Продукція > DMW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMWHoneywellSensor Fixings & Accessories FEMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-02-V0Adam TechDescription: CONNECTOR, WIRE TO WIRE HOUSING,
Packaging: Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-04Adam TechDescription: CONNECTOR, WIRE TO WIRE HOUSING,
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-06-V0Adam TechDescription: 4.14MM LATCHING HSG M 6P WIRE V-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10InterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10 BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10EInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10E BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10GKInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10GK BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10PPInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10PP BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Part Status: Active
Accessory Type: Replacement Battery
Packaging: Retail Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW2013UFDEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWC3770MTripp LiteMounting Fixings DMWC3770M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWKZLumberg AutomationSpanners
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+37777.18 грн
5+35832.32 грн
10+30640.09 грн
25+30636.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMBTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2743.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMBTripp LiteMounting Fixings DMWP811VESAMB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMWTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers White Frame
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMWTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2743.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.00 грн
30+823.48 грн
120+769.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1400.59 грн
10+929.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H18HM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H18HM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H18HM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H23SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2001.41 грн
10+1648.91 грн
120+1253.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H23SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SCT7QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2001.41 грн
10+1648.91 грн
120+1253.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2442.77 грн
10+2091.91 грн
120+1591.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2001.41 грн
10+1648.91 грн
120+1253.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156.3 nC @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2284.91 грн
10+1725.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H37SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H37SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1214.54 грн
10+743.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H37SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1233.87 грн
10+973.31 грн
120+731.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1233.87 грн
10+973.31 грн
120+731.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H80SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H80SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+425.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+665.26 грн
10+426.32 грн
100+303.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+554.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+804.59 грн
10+531.11 грн
100+394.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.85 грн
10+603.36 грн
120+436.99 грн
510+389.35 грн
1020+363.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
на замовлення 5070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+741.69 грн
30+498.06 грн
120+459.27 грн
510+410.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.21 грн