Продукція > NTE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTE2363NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2363NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 50V 2A TO92L
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2364NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 50V 2A TO92L
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2365NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 800V 15A TO3PBL
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-3PBL
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 180 W
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1748.69 грн
10+1599.39 грн
20+1515.61 грн
50+1343.01 грн
100+1311.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2365NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2366NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 300V 0.1A TO92L
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92L
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2367NTE Electronics, IncDescription: T-NPN SI DIGITAL 4.7K
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+53.30 грн
20+48.76 грн
30+46.19 грн
40+40.94 грн
50+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2369NTE Electronics, IncDescription: T-NPN SI DIGITAL 4.7K/47K
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+45.46 грн
20+41.59 грн
30+39.40 грн
40+34.92 грн
50+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE237NTE Electronics, IncDescription: RF TRANS NPN 60V 300MHZ TO39
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2370NTE Electronics, IncDescription: T-PNP SI DIGITAL 4.7K/47K
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+78.50 грн
20+73.97 грн
50+65.88 грн
100+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2371NTE Electronics, IncDescription: MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.75 грн
10+578.16 грн
20+547.22 грн
50+485.21 грн
100+473.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2371NTE ElectronicsCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+752.33 грн
3+628.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2372NTE Electronics, IncDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V 3.5A TO220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2373NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2373NTE Electronics, IncDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.43 грн
10+512.50 грн
20+486.08 грн
50+430.67 грн
100+420.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2374NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2374NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2374NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2375NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 41A TO247
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.95 грн
10+746.48 грн
20+707.23 грн
50+626.88 грн
100+612.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2376NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+942.15 грн
10+861.96 грн
20+816.68 грн
50+723.92 грн
100+706.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2376NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1352.38 грн
25+1044.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2377NTEN-MOSFET; полевой; 900В; 8А; Idm: 36А; 150Вт; TO3P (аналог 2SK1358) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2378NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V 5A TO3P
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.10 грн
10+500.42 грн
20+474.00 грн
50+420.04 грн
100+410.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2379NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.74 грн
10+312.48 грн
20+295.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE238NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE238NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 750V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2380NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH Si 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+655.98 грн
50+504.87 грн
100+489.04 грн
250+443.50 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2380NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2380NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2381NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET P-CH Si 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2381NTE Electronics, IncDescription: MOSFET P-CHANNEL 500V 2.7A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.41 грн
10+814.41 грн
20+771.39 грн
50+684.25 грн
100+667.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2382NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 9.2A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.45 грн
10+343.43 грн
20+325.31 грн
50+288.29 грн
100+281.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2382NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2383NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET P-CH 100V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+922.05 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2384NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V 6A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3984.91 грн
10+3645.61 грн
20+3453.89 грн
50+3060.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2384NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6401.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2385NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 8A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.78 грн
10+514.76 грн
20+487.59 грн
50+432.09 грн
100+422.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2385NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2386NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6859.16 грн
10+6274.52 грн
20+5944.68 грн
50+5268.60 грн
100+5144.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2387NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1585.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2387NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2388NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Mounting: THT
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220
On-state resistance: 0.18Ω
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+408.23 грн
3+341.33 грн
10+322.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2388NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2388NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.89 грн
10+554.01 грн
20+525.33 грн
50+465.38 грн
100+454.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2388NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2389NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 35A TO220
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2390NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A TO220
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2390NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2392NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2567.78 грн
10+2348.89 грн
20+2225.10 грн
50+1972.72 грн
100+1925.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2392NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2393NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2393NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A TO3P
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1138.10 грн
10+1040.85 грн
20+986.50 грн
50+874.09 грн
100+853.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2394NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO3P
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1026.80 грн
10+939.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2395NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.75 грн
10+392.49 грн
20+371.35 грн
50+329.38 грн
100+321.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2395NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2396NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 28A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.04 грн
10+387.96 грн
20+367.58 грн
50+325.83 грн
100+318.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2396ANTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 33A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+124.54 грн
20+118.50 грн
50+104.83 грн
100+102.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2396ANTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2397NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2397NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V 10A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.40 грн
10+416.64 грн
20+394.75 грн
50+349.92 грн
100+341.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2398NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+677.40 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2398NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 4.5A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.94 грн
10+480.80 грн
20+455.89 грн
50+403.75 грн
100+394.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2399NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2399NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE24NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 80V 1A TO237
Packaging: Bag
Package / Case: TO-237AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-237
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 850 mW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE240NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO202N
Packaging: Bag
Package / Case: TO-202 Long Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-202N
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.48 грн
10+386.45 грн
20+366.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE240NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220N
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+859.52 грн
18+794.90 грн
28+520.71 грн
50+455.72 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2401NTE Electronics, IncDescription: RF TRANS PNP 30V 450MHZ SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Frequency - Transition: 450MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 60Hz ~ 149Hz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+65.84 грн
20+60.23 грн
30+57.06 грн
40+50.58 грн
50+49.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2402NTE Electronics, IncDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 14mA, 10V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2403NTE Electronics, IncDescription: RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 14mA, 10V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2404NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.79 грн
20+53.74 грн
30+50.95 грн
40+45.12 грн
50+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2405NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.3A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+79.25 грн
20+75.48 грн
50+66.58 грн
100+65.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2405NTE ElectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: PNP
Current gain: 4k
Case: SOT23
Frequency: 220MHz
Collector current: 0.3A
Collector-emitter voltage: 30V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2406NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+54.08 грн
20+49.44 грн
30+46.87 грн
40+41.51 грн
50+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2407NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2407NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.00 грн
20+53.06 грн
30+50.27 грн
40+44.55 грн
50+43.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2408NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2408NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.98 грн
25+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2408NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+51.73 грн
20+47.32 грн
30+44.83 грн
40+39.74 грн
50+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2409NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+52.52 грн
20+48.00 грн
30+45.51 грн
40+40.30 грн
50+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE241NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 80V 4A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+91.33 грн
20+86.05 грн
50+76.50 грн
100+74.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2410NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+55.65 грн
20+50.87 грн
30+48.23 грн
40+42.71 грн
50+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2410NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2411NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.14 грн
20+55.93 грн
30+52.99 грн
40+46.96 грн
50+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2412NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 300V 0.1A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.79 грн
20+53.74 грн
30+50.95 грн
40+45.12 грн
50+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2413NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 300V 0.05A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.79 грн
20+53.74 грн
30+50.95 грн
40+45.12 грн
50+44.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2414NTE Electronics, IncDescription: T-NPN SI WITH 10K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.14 грн
20+55.93 грн
30+52.99 грн
40+46.96 грн
50+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2415NTE Electronics, IncDescription: T-PNP SI WITH 10K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+55.65 грн
20+50.87 грн
30+48.23 грн
40+42.71 грн
50+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2416NTE ElectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+451.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2416NTE Electronics, IncDescription: T-NPN SI WITH 22K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.71 грн
20+57.36 грн
30+54.34 грн
40+48.17 грн
50+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2417NTE Electronics, IncDescription: T-PNP SI WITH 22K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+48.60 грн
20+44.46 грн
30+42.12 грн
40+37.33 грн
50+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2419NTE Electronics, IncDescription: T-PNP SI WITH 47K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+48.60 грн
20+44.46 грн
30+42.12 грн
40+37.33 грн
50+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE242NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 80V 4A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+100.39 грн
20+95.10 грн
50+84.29 грн
100+82.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2426NTE Electronics, Inc.Trans Darlington NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+414.63 грн
37+386.23 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2426NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT89
Packaging: Bag
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+128.31 грн
20+121.52 грн
50+107.67 грн
100+105.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2427NTE Electronics, Inc.Trans Darlington NPN 80V 0.5A 1000mW
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+591.96 грн
26+551.77 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2427NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP DARL 80V 0.5A SOT89
Packaging: Bag
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+130.58 грн
20+123.78 грн
50+109.79 грн
100+106.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2427NTE ElectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: PNP
Current gain: 1k
Case: SOT89
Collector current: 0.5A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.38 грн
10+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2428NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT89
Packaging: Bag
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+144.92 грн
20+137.37 грн
50+121.83 грн
100+119.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2429NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Packaging: Bag
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+172.09 грн
20+163.03 грн
50+144.50 грн
100+140.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.