Продукція > CUH
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CUH-41-30010 | TE Connectivity / Agastat | Time Delay & Timing Relays RELAY TIME DELAY DPDT 10A 24VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUH-41-30010 | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TIME DELAY 10SEC 10A 277V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUH-41-30120 | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TIME DELAY 120SEC 10A 277V Packaging: Bulk Delay Time: 1 Sec ~ 120 Sec Mounting Type: Socketable Function: On-Delay Circuit: DPDT (2 Form C) Termination Style: Plug In Voltage - Supply: 24VDC Contact Rating @ Voltage: 10A @ 277VAC Relay Type: Mechanical Relay Timing Adjustment Method: External Resistor Timing Initiate Method: Input Voltage Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUH-41-30120 | TE Connectivity / Agastat | Time Delay & Timing Relays DPDT 2 FORM C 2C/O TIME DELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUH-42-30010 | TE Connectivity / Agastat | Time Delay & Timing Relays RELAY TIME DELAY DPDT 10A 24VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUH-42-30010 | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays | Description: RELAY TIME DELAY 10SEC 10A 277V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUH38004 | Hoffman Enclosures, Inc. | Description: ROOF COOLING UNIT 3800W Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHD005B-F01 | N/A | 08+ | на замовлення 1582 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS10F60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V | на замовлення 5577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS10F60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 60 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS10F60,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF | на замовлення 8540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS10F60H3F(A | Toshiba | Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS15F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F30,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SINGLE 30V | на замовлення 2329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V | на замовлення 8650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F30,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS15F30,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1.5 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 520 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 520mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F30,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS15F30,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1.5 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 520 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 520mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F40,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers RECT 40V US2H-2 | на замовлення 19507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V | на замовлення 12015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F40,H3F(A | Toshiba | Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS15F40,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS15F40,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1.5 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 630 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 630mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F40,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS15F40,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1.5 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 630 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 630mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15F60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS15F60,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTKY VR:60V, IO:1.5A | на замовлення 4733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V | на замовлення 41492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S30,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers RECT 30V US2H | на замовлення 60032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S30,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS15S30,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1.5 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 430 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 430mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S30,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS15S30,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1.5 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 430 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 430mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V | на замовлення 5741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S40,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SINGLE 40V | на замовлення 5961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS15S60,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTKY VR:60V, IO:1.5A | на замовлення 5546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS15S60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1.5A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 450 µA @ 60 V | на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F30,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 2A 30V 380pF | на замовлення 25584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 30 V | на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F30,H3F(A | Toshiba | Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS20F30,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS20F30,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 470 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 470mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F30,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS20F30,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 470 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 470mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F40,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 2A 40V 300pF | на замовлення 9036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 540 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 40 V | на замовлення 26254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F40,H3F(T | Toshiba | Diode Small Signal Schottky 2A 2-Pin US-H | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F40H3F(T | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS20F60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20F60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 590 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS20F60,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTKY VR=60V, IO=2A | на замовлення 7734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 390pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V | на замовлення 11840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S30,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 2A 30V 390pF | на замовлення 56004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S30,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 390pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S30,H3F(A | Toshiba | Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS20S30,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS20S30,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 2 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 410 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 410mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 1610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S40,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers Sml-Signal Schottky 2A 40V 290pF | на замовлення 15707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V | на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S40,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS20S40,H3F(A | Toshiba | Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS20S60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS20S60,H3F | Toshiba | Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTKY VR=60V, IO=2A | на замовлення 12133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S60,H3F | Toshiba | Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 2A 2-Pin US-H | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHS20S60,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 290pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: US2H Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 530 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 60 V | на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S60,H3F(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - CUHS20S60,H3F(T - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 2 A, Einfach, SOD-323HE, 2 Pin(s), 530 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323HE Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 530mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHS20S60,H3F(T | Toshiba | CUHS20S60,H3F(T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHZ12V,H3F | Toshiba | Zener Diodes 12 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 5102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ12V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 12VWM 13.6VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 280pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 60A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.6V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ12V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 12VWM 13.6VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 280pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 60A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.6V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No Part Status: Active | на замовлення 8607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ16V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 16VWM 17VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 210pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 42A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 15.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No | на замовлення 3294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ16V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 16VWM 17VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 210pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 42A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 15.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ16V,H3F | Toshiba | Zener Diodes 16 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 4981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ20V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 20VWM 20.6VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 18.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No | на замовлення 10851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ20V,H3F | Toshiba | Zener Diodes 20 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 18252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ20V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 20VWM 20.6VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 180pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 36A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 18.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20.6V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ20V,H3F(T | Toshiba | Dioden (andere als Fotodioden und Leuchtdioden ""LED"") ZENER DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHZ24V,H3F | Toshiba | Zener Diodes 24 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ24V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 22.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No Part Status: Active | на замовлення 4224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ24V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 24VWM 25.5VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 22.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.5V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ30V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 30VWM 33.8VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 28V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.8V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHZ30V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 30VWM 33.8VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 125pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 26A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 28V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.8V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ30V,H3F | Toshiba | Zener Diodes 30 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 6633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ36V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 36VWM 41.2VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 34V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.2V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ36V,H3F | Toshiba | Zener Diodes 36 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ36V,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 36VWM 41.2VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 105pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 34V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 41.2V (Typ) Power - Peak Pulse: 2100W (2.1kW) Power Line Protection: No | на замовлення 6907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ5V6,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ) Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW) Power Line Protection: No | на замовлення 19250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ5V6,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 5.6VWM 5.7VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 860pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 91A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.6V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 5.7V (Typ) Power - Peak Pulse: 1750W (1.75kW) Power Line Protection: No | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ5V6,H3F | Toshiba | Zener Diodes 5.6 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 109319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ6V2,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 6.2VWM 6.1VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 735pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 6.1V (Typ) Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW) Power Line Protection: No Part Status: Active | на замовлення 5507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ6V2,H3F | Toshiba | Zener Diodes 6.2 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ6V2,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 6.2VWM 6.1VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 735pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 87A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.2V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 5.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 6.1V (Typ) Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW) Power Line Protection: No Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ6V8,H3F | Toshiba | Zener Diodes 6.8 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ6V8,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 6.8VWM 7.2VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 585pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 73A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ) Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW) Power Line Protection: No | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ6V8,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 6.8VWM 7.2VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 585pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 73A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.8V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.2V (Typ) Power - Peak Pulse: 1800W (1.8kW) Power Line Protection: No | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
CUHZ8V2,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 8.2VWM 8.5VC US2H Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 7.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ) Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW) Power Line Protection: No | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ8V2,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TVS DIODE 8.2VWM 8.5VC US2H Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: 150°C (TJ) Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 450pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 68A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.2V Supplier Device Package: US2H Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 7.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.5V (Typ) Power - Peak Pulse: 1900W (1.9kW) Power Line Protection: No | на замовлення 8695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
CUHZ8V2,H3F | Toshiba | Zener Diodes 8.2 V Zener Diode, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1.2V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|