Продукція > BQ4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BQ4010LYMA-70N | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 3.3V 28-Pin DIP Module | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010LYMA-70N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 64Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010LYMA-70N | TI | 08+; | на замовлення 52400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-100 | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-120 | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-150 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-150 | TI | 08+; | на замовлення 52400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-150 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010MA-150 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010MA-200 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010MA-200 | TI | 08+; | на замовлення 324000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-200 | Benchmarq | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 64Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube Memory Organization: 8K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) | на замовлення 2342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010MA-200 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 64Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) | на замовлення 3046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010MA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-70 | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-85 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010MA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 64Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010MA-85 | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-100 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-100N | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-120 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-120N | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-150 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2044 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-150 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-150 | TI | 08+; | на замовлення 23000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-150N | TI | 08+; | на замовлення 456520 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-150N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-200 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 64Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | на замовлення 1426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010YMA-200 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010YMA-200 | TI | 08+; | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-200 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-200N | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010YMA-70 | TI | 08+; | на замовлення 205200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-70N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-70N | TI | 08+; | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-70N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 64Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010YMA-85 | TI | 08+; | на замовлення 25400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-85 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010YMA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010YMA-85 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 64Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-85N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8K x 8 Access Time: 85 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 64Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4010YMA-85N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-85N | TI | 08+; | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4010YMA-85N | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin DIP Module | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011LYMA-70N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011LYMA-70N | TI | 08+; | на замовлення 21500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-100 | Texas Instruments | Статическая память (SRAM), енергонезавис. (32k x 8 bit, 100ns, Vs=4.5-5.5V, , 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-100 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-100 | TI | 08+; | на замовлення 205200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-120 | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-150 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011MA-150 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-150 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module | на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011MA-150 | TI | 08+; | на замовлення 15200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-200 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) DigiKey Programmable: Not Verified Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-200 | TI | 08+; | на замовлення 25400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-200 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011MA-70 | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011MA-85 | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA | BENCHMARQ | 01+ DIP28 | на замовлення 61 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-100 | Texas Instruments | NVRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-100 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-100 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-100 м/з Код товару: 67073
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BQ4011YMA-100N | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-120 | TI | DIP 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-120N | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-150 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011YMA-150 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-150 | TI | 08+; | на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-150 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011YMA-150N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011YMA-150N | TI | 08+; | на замовлення 15500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-150N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 42 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-200 | TI | 08+; | на замовлення 25400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-200 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-200 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011YMA-200 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 200 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011YMA-200N | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-70 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module | на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011YMA-70 | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-70 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube | на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4011YMA-70N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-70N | TI | 08+; | на замовлення 54650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-85 | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA-85N | TI | DIP-28 08+09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4011YMA100 | TI | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BQ4013LYMA-70N | TI | 08+; | на замовлення 23000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4013LYMA-70N | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32-Pin DIP Module | на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4013LYMA-70N | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4013LYMA-70N | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32-Pin DIP Module | на замовлення 1019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4013MA-120 | Benchmarq | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4013MA-120 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4013MA-120 | TI | 08+; | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BQ4013MA-120 | Texas Instruments | Description: IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.610", 15.49mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-DIP Module (18.42x42.8) Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BQ4013MA-120 | Texas Instruments | NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

