Продукція > NTE

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTE2380NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2381NTE Electronics, IncDescription: MOSFET P-CHANNEL 500V 2.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bag
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+880.30 грн
10+805.16 грн
20+762.62 грн
50+676.48 грн
100+660.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2381NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET P-CH Si 500V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2382NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 9.2A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.18 грн
10+339.52 грн
20+321.62 грн
50+285.02 грн
100+278.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2382NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2383NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET P-CH 100V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+922.05 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2384NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6401.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2384NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V 6A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3939.63 грн
10+3604.18 грн
20+3414.64 грн
50+3025.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2385NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2385NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 8A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.38 грн
10+508.91 грн
20+482.05 грн
50+427.18 грн
100+417.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2386NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6.2A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6781.22 грн
10+6203.22 грн
20+5877.13 грн
50+5208.73 грн
100+5086.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2387NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1585.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2387NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2388NTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+410.73 грн
3+343.26 грн
10+324.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2388NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2388NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2388NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bag
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.00 грн
10+547.72 грн
20+519.36 грн
50+460.09 грн
100+449.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2389NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 35A TO220
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2390NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2390NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A TO220
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2392NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2392NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2538.60 грн
10+2322.20 грн
20+2199.82 грн
50+1950.30 грн
100+1904.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2393NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A TO3P
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1125.17 грн
10+1029.02 грн
20+975.29 грн
50+864.15 грн
100+843.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2393NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2394NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO3P
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.13 грн
10+929.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2395NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2395NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.87 грн
10+388.03 грн
20+367.13 грн
50+325.63 грн
100+317.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2396NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 28A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.23 грн
10+383.55 грн
20+363.40 грн
50+322.13 грн
100+314.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2396ANTE ElectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2396ANTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 100V 33A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+123.12 грн
20+117.15 грн
50+103.64 грн
100+100.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2397NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 400V 10A TO220
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.22 грн
10+411.91 грн
20+390.27 грн
50+345.94 грн
100+337.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2397NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2398NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+677.40 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2398NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V 4.5A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.96 грн
10+475.33 грн
20+450.71 грн
50+399.16 грн
100+390.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2399NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2399NTE Electronics, IncDescription: MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE24NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 80V 1A TO237
Packaging: Bag
Package / Case: TO-237AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-237
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 850 mW
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE240NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220N
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+859.52 грн
18+794.90 грн
28+520.71 грн
50+455.72 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE240NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO202N
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-202 Long Tab
Packaging: Bag
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-202N
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.68 грн
10+382.06 грн
20+361.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2401NTE Electronics, IncDescription: RF TRANS PNP 30V 450MHZ SOT23
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bag
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 60Hz ~ 149Hz
Frequency - Transition: 450MHz
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+65.09 грн
20+59.55 грн
30+56.41 грн
40+50.00 грн
50+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2402NTE Electronics, IncDescription: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 14mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 200mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2403NTE Electronics, IncDescription: RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT23
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Noise Figure (dB Typ @ f): 2.4dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 14mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 200mW
Gain: 18dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bag
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2404NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.12 грн
20+53.13 грн
30+50.37 грн
40+44.61 грн
50+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2405NTE ElectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Current gain: 4k
Frequency: 220MHz
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2405NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP DARL 30V 0.3A SOT23
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bag
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+78.35 грн
20+74.62 грн
50+65.83 грн
100+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2406NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+53.47 грн
20+48.88 грн
30+46.34 грн
40+41.04 грн
50+40.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2407NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2407NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+57.34 грн
20+52.46 грн
30+49.70 грн
40+44.05 грн
50+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2408NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bag
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+51.14 грн
20+46.79 грн
30+44.32 грн
40+39.29 грн
50+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2408NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2408NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin SOT-23
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.98 грн
25+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2409NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+51.92 грн
20+47.46 грн
30+45.00 грн
40+39.85 грн
50+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE241NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 80V 4A TO220
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 2.5MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bag
