НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMWHoneywellSensor Fixings & Accessories FEMA
товар відсутній
DMW-BLD10InterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
DMW-BLD10 BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
DMW-BLD10EInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
DMW-BLD10E BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
DMW-BLD10GKInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
DMW-BLD10GK BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
DMW-BLD10PPInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
DMW-BLD10PP BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товар відсутній
DMW2013UFDEQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товар відсутній
DMWKZLumberg AutomationSpanners
товар відсутній
DMWP811VESAMBTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2761.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMWP811VESAMBTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers Black Frame
товар відсутній
DMWP811VESAMWTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2761.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMWP811VESAMWTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers White Frame
товар відсутній
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedMOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1585.34 грн
10+ 1376.5 грн
30+ 1164.43 грн
60+ 1099.38 грн
120+ 1034.33 грн
270+ 1002.52 грн
510+ 937.47 грн
DMWS120H100SM4Diodes IncTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 37.2A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1479.31 грн
30+ 1153.17 грн
120+ 1085.34 грн
510+ 923.06 грн
DMWSH120H23SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товар відсутній
DMWSH120H28SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2130.93 грн
10+ 1866.92 грн
30+ 1514.27 грн
60+ 1466.56 грн
120+ 1418.86 грн
270+ 1324.17 грн
510+ 1217.92 грн
DMWSH120H28SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2704.36 грн
10+ 2368.98 грн
30+ 1921.93 грн
60+ 1861.21 грн
120+ 1800.49 грн
270+ 1681.23 грн
510+ 1546.07 грн
DMWSH120H28SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товар відсутній
DMWSH120H28SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2130.93 грн
10+ 1866.92 грн
30+ 1514.27 грн
60+ 1466.56 грн
120+ 1418.86 грн
270+ 1324.17 грн
510+ 1217.92 грн
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156.3 nC @ 15 V
товар відсутній
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedMOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2703.51 грн
10+ 2368.15 грн
30+ 1921.2 грн
60+ 1861.21 грн
120+ 1800.49 грн
270+ 1681.23 грн
510+ 1546.07 грн
DMWSH120H28SM4QDiodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товар відсутній
DMWSH120H43SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1269.12 грн
10+ 1102.2 грн
30+ 933.13 грн
60+ 879.65 грн
120+ 828.33 грн
270+ 802.31 грн
510+ 750.99 грн
DMWSH120H43SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товар відсутній
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+666.18 грн
10+ 578.53 грн
50+ 427.17 грн
100+ 407.66 грн
250+ 383.08 грн
500+ 359.23 грн
1000+ 323.09 грн
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+866.03 грн
10+ 752.25 грн
50+ 555.11 грн
100+ 529.09 грн
250+ 498.01 грн
500+ 466.93 грн
1000+ 419.95 грн
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+809.54 грн
10+ 683.26 грн
30+ 539.21 грн
120+ 494.4 грн
270+ 465.48 грн
510+ 436.57 грн
1020+ 392.48 грн
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+647.6 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+931.81 грн
10+ 809.61 грн
30+ 684.49 грн
60+ 646.18 грн
120+ 607.87 грн
270+ 589.08 грн
510+ 551.5 грн
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+809.54 грн
10+ 683.26 грн
30+ 539.21 грн
120+ 494.4 грн
270+ 465.48 грн
510+ 436.57 грн
1020+ 392.48 грн
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1538.73 грн
10+ 1305.56 грн
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+903.14 грн
10+ 845.35 грн
30+ 684.49 грн
60+ 646.18 грн
120+ 590.53 грн
270+ 589.08 грн
510+ 534.15 грн