Продукція > MMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 102 119 136 153 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MMBT6517LT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
на замовлення 41079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
на замовлення 41079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT1G 1Z.ON-SemiconductorNPN 100mA 350V 225mW 200MHz MMBT6517LT1G TMMBT6517
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT3ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
на замовлення 2893810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
на замовлення 2893810000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6517LT3GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
на замовлення 2000010000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6519LT1G
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520
Код товару: 30768
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520-2ZON
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1ON SemiconductorDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1(2Z1)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1/2ZMOTO
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
на замовлення 172826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.04 грн
30+10.88 грн
100+6.14 грн
500+4.90 грн
1000+4.42 грн
3000+2.97 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G
Код товару: 147958
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
25+12.12 грн
100+7.55 грн
500+5.23 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3927 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.39 грн
6000+5.29 грн
12000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GOn SemiconductorTRANS PNP 350V 0.5A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7026+5.05 грн
10000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 7026 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.57 грн
54+14.11 грн
55+13.95 грн
100+8.93 грн
250+8.18 грн
500+6.54 грн
1000+5.65 грн
3000+4.71 грн
6000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
6000+3.70 грн
9000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+4.42 грн
6000+4.13 грн
9000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1638+8.66 грн
1656+8.56 грн
1859+7.63 грн
2219+6.16 грн
3000+4.84 грн
6000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 1638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.84 грн
60+13.61 грн
100+8.86 грн
500+6.21 грн
1500+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3onsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3(2Z1)
на замовлення 13037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520XLT1
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 40V NPN
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.20 грн
13+25.64 грн
100+8.42 грн
1000+6.42 грн
3000+4.90 грн
9000+4.42 грн
24000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100mA 40V NPN
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
13+23.56 грн
100+14.67 грн
500+9.42 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6543
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6543(3F)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589MOTO
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589LT1
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1ON02+ SOT-163
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1onsemiBipolar Transistors - BJT High Current Surface Mount PNP Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 540 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1G
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A 6TSOP
Power - Max: 540 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 2959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7000
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002-MLMOSLEADERDescription: 0.2W 60V 0.12A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.80 грн
1000+2.45 грн
3000+1.89 грн
6000+1.72 грн
9000+1.67 грн
15000+1.59 грн
30000+1.46 грн
75000+1.32 грн
150000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT-23 N 60V 0.3A 2OHM
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate charge: 1.1nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.115A, 150C, N
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.85 грн
38+8.49 грн
100+5.18 грн
500+3.66 грн
1000+3.31 грн
3000+2.49 грн
9000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2090+6.79 грн
2476+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 2090 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
32+9.35 грн
100+8.17 грн
500+6.53 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.21 грн
42+10.05 грн
61+6.83 грн
100+5.70 грн
500+3.62 грн
1000+3.07 грн
3000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.26 грн
91+4.57 грн
138+3.02 грн
500+2.32 грн
1000+2.04 грн
3000+1.67 грн
6000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+9.99 грн
122+6.61 грн
194+4.16 грн
500+2.78 грн
1000+2.24 грн
5000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 54000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.99 грн
122+6.61 грн
194+4.16 грн
500+2.78 грн
1000+2.24 грн
5000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.02 грн
55+5.87 грн
100+3.18 грн
500+2.35 грн
1000+2.00 грн
3000+1.45 грн
9000+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3349+4.23 грн
6000+3.34 грн
9000+2.92 грн
27000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 3349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3732+3.80 грн
4546+3.12 грн
6000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
55+5.46 грн
100+3.37 грн
500+2.29 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K K72DIOTECTransistor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,3A; 0,35W; N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate MMBT7002K DIOTEC TMMBT7002k
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.87 грн
49+6.13 грн
100+3.78 грн
500+2.58 грн
1000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 19579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.11 грн
49+6.59 грн
100+3.59 грн
500+2.62 грн
1000+2.35 грн
3000+1.59 грн
24000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.32 грн
108+7.46 грн
175+4.61 грн
500+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.05 грн
84+4.99 грн
133+3.14 грн
500+2.19 грн
1000+1.84 грн
3000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.32 грн
108+7.46 грн
175+4.61 грн
500+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-QDiotec SemiconductorMOSFET Field Effect Transistor (MOSFETs), SOT-23, 60V, 0.3A, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 0.44nC
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.11 грн
40+10.64 грн
100+6.55 грн
500+4.56 грн
1000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.68 грн
111+7.30 грн
500+5.00 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorSMD MOSFET
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1662+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 1662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.57 грн
100+5.98 грн
500+4.11 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.25 грн
69+11.68 грн
111+7.30 грн
500+5.00 грн
1000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 7276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.69 грн
25+12.94 грн
100+9.46 грн
500+7.52 грн
1000+6.56 грн
3000+4.97 грн
9000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
31+9.87 грн
100+6.14 грн
500+4.23 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+20.78 грн
56+14.58 грн
100+12.24 грн
500+9.05 грн
1000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorMMBT7002KDW-AQ
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2526+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 2526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
Gate charge: 0.44nC
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
64+6.56 грн
100+4.37 грн
500+3.34 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 102 119 136 153 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]