Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015L-L701onsemiDescription: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015L-L701onsemiDescription: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.33 грн
100+64.87 грн
500+48.64 грн
1000+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015L-L701onsemiMOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8026SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8026SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.37 грн
6000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.71 грн
297+47.74 грн
500+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030onsemiMOSFETs FPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+78.72 грн
100+61.28 грн
500+48.75 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.47 грн
14+56.32 грн
25+55.71 грн
100+46.03 грн
500+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030On SemiconductorMOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 595060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.72 грн
1000+52.31 грн
10000+46.64 грн
100000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.73 грн
6000+29.10 грн
9000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.95 грн
25+41.31 грн
50+39.21 грн
100+35.73 грн
250+33.74 грн
500+33.18 грн
1000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.72 грн
1000+52.31 грн
10000+46.64 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LOn SemiconductorMMOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 11970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+60.46 грн
100+47.01 грн
500+37.39 грн
1000+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+41.95 грн
343+41.31 грн
348+40.66 грн
354+38.59 грн
360+35.15 грн
500+33.18 грн
1000+32.64 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 606000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 793 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097ACONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 150/-150V; 2.4/-0.9A; 1.9W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150/-150V
Drain current: 2.4/-0.9A
Power dissipation: 1.9W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V; ±25V
On-state resistance: 2171/306mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097AConsemiMOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+143.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097AConsemi / FairchildMOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 40013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.20 грн
10+248.17 грн
100+177.14 грн
500+137.82 грн
1000+129.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+41.78 грн
1000+38.53 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200onsemi / FairchildMOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench
на замовлення 5884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.24 грн
10+88.94 грн
25+88.05 грн
100+68.19 грн
250+62.54 грн
500+40.58 грн
1000+40.05 грн
3000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+41.78 грн
1000+38.53 грн
10000+34.36 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200onsemiMOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+88.94 грн
161+88.05 грн
200+70.72 грн
250+67.55 грн
500+42.27 грн
1000+40.05 грн
3000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/18A; 1.9/2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 18/18A
Power dissipation: 1.9/2.2W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 32/13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.99 грн
6000+32.30 грн
9000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.28 грн
48+15.76 грн
100+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+64.89 грн
220+64.57 грн
251+56.41 грн
253+54.08 грн
500+45.01 грн
1000+38.34 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 10742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.46 грн
10+81.14 грн
100+54.47 грн
500+40.37 грн
1000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S-PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 187651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S_F106ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8296ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8298ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 712 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 19700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.47 грн
127+112.17 грн
188+75.60 грн
250+72.17 грн
500+52.63 грн
1000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
10+90.65 грн
100+61.22 грн
500+45.63 грн
1000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; Idm: 100A; 40W; Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LonsemiMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.02 грн
250+98.44 грн
500+77.36 грн
1000+67.83 грн
3000+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+255.70 грн
62+229.93 грн
64+223.31 грн
100+205.15 грн
250+170.80 грн
500+159.42 грн
1000+138.71 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.23 грн
10+114.47 грн
25+112.17 грн
100+72.90 грн
250+66.83 грн
500+50.52 грн
1000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 320A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDConsemi / FairchildMOSFETs 40 V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.71 грн
10+128.79 грн
25+127.50 грн
100+109.75 грн
250+99.31 грн
500+88.53 грн
1000+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V
на замовлення 54231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+105.75 грн
100+85.88 грн
500+73.52 грн
1000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.71 грн
110+128.79 грн
111+127.50 грн
125+109.75 грн
250+99.31 грн
500+88.53 грн
1000+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LOn SemiconductorMOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.82 грн
6000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.01 грн
1000+55.40 грн
3000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327Lonsemi / FairchildMOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 51913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 60A; 30W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Power dissipation: 30W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
на замовлення 41464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+61.29 грн
50+45.69 грн
100+38.15 грн
500+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LFAIRCHILDTrans MOSFET N-CH Si 40V 12A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
697+50.77 грн
1000+47.94 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8327L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14 A, 9700 µohm, Power 33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
на замовлення 6103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327LonsemiMOSFETs PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
на замовлення 34231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L-L701onsemiDescription: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8327L-L701onsemiDescription: FET 40V 9.7 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 20 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.57 грн
10+108.69 грн
100+74.03 грн
500+55.58 грн
1000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N Chan Shielded Gate Power Trench
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+103.33 грн
100+70.31 грн
500+52.71 грн
1000+48.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 240A; 54W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 54W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5795 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+91.71 грн
100+63.45 грн
500+46.62 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LET40onsemi / FairchildMOSFETs PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LET40onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/141A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8360LET40ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 658A; 75W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 75W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 658A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.69 грн
116+122.17 грн
163+87.11 грн
250+83.17 грн
500+67.78 грн
1000+40.69 грн
3000+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462onsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench
на замовлення 7338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 41W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
Power dissipation: 41W
Case: PQFN8
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.40 грн
6000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8462ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.