Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF9393Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+51.92 грн
284+49.84 грн
500+48.05 грн
1000+44.82 грн
2500+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesIRF9393TRPBFXTMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTR1PBFInfineon / IRMOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
на замовлення 133660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
500+138.77 грн
1000+128.18 грн
10000+109.93 грн
100000+85.29 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInfineon / IRMOSFET DUAL P-CH -30V 7mOhms 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 57W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MC
на замовлення 154381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+109.88 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
500+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
на замовлення 15386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
500+138.77 грн
1000+128.18 грн
10000+109.93 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInfineon technologies
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.06 грн
500+138.77 грн
1000+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410International RectifierN-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
95+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRIR09+
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF949T E6700INFINEONSOT423-RI
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF949T E6700 SOT423-RIINFINEON
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF949TE6700SOT423-RIINFINEON
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510HARRISIRF9510
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.09 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; IRF9510 TIRF9510
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510
Код товару: 57715
1 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Id, А: 4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 200/8,7
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+19.00 грн
10+17.20 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510HARRISIRF9510
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.09 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 511 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.88 грн
13+32.72 грн
50+30.38 грн
100+29.29 грн
250+27.28 грн
500+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+56.90 грн
285+49.66 грн
500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+64.96 грн
302+46.79 грн
500+40.60 грн
1000+35.56 грн
2000+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.73 грн
32+23.91 грн
100+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.78 грн
12+65.13 грн
100+46.91 грн
500+39.25 грн
1000+33.01 грн
2000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.58 грн
50+78.26 грн
100+70.25 грн
500+52.73 грн
1000+48.49 грн
2000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.45 грн
228+61.90 грн
309+45.77 грн
500+38.64 грн
1000+32.68 грн
2000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
на замовлення 76409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+230.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.18 грн
50+82.48 грн
100+74.09 грн
500+55.74 грн
1000+51.31 грн
2000+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+230.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510R4941Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510S
Код товару: 51368
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.08 грн
10+122.91 грн
100+84.54 грн
500+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.45 грн
98+144.88 грн
108+131.71 грн
250+111.77 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+157.70 грн
10+108.78 грн
50+87.86 грн
100+80.33 грн
250+71.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 4.0 Amp
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9510SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRL
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.08 грн
10+122.91 грн
100+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 100V 4.0 Amp
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9510STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRRIORTO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRRPBFVishay / BC ComponentsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9511Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9512Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9512HARRISIRF9512
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.12 грн
515+68.52 грн
1000+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520HARRISIRF9520
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
500+118.78 грн
1000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520
Код товару: 57604
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100
Струм стоку Id, А: 6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,600 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 300/16
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 6A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520; IRF9520; IRF9520 TIRF9520
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9520HARRISIRF9520
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
500+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]