Продукція > BSP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | Infineon | MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | Infineon | P-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP315PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP315PL6327XT | Infineon | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP315PL6327 | на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP316 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP316P | INF | 09+ | на замовлення 38774 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP316P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3 | на замовлення 15167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PE6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP316PE6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3 | на замовлення 36190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 206 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 25301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 680mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Drain-source voltage: -100V Drain current: -680mA Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 1.8Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT223 Kind of channel: enhancement | на замовлення 679 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP316PL6327 | INFINEON | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP316PL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP316PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317P E6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-KANAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317P H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP317P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3 | на замовлення 16080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP317P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -250V 430mA SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317PE6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317PE6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 5096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 430mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | Infineon | MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3 | на замовлення 18728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317PL6327 | Infineon | P-кан. MOSFET 250V, 0.43A, 1.8Вт, 4.0Ом, SOT-223 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317PL6327 | Infineon Technologies | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP317PL6327 Код товару: 43505
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP317PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318 | INFLNEON | SOT-223 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318S E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318S H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3 | на замовлення 34252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP318S L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318S транзистор Код товару: 57383
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP318S-L6327 | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 2,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S; BSP318S-VB; BSP318S(UMW); BSP318SH6327XTSA1 TBSP318s кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 9577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 207 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm | на замовлення 9577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 Код товару: 144529
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP318SH6327XTSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318SL6327 | INFINEON | TO126 | на замовлення 16300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318SL6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP318SL6327HTSA1 - BSP318 SIPS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2793000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP318SL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2256860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP318SL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP318SL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2229660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP319 | INF | 09+ | на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP319S | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSP32 | PHILIPS | SOT-223 | на замовлення 43000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP32,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223 Qualification: AEC-Q100 Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP32,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSP32/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP32,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223 Qualification: AEC-Q100 Power - Max: 1.3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320 | INF | 09+ | на замовлення 52604 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S | INF | 09+ | на замовлення 32430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S E6327 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S E6433 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S H6327 | Infineon | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP320S H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3 | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP320S H6433 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S L6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 2.9A SOT-223-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320S L6433 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP320SH6327 | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSP320SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP320SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 5519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSP320SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SIPMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