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.41 грн
10+90.29 грн
20+85.07 грн
50+75.63 грн
100+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2410NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2410NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+55.02 грн
20+50.29 грн
30+47.68 грн
40+42.23 грн
50+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2411NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 9496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.44 грн
20+55.29 грн
30+52.38 грн
40+46.43 грн
50+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2412NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 300V 0.1A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.12 грн
20+53.13 грн
30+50.37 грн
40+44.61 грн
50+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2413NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 300V 0.05A SOT23
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 5mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.12 грн
20+53.13 грн
30+50.37 грн
40+44.61 грн
50+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2414NTE Electronics, IncDescription: T-NPN SI WITH 10K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.44 грн
20+55.29 грн
30+52.38 грн
40+46.43 грн
50+45.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2415NTE Electronics, IncDescription: T-PNP SI WITH 10K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+55.02 грн
20+50.29 грн
30+47.68 грн
40+42.23 грн
50+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2416NTE ElectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+446.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2416NTE Electronics, IncDescription: T-NPN SI WITH 22K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+61.99 грн
20+56.71 грн
30+53.73 грн
40+47.62 грн
50+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2417NTE Electronics, IncDescription: T-PNP SI WITH 22K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+48.04 грн
20+43.95 грн
30+41.64 грн
40+36.91 грн
50+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2419NTE Electronics, IncDescription: T-PNP SI WITH 47K RES
Packaging: Bag
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+48.04 грн
20+43.95 грн
30+41.64 грн
40+36.91 грн
50+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE242NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 80V 4A TO220
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Frequency - Transition: 2.5MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bag
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+99.25 грн
20+94.02 грн
50+83.33 грн
100+81.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2426NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT89
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bag
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.71 грн
10+126.86 грн
20+120.14 грн
50+106.44 грн
100+104.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2426NTE Electronics, Inc.Trans Darlington NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+414.63 грн
37+386.23 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2427NTE Electronics, Inc.Trans Darlington NPN 80V 0.5A 1000mW
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+591.96 грн
26+551.77 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2427NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP DARL 80V 0.5A SOT89
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bag
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.03 грн
10+129.09 грн
20+122.38 грн
50+108.54 грн
100+105.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2427NTE ElectronicsCategory: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 1k
Mounting: SMD
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.93 грн
10+110.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2428NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT89
Packaging: Bag
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.53 грн
10+143.27 грн
20+135.81 грн
50+120.45 грн
100+117.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2429NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT PNP 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+971.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2429NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 80V 1A SOT89
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bag
Power - Max: 1 W
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.98 грн
10+170.14 грн
20+161.18 грн
50+142.86 грн
100+139.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE243NTE Electronics, Inc.Trans Darlington NPN 80V 8A 100000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE243NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN DARL 80V 8A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.12 грн
10+245.50 грн
20+232.07 грн
50+205.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE243NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE243 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2430NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 350V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+460.83 грн
33+430.38 грн
59+242.04 грн
103+133.47 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2430NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 350V 1A SOT89
Packaging: Bag
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.43 грн
10+140.29 грн
20+132.82 грн
50+117.65 грн
100+114.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2431NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 300V 1A SOT89
Packaging: Bag
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.96 грн
10+120.14 грн
20+113.42 грн
50+100.84 грн
100+98.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE244NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 80V 8A 100000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE244NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP DARL 80V 8A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.05 грн
10+399.97 грн
20+379.07 грн
50+335.44 грн
100+327.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE244NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE244 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE244NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 80V 8A 100000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE245NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE245 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE245NTE Electronics, Inc.Trans Darlington NPN 80V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+837.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE245NTE Electronics, Inc.Trans Darlington NPN 80V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE245NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN DARL 80V 10A TO3
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 10A
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.07 грн
10+421.61 грн
20+399.97 грн
50+354.35 грн
100+345.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE246NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 80V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE246NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP DARL 80V 10A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE246NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 80V 10A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.15 грн
10+169.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE246NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE246 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+514.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE247NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.56 грн
10+492.50 грн
20+467.13 грн
50+413.87 грн
100+404.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE247NTE Electronics, Inc.Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1122.80 грн
50+754.24 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE247NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE247 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE247NTEТранзистор NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 12А; 150Вт; TO3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE247NTE Electronics, Inc.Trans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE248NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE248NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.49 грн
10+455.19 грн
20+431.31 грн
50+382.36 грн
100+373.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE248NTE ELECTRONICSDescription: NTE ELECTRONICS - NTE248 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTE248NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]