Продукція > DTC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 893 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GKAT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114GL-TL2 | на замовлення 1330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114GS | ROHM | TO-92S | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU | ROHM | SOT323 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC114GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - DTC114GU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: AUTOMOTIVE NPN 100MA 50V DIGITAL | на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1786 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R2 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 418 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50 VCEO 0.1A SOT-323 | на замовлення 6187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R2 Only | на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114GU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 962 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GUA | ROHM | SOT323 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GUAFRAT106 | ROHM | SOT23/ | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | на замовлення 5218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GUAT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 100MA SOT-323 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114GUAT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 | на замовлення 5218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114NPN150MWEMT3CXI2005 | N/A | N/A | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114T | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA Packaging: Bulk | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114T | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114T - DTC114T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13889 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114T | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DTC114TCA | Yangjie Electronic Technology | DTC114TCA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TCA | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TCA | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors Sgle NPN, 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCA-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCA-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1725 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 76 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Current gain: 100...600 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 59 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 468 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 59 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 5049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor | на замовлення 5021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TCAT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE | onsemi | onsemi SS SC75 BR XSTR NPN 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE | Yangjie Electronic Technology | DTC114TE | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 100@1MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 100@1MA,5V 150MW 100MA 50V SOT-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE TL | ROHM | SOT23 | на замовлення 2864 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE-T106/8-H | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC114TE-TL | ROHM | SOT423 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN 10KOhms 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1516 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital transistor (AEC-Q101 Qualified) | на замовлення 5935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 Only | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 | на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 2696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1613 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TE3TL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TEBMGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 100MA 50V SOT-416FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 3838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2101 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | ROHM | Description: ROHM - DTC114TEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416FL Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC114T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TEBTL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R | на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TEF | ROHM | SOT23-3 | на замовлення 2644 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TET1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TET1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TET1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TET1 - DTC114TET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TET1 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - DTC114TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TET1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416; 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Current gain: 160...350 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DTC114TET1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

