Продукція > BSG
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSG 220 | PROXXON | Description: PROXXON - BSG 220 - Bohrerschärfgerät, 3mm-13mm, EU-Stecker tariffCode: 84603900 productTraceability: No Breite: - Oberflächenbeschaffenheit: - rohsCompliant: NA Länge: - euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG CL KPT KSP SR-22 | ITT Cannon | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT T101 COMMERCIAL | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG-SMOA-U | Carlo Gavazzi | Smoke Detectors SMOKE DETECTOR WITHOUT BATTERY BACKUP SMART-DUP.R4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG/C ADPT MS39056-8-C50 | ITT Industries | Standard circular Connection | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0810NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 | на замовлення 7490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0810NDIATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0810NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 9958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0810NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0810NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0810NDIATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811ND | Infineon Technologies | BSG0811ND | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811ND | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 44029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active | на замовлення 4573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 5567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R | на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R | на замовлення 302703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0812NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0812NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0812NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0812NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSG0812NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 8TISON Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0813NDIATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG0813NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
BSG33125 | N/A | на замовлення 154 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BSG3701-01 Код товару: 186525
Додати до обраних
Обраний товар
| Оптоелектроніка > Семисегментні індикатори (цифрові та літерні) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BSG3701-01 | LCD, Segment, 9 вісімок та крапки, 37.0х14.80, драйвер ML1001-2, аналог TIC33, підсвічування - ні | на замовлення 789 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||
BSGH851SMBLK | HEAT HOLDERS | Description: HEAT HOLDERS - BSGH851SMBLK - HEAT HOLDERS GLOVES - BLACK S/M tariffCode: 61161020 Handschuhmaterial: Acryl, Polyester productTraceability: No Handschuhfarbe: Schwarz Handschuhform: Fingerhandschuhe rohsCompliant: NA euEccn: NLR Handschuhgröße: S/M hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Sicherheitseinstufung: - Produktpalette: Heat Holders - Thermal Gloves SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSGH852SMYEL | HEAT HOLDERS | Description: HEAT HOLDERS - BSGH852SMYEL - HEAT HOLDERS GLOVES - YELLOW S/M tariffCode: 61161020 Handschuhmaterial: Acryl, Polyester productTraceability: No Handschuhfarbe: Gelb Handschuhform: Fingerhandschuhe rohsCompliant: NA euEccn: NLR Handschuhgröße: S/M hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Sicherheitseinstufung: - | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSGH853SMORN | HEAT HOLDERS | Description: HEAT HOLDERS - BSGH853SMORN - HEAT HOLDERS GLOVES - ORANGE S/M tariffCode: 61161020 Handschuhmaterial: Acryl, Polyester productTraceability: No Handschuhfarbe: Orange Handschuhform: Fingerhandschuhe rohsCompliant: NA euEccn: NLR Handschuhgröße: S/M hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Sicherheitseinstufung: - Produktpalette: Heat Holders - Thermal Gloves SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSGHH91MLBLK | HEAT HOLDERS | Description: HEAT HOLDERS - BSGHH91MLBLK - THERMAL GLOVES, HEAT HOLDER, BLK, M/L tariffCode: 61161020 Handschuhmaterial: Acryl, Thinsulate productTraceability: No Handschuhfarbe: Schwarz Handschuhform: Fingerhandschuhe rohsCompliant: NA euEccn: NLR Handschuhgröße: M/L hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Sicherheitseinstufung: - Produktpalette: Heat Holders - Thermal Gloves SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSGHH91SMBLK | HEAT HOLDERS | Description: HEAT HOLDERS - BSGHH91SMBLK - THERMAL GLOVES, HEAT HOLDER, BLK, S/M tariffCode: 61161020 Handschuhmaterial: Acryl, Thinsulate productTraceability: No Handschuhfarbe: Schwarz Handschuhform: Fingerhandschuhe rohsCompliant: NA euEccn: NLR Handschuhgröße: S/M hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Sicherheitseinstufung: - Produktpalette: Heat Holders - Thermal Gloves SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
BSGSS/U902 | 09+ | на замовлення 608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BSGSS/U902 | на замовлення 608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
BSGSS/U902(99422-281-01) | MOT | на замовлення 608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BSGSSU902 | MOT | на замовлення 608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |