн
24000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1887+7.50 грн
1906+7.42 грн
2014+7.02 грн
2799+4.87 грн
3394+3.72 грн
6000+3.05 грн
15000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 1887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.10 грн
100+6.91 грн
500+4.76 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT4401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3125+4.53 грн
9000+3.87 грн
24000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SMAL SGNL TRANS MINI BLK
на замовлення 131182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.89 грн
40+19.08 грн
41+18.67 грн
101+7.23 грн
250+6.63 грн
500+6.02 грн
1000+4.33 грн
3000+3.57 грн
6000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4401LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.65 грн
6000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
6000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 XSTR PNP
на замовлення 331800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GONN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+6.87 грн
100+4.23 грн
500+2.87 грн
1000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT4403LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5088LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 35V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5088LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5088LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.05A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5088LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.53 грн
100+10.41 грн
500+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 400...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.00 грн
18+16.91 грн
100+10.67 грн
500+7.45 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GNPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3
на замовлення 772 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS LN XSTR NPN 25V
на замовлення 10937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5089LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5401LT1 - SMMBT5401LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 141758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1onsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 141758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorТранзистор PNP, Uceo, В = 150, Ic = 500 мА, ft, МГц = 300, hFE = 60 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 50 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 5 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.60 грн
59+12.96 грн
100+8.87 грн
500+7.11 грн
1000+6.01 грн
3000+4.56 грн
6000+3.70 грн
9000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.32 грн
6000+5.17 грн
9000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.49 грн
94+8.10 грн
95+8.01 грн
100+7.50 грн
250+6.74 грн
500+6.27 грн
1000+6.07 грн
3000+5.87 грн
6000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.40 грн
6000+6.55 грн
9000+6.02 грн
12000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR SPCL TR
на замовлення 17845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 29143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1624+8.71 грн
1699+8.33 грн
1782+7.94 грн
1875+7.27 грн
3000+6.39 грн
6000+5.80 грн
15000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 1624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5726+6.18 грн
10000+5.51 грн
100000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 5726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.06 грн
6000+5.13 грн
9000+4.95 грн
24000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.32 грн
6000+5.17 грн
9000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GOn SemiconductorPNP, Uкэ=150V, Iк=0.6A, 0.35Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
319+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5401LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5726+6.18 грн
10000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 5726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.66 грн
6000+5.37 грн
9000+5.05 грн
15000+4.61 грн
24000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5726+6.18 грн
10000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 5726 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
6000+5.08 грн
9000+4.92 грн
24000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5401LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.08 грн
100+4.99 грн
500+3.41 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+6.97 грн
166+4.56 грн
187+4.05 грн
268+2.72 грн
278+2.42 грн
500+2.30 грн
1000+2.25 грн
3000+2.21 грн
6000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4747+2.98 грн
9000+2.81 грн
27000+2.72 грн
51000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 4747 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5017+2.82 грн
5209+2.72 грн
5282+2.68 грн
5377+2.54 грн
5475+2.31 грн
6000+2.17 грн
15000+2.14 грн
30000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 5017 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1223653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+8.58 грн
135+5.62 грн
152+4.99 грн
218+3.35 грн
250+2.99 грн
500+2.13 грн
1000+2.03 грн
3000+1.94 грн
6000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GOn SemiconductorTRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+9.83 грн
131+5.77 грн
189+4.01 грн
500+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMMBT5551LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - SMMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93  Наступна Сторінка >> ]