Продукція > SI1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1072X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1072X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V SC89-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1072X-T1-GE3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI1073X-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | VISHAY | SOT26 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1073X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.75A; Idm: -8A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.75A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.33W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 188mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6 | на замовлення 20874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V | на замовлення 4304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 58 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1077X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 1.75A 6-Pin SC-89 T/R | на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 240mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.02A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.02A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 240mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | на замовлення 4792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| Si1078X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6 | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 1.02A 6-Pin SC-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1078X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.02A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm | на замовлення 3609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SC89-6 | на замовлення 10489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI1079X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.44 A, 0.083 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm | на замовлення 3609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1079X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 15 V | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1080-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1080-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray Part Status: Not For New Designs Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 20dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1080-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +20 dBm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1080-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Not For New Designs Serial Interfaces: I²C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 20dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1080-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 32 kB +20 dBm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI108049 | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI1081-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +20 dBm | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1081-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1081-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN Part Status: Not For New Designs Serial Interfaces: I²C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 20dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1081-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1081-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX 8KB 768B RAM 36QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1081-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 16kB +20dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1082-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1082-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 8 kB +13 dBm | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1082-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/-40 TO 85C/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN36, PRO2(A кількість в упаковці: 60 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1082-A-GM | Silicon Labs | Description: IC TXRX MCU 16KB 768B RAM 36QFN | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1082-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX 16KB 768B RAM 36QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1082-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 8kB +13dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1083-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Part Status: Last Time Buy Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1083-A-GM Код товару: 82314
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Мікроконтролери | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SI1083-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/-40 TO 85C/8KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN36, PRO2(AV кількість в упаковці: 60 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1083-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1083-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +13 dBm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1083-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1083-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1083-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +13 dBm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1083-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN DigiKey Programmable: Not Verified Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -126dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1083-A-GMR | Silicon Labs | QFN 36/-40 TO 85C/8KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN36, PRO2(AV кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1084-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 16kB Flash, 768B RAM Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -116dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray Part Status: Last Time Buy Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 500kbps DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1084-A-GM | Silicon Labs | QFN 36/I°/16KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR,EZRADIO SI1143 кількість в упаковці: 60 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1084-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 16KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1084-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 8 kB +13 dBm | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1084-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 8kB +13dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1084-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC TXRX 16KB 768B RAM 36QFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1085-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1085-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1085-A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Part Status: Last Time Buy Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 500kbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Type: TxRx + MCU Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -116dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1085-A-GM | Silicon Laboratories | MCU 8-bit 8051 CISC 8KB Flash 2.4V 36-Pin QFN EP Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1085-A-GM | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 16kB +13dBm | на замовлення 567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1085-A-GMR | Silicon Labs | QFN 36/-40 TO 85C/8KB, 768B RAM, +13 DBM, PROGRAMMABLE XCVR, QFN36, EZRADIO кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1085-A-GMR | Silicon Labs | RF Microcontrollers - MCU RF+MCU 8051 25MHz 16kB +13dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1085-A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36QFN Type: TxRx + MCU Memory Size: 8kB Flash, 768B RAM Frequency: 283MHz ~ 350MHz, 425MHz ~ 525MHz, 850MHz ~ 960MHz Mounting Type: Surface Mount Sensitivity: -116dBm Package / Case: 36-WFQFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified Serial Interfaces: I2C, SPI, UART RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK GPIO: 15 Supplier Device Package: 36-QFN (5x6) Current - Transmitting: 18mA ~ 29mA Data Rate (Max): 500kbps Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Power - Output: 13dBm Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1089 | SI | SOP-8 | на замовлення 4700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI109332 | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI10C065D2 | Diotec Semiconductor | D2PAK, 650V, 10A, 175C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI10C065D2-AQ | Diotec Semiconductor | D2PAK, 650V, 10A, 175C, AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI10N60B3 | IXYS | 09+ | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102-A-GM | Silicon Labs | Proximity Sensors Infrared proximity sensor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102-A-GM | Silicon Labs | ODFN 8/I°/Optical Proximity Detector SI1102 кількість в упаковці: 490 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102-A-GM | Silicon Laboratories | Proximity sensor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102-A-GM | Silicon Labs | Description: SENSOR OPT REFLECTIVE 50CM 8WDFN Current - Supply: 400 mA Sensing Object: Non-Metallic Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.25V Mounting Type: Surface Mount Sensing Method: Reflective Sensing Distance: 19.7" (50cm) 1.6' Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Packaging: Strip | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1102-A-GM | Silicon Laboratories | Proximity sensor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102-A-GMR | Silicon Laboratories | Proximity sensor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102-A-GMR | Silicon Labs | Description: SENSOR OPT REFLECTIVE 50CM 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Sensing Distance: 19.7" (50cm) 1.6' Sensing Method: Reflective Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.25V Sensing Object: Non-Metallic Part Status: Not For New Designs Current - Supply: 400 mA | на замовлення 31370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1102-A-GMR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI1102-A-GMR - Näherungssensor, Digital, 500 mm, Modul, 8 Pin(s), 2.2 V, 5.25 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Ausgang: Digital hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V Bauform - Sensor: Modul euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Erfassungsabstand: 500mm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1102-A-GMR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI1102-A-GMR - Näherungssensor, Digital, 500 mm, Modul, 8 Pin(s), 2.2 V, 5.25 V tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Ausgang: Digital hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.2V Bauform - Sensor: Modul euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Erfassungsabstand: 500mm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1102-A-GMR | Silicon Labs | Description: SENSOR OPT REFLECTIVE 50CM 8WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Sensing Distance: 19.7" (50cm) 1.6' Sensing Method: Reflective Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 2.2V ~ 5.25V Sensing Object: Non-Metallic Part Status: Not For New Designs Current - Supply: 400 mA | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1102-A-GMR | Silicon Labs | Proximity Sensors Optical Proximity Detector | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102-A-GMR | Silicon Labs | DFN 8/I°/Optical Proximity Detector SI1102 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102EK | Silicon Labs | Description: BOARD EVAL FOR SI1102 Packaging: Bulk Sensor Type: Proximity, Infrared Utilized IC / Part: Si1102 Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Obsolete | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SI1102EK | Silicon Labs | Optical Sensor Development Tools Si1102 Mini-Proximity Sensing Demo | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102EK | Silicon Labs | Si1102 Mini-Proximity Sensing Demo- Development Kits DEVELOP KIT кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1102EK | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI1102EK - Evaluationskit, Näherungssensor SI1102, Infrarot, Stromversorgung über CR2032-Batterie Prozessorkern: Si1102 Kit-Anwendungsbereich: Sensor Prozessorhersteller: Silicon Laboratories Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard Si1102, CR2032-Batterie Unterart Anwendung: Näherungssensor Produktpalette: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| Si11162 | SIEMENS | 04+ SOP | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1116A | на замовлення 1620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI1120-A-GM | Silicon Labs | Proximity Sensors Proximity + ambient light sensor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1120-A-GM | Silicon Laboratories | Proximity + ambient light sensor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1120-A-GM | Silicon Labs | SI1120-A-GM SI1120 кількість в упаковці: 490 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1120-A-GM | Silicon Laboratories | Proximity + ambient light sensor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SI1120-A-GM | Silicon Labs | Description: SENSOR OPT 530NM AMBIENT 8 VFDFN Packaging: Strip Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad Wavelength: 530nm Output Type: Analog, PWM, SPI Mounting Type: Surface Mount Type: Ambient Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.7V Supplier Device Package: 8-ODFN (3x3) Proximity Detection: Yes Part Status: Not For New Designs | на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

