Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC8010DConsemi / FairchildMOSFET TV Monitor/POE/ Network/Telcom
на замовлення 10099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+75.34 грн
100+50.88 грн
500+43.15 грн
1000+33.76 грн
3000+33.07 грн
6000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
на замовлення 9546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.74 грн
10+66.86 грн
100+46.21 грн
500+37.53 грн
1000+34.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 99A; Idm: 788A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 788A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
On-state resistance: 1.89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010DConsemiMOSFETs TV Monitor/POE/ Network/Telcom
на замовлення 12241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+85.74 грн
100+53.23 грн
500+42.18 грн
1000+37.55 грн
3000+34.17 грн
6000+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30ON SemiconductorFDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30onsemi / FairchildMOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8010ET30 - MOSFET, N-CH, 30V, 174A, 65W, POWER 33
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 43049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+125.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30ON SemiconductorFDMC8010ET30 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 30V 30A 8-Pin Power 33 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.45 грн
25+76.26 грн
100+72.38 грн
250+65.95 грн
500+62.30 грн
1000+61.27 грн
3000+60.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8010ET30onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+57.59 грн
100+44.82 грн
500+35.65 грн
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.79 грн
203+69.96 грн
296+48.02 грн
500+36.48 грн
1000+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+62.83 грн
229+61.94 грн
276+51.51 грн
278+49.17 грн
500+41.12 грн
1000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015Lonsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.65 грн
10+59.46 грн
100+40.59 грн
500+36.24 грн
1000+29.48 грн
3000+27.13 грн
6000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; Idm: 30A; 24W; WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 24W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.35 грн
13+62.83 грн
25+61.94 грн
100+49.67 грн
250+45.53 грн
500+39.47 грн
1000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015L
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+55.43 грн
1000+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LonsemiMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+54.30 грн
100+31.20 грн
500+24.37 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+55.43 грн
1000+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015L-L701onsemiDescription: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.00 грн
10+94.46 грн
100+64.27 грн
500+48.19 грн
1000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015L-L701onsemiDescription: FET 40V 26.0 MOHM MLP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8015L-L701onsemiMOSFET FET 40V 26.0 MOHM MLP33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8026SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8026SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3165 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 800mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+78.00 грн
100+60.72 грн
500+48.30 грн
1000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.99 грн
6000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.61 грн
14+56.44 грн
25+55.83 грн
100+46.14 грн
500+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8030 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 12 A, 12 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.83 грн
297+47.85 грн
500+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030onsemi / FairchildMOSFETs FPS
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.11 грн
10+85.74 грн
100+51.71 грн
500+43.84 грн
1000+39.76 грн
3000+33.76 грн
6000+32.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8030On SemiconductorMOSFET 2N-CH 40V 12A 8MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.04 грн
25+41.40 грн
50+39.29 грн
100+35.81 грн
250+33.82 грн
500+33.26 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+59.90 грн
100+46.58 грн
500+37.05 грн
1000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.84 грн
1000+52.43 грн
10000+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LOn SemiconductorMMOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8PWR33
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.44 грн
6000+28.83 грн
9000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin MLP EP T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+42.04 грн
343+41.40 грн
348+40.75 грн
354+38.67 грн
360+35.23 грн
500+33.26 грн
1000+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8032L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 606000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
793+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 793 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8032LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 595060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
624+56.84 грн
1000+52.43 грн
10000+46.74 грн
100000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 624 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097AConsemiMOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.26 грн
10+260.40 грн
100+162.23 грн
500+145.66 грн
1000+136.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Power - Max: 1.9W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.66 грн
10+245.90 грн
100+175.52 грн
500+136.56 грн
1000+128.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097AConsemi / FairchildMOSFETs 150V Dual N&P Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.21 грн
10+243.72 грн
25+188.46 грн
100+164.30 грн
250+151.18 грн
500+142.21 грн
1000+131.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097AConsemiDescription: MOSFET N/P-CH 150V 2.4A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), 900mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 75V, 230pF @ 75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+142.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8097ACONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 150/-150V; 2.4/-0.9A; 1.9W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150/-150V
Drain current: 2.4/-0.9A
Power dissipation: 1.9W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20V; ±25V
On-state resistance: 2171/306mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
583+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.46 грн
10+89.14 грн
25+88.24 грн
100+68.34 грн
250+62.68 грн
500+40.67 грн
1000+40.14 грн
3000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ONN
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+41.87 грн
1000+38.61 грн
10000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200onsemiMOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+59.86 грн
100+34.45 грн
500+26.85 грн
1000+24.37 грн
3000+19.81 грн
6000+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 18/18A; 1.9/2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 18/18A
Power dissipation: 1.9/2.2W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 32/13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+89.14 грн
161+88.24 грн
200+70.88 грн
250+67.70 грн
500+42.36 грн
1000+40.14 грн
3000+37.03 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 8A/12A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
847+41.87 грн
1000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200onsemi / FairchildMOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench
на замовлення 5884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+70.50 грн
100+44.04 грн
500+35.62 грн
1000+31.27 грн
3000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.32 грн
48+15.79 грн
100+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 700mW, 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+80.40 грн
100+53.97 грн
500+40.00 грн
1000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+65.03 грн
220+64.71 грн
251+56.54 грн
253+54.20 грн
500+45.11 грн
1000+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+67.80 грн
100+42.73 грн
500+34.59 грн
1000+32.17 грн
3000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW, 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.66 грн
6000+32.00 грн
9000+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SFSC 1121+ MLP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 6A/8.5A 8-Pin Power 33 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S-PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8200S-P - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 187651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8200S_F106ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8296ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8296Fairchild
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8296Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A POWER33
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8298ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8298 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
712+54.77 грн
Мінімальне замовлення: 712 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.72 грн
127+112.42 грн
188+75.77 грн
250+72.34 грн
500+52.74 грн
1000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 49A; Idm: 100A; 40W; Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: Power33
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 40W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 49A
Pulsed drain current: 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LonsemiMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.97 грн
10+90.50 грн
100+52.88 грн
500+42.94 грн
1000+38.45 грн
3000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.29 грн
250+98.66 грн
500+77.54 грн
1000+67.98 грн
3000+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin Power 33 T/R
на замовлення 2241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.27 грн
62+230.44 грн
64+223.80 грн
100+205.61 грн
250+171.18 грн
500+159.77 грн
1000+139.02 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V
на замовлення 6089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.70 грн
10+79.42 грн
100+53.55 грн
500+39.86 грн
1000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.60 грн
10+114.72 грн
25+112.42 грн
100+73.06 грн
250+66.98 грн
500+50.63 грн
1000+44.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321Lonsemi / FairchildMOSFETs 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 19700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.20 грн
10+154.81 грн
100+93.89 грн
250+93.20 грн
500+76.63 грн
1000+71.11 грн
3000+70.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDConsemi / FairchildMOSFETs 40 V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.58 грн
10+108.76 грн
100+76.63 грн
250+75.94 грн
500+68.21 грн
1000+64.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.02 грн
10+129.08 грн
25+127.78 грн
100+110.00 грн
250+99.53 грн
500+88.73 грн
1000+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A DLCOOL33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3965 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Dual Cool ™ 33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 40V 2.5 MOHM PQFN33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+141.02 грн
110+129.08 грн
111+127.78 грн
125+110.00 грн
250+99.53 грн
500+88.73 грн
1000+79.02 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; Idm: 320A; 56W; PQFN8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PQFN8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 320A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8321LDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 108A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]