Продукція > DMW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMWHoneywellSensor Fixings & Accessories FEMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-02-V0Adam TechDescription: CONNECTOR, WIRE TO WIRE HOUSING,
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10InterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10 BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10EInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10E BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10GKInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10GK BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10PPInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10PP BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW2013UFDEQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWC3770MTripp LiteMounting Fixings DMWC3770M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWKZLumberg AutomationSpanners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMBTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers Black Frame
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMBTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2923.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMWTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2923.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMWTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers White Frame
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1605.91 грн
10+1582.09 грн
30+1039.06 грн
60+918.17 грн
120+900.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 37.2A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1543.62 грн
30+937.25 грн
120+875.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H23SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2218.28 грн
10+1827.58 грн
120+1389.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2924.38 грн
10+2561.43 грн
30+2078.13 грн
60+2013.09 грн
120+1947.29 грн
270+1817.98 грн
510+1671.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2218.28 грн
10+1827.58 грн
120+1389.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156.3 nC @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2457.51 грн
30+1882.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1367.57 грн
10+1078.77 грн
120+811.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1367.57 грн
10+1078.77 грн
120+811.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+737.34 грн
10+550.83 грн
100+398.64 грн
500+355.03 грн
1000+332.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+452.96 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+591.43 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+891.77 грн
10+716.25 грн
100+518.00 грн
500+462.15 грн
1000+431.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
на замовлення 5070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.43 грн
30+530.79 грн
120+489.45 грн
510+437.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+867.67 грн
10+668.73 грн
120+484.34 грн
510+431.54 грн
1020+403.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1076.56 грн
10+791.92 грн
120+594.52 грн
510+563.15 грн
1020+526.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.04 грн
30+640.78 грн
120+602.38 грн
510+554.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 120320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.43 грн
30+530.79 грн
120+489.45 грн
510+437.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+867.67 грн
10+668.73 грн
120+484.34 грн
510+431.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+970.04 грн
30+641.76 грн
120+488.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1027.46 грн
10+696.01 грн
120+526.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4Diodes Incorporated SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4QDiodes Incorporated SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.