Продукція > MMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 108 126 144 162 180 181  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBT6429LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5814+2.44 грн
18000+2.23 грн
27000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 5814 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6429LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 119424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9091+3.90 грн
10205+3.48 грн
100000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 9091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6429LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5137+2.76 грн
9000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 5137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6514LT1G
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6515Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23
на замовлення 262624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6515fsc
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6515Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6515ON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6515Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.2A SOT23
на замовлення 262624000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6515LT1G
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517MOTSOT-23
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517 BECEICMMBT6517 BEC
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517 BECEICMMBT6517 BEC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517/1Z
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1
Код товару: 85592
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1ON0824+
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
на замовлення 41079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
на замовлення 41079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1G 1Z.ON-SemiconductorNPN 100mA 350V 225mW 200MHz MMBT6517LT1G TMMBT6517
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT3ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
на замовлення 2000010000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
на замовлення 2893810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
на замовлення 2893810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6519LT1G
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520
Код товару: 30768
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520-2ZON
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1(2Z1)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1/2ZMOTO
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7026+5.05 грн
10000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 7026 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.57 грн
54+14.11 грн
55+13.95 грн
100+8.93 грн
250+8.18 грн
500+6.54 грн
1000+5.65 грн
3000+4.71 грн
6000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+4.42 грн
6000+4.13 грн
9000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
на замовлення 172826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
6000+3.75 грн
9000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1638+8.66 грн
1656+8.56 грн
1859+7.63 грн
2219+6.16 грн
3000+4.84 грн
6000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 1638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G
Код товару: 147958
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3927 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.21 грн
25+12.25 грн
100+7.63 грн
500+5.29 грн
1000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
6000+5.29 грн
12000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GOn SemiconductorTRANS PNP 350V 0.5A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3onsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3(2Z1)
на замовлення 13037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520XLT1
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.99 грн
13+23.83 грн
100+14.84 грн
500+9.53 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 40V NPN
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100mA 40V NPN
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6543
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6543(3F)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589MOTO
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589LT1
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1onsemiBipolar Transistors - BJT High Current Surface Mount PNP Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1ON02+ SOT-163
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A 6TSOP
Power - Max: 540 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 2959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 540 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1G
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7000
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7001K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002-MLMOSLEADERDescription: 0.2W 60V 0.12A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.83 грн
1000+2.48 грн
3000+1.91 грн
6000+1.74 грн
9000+1.68 грн
15000+1.60 грн
30000+1.47 грн
75000+1.34 грн
150000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT-23 N 60V 0.3A 2OHM
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 350mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.115A, 150C, N
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 0.8A
Drain current: 0.115A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.29 грн
40+10.76 грн
58+7.30 грн
100+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2090+6.79 грн
2476+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 2090 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.71 грн
32+9.46 грн
100+8.27 грн
500+6.61 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.79 грн
6000+4.00 грн
9000+3.13 грн
27000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTECTransistor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,3A; 0,35W; N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate MMBT7002K DIOTEC TMMBT7002k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.24 грн
80+5.30 грн
123+3.44 грн
500+2.56 грн
1000+2.23 грн
3000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3465+4.09 грн
4374+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2825+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 2825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.43 грн
55+5.52 грн
100+3.41 грн
500+2.32 грн
1000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.28 грн
94+8.12 грн
151+5.02 грн
500+3.53 грн
1000+2.66 грн
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 19135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 108 126 144 162 180 181  [ Наступна Сторінка >> ]