Продукція > DTA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTA114YCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 350 mW Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1471 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A SST3 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 350 mW Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YCAHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YCAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -100mA -50V w/bias resistor | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 68@5MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-52 Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE | Yangjie Electronic Technology | DTA114YE | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 68@5MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-52 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE RK | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Digital Transistor PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE TL | ROHM | 09+ | на замовлення 48018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: PRE-BIASED TRANSISTORS,SOT-523 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-523 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-523 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE-TP | Micro Commercial Components | PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE-TP | Micro Commercial Components | PNP Digital Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: To Be Advised | на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YEA | ROHM | SOT523 | на замовлення 210000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YEBHZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YEBHZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 100MA 50V SOT-416FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-416FL Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1316 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YEFRATL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YET1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YET1 | ON Semiconductor | на замовлення 4263 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 5404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 401 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 5404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 17570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 5506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 100 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SC-75 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YETL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 148 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 124 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 70MA | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Resistors Included: R1 and R2 Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YETL | ROHM | Description: ROHM - DTA114YETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 4268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: EMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 5980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YK | ROHM | SOT23 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YK SOT23-54 | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DTA114YKA-T146 | на замовлення 11900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 2777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YKAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTA114YKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA114Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 209 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YKAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT PNP 40V 100MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 37894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YKT146SOT23-54 | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DTA114YM-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT PNP 50V 0.07A 100mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YM3 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT-723 BIAS RESISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 513000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 17086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | на замовлення 6343 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 79990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTA114YM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTA114YM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 623000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

