Продукція > BSP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSP315P-E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PE6327InfineonP-CHMOS-FET1,17A60VSOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.00 грн
2000+18.80 грн
3000+18.53 грн
5000+17.79 грн
7000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.00 грн
2000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesP-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 1,17, Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25, Qg, нКл = 7.8, Rds = 800 мОм, Ugs(th) = ±20, Р, Вт = 1.8, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: PG-SOT223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.42 грн
2000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3
на замовлення 16978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.36 грн
306+46.30 грн
500+40.73 грн
2000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1InfineonMOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 1.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+19.18 грн
2000+18.99 грн
3000+18.70 грн
5000+17.96 грн
7000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 1.17A 50V 1.8W 0.8Ω BSP315P TBSP315p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.74 грн
50+33.78 грн
100+28.06 грн
500+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PL6327XTInfineon
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PL6327 
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316INFLNEONSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PINF09+
на замовлення 38774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 15167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
449+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 449 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.95 грн
3000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.45 грн
14+55.83 грн
100+40.69 грн
500+31.30 грн
1000+21.27 грн
2000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.25 грн
15+29.02 грн
50+25.24 грн
100+23.90 грн
125+23.48 грн
250+22.06 грн
500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.76 грн
2000+20.43 грн
3000+20.23 грн
5000+19.31 грн
7000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+46.27 грн
50+34.18 грн
100+28.39 грн
500+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
на замовлення 35686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 680 mA, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.34 грн
2000+20.06 грн
3000+19.85 грн
5000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.34 грн
2000+20.06 грн
3000+19.85 грн
5000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.75 грн
2000+20.41 грн
3000+20.22 грн
5000+19.29 грн
7000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PL6327INFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 680mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317INFLNEONSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317P E6327Infineon TechnologiesMOSFET P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
на замовлення 16065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317P H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.35 грн
250+59.86 грн
500+57.70 грн
1000+53.82 грн
2500+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -250V 430mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PE6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PE6327TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+61.18 грн
264+53.75 грн
306+46.32 грн
320+42.73 грн
500+35.05 грн
1000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -0.43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -250V
Transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 4Ω
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+46.46 грн
100+30.53 грн
500+23.65 грн
1000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.55 грн
100+31.21 грн
500+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1InfineonMOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.83 грн
2000+26.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.23 грн
2000+27.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.80 грн
2000+20.05 грн
3000+19.08 грн
5000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 250V 0.43A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PL6327
Код товару: 43505
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PL6327InfineonBSP317PL6327 P-кан. MOSFET 250V, 0.43A, 1.8Вт, 4.0Ом, SOT-223 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP317PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 370µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 430mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318INFLNEONSOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
на замовлення 34252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S транзистор
Код товару: 57383
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318S-L6327Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 2,6 А, Ptot, Вт = 1,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25, Qg, нКл = 20 @ 10 В, Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1
Код товару: 144529
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327INFINEONTO126
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP318SL6327HTSA1 - BSP318 SIPS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2793000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2229660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
945+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 945 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP318SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2256860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1424+24.85 грн
10000+22.16 грн
100000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 1424 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP319INF09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP319S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP32PHILIPSSOT-223
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP32,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP32/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP32,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP32,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT223
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320INF09+
на замовлення 52604 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SINF09+
на замовлення 32430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SInfineon TechnologiesMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6327Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6433Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320S H6327Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]