Продукція > DMW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMWHoneywellSensor Fixings & Accessories FEMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10InterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10 BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10EInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10E BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10GKInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10GK BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10PPInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10PP BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW2013UFDEQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWKZLumberg AutomationSpanners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMBTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers Black Frame
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMBTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2811.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMWTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2811.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMWTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers White Frame
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1484.19 грн
30+901.16 грн
120+841.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 37.2A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1544.07 грн
10+1521.17 грн
30+999.06 грн
60+882.82 грн
120+865.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H23SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2215.26 грн
10+1940.80 грн
30+1574.36 грн
60+1525.07 грн
120+1475.04 грн
270+1377.20 грн
510+1266.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2811.78 грн
10+2462.81 грн
30+1998.11 грн
60+1935.58 грн
120+1872.31 грн
270+1747.98 грн
510+1607.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2215.26 грн
10+1940.80 грн
30+1574.36 грн
60+1525.07 грн
120+1475.04 грн
270+1377.20 грн
510+1266.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156.3 nC @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2362.89 грн
30+1809.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1319.20 грн
10+1146.38 грн
30+970.36 грн
60+915.19 грн
120+860.75 грн
270+834.26 грн
510+780.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1275.43 грн
10+1037.24 грн
30+842.36 грн
60+806.31 грн
120+774.67 грн
270+736.42 грн
510+704.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+692.64 грн
10+601.53 грн
50+443.62 грн
100+423.75 грн
250+398.74 грн
500+372.99 грн
1000+336.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.35 грн
10+781.74 грн
50+577.51 грн
100+550.29 грн
250+517.92 грн
500+485.55 грн
1000+437.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+659.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+841.13 грн
10+710.67 грн
30+560.59 грн
120+514.24 грн
270+484.08 грн
510+453.92 грн
1020+408.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.02 грн
10+841.80 грн
30+711.40 грн
60+671.68 грн
120+631.95 грн
270+612.09 грн
510+573.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+841.13 грн
10+710.67 грн
30+560.59 грн
120+514.24 грн
270+484.08 грн
510+453.92 грн
1020+408.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+990.47 грн
10+968.71 грн
30+626.80 грн
60+544.40 грн
120+509.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.15 грн
10+1328.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.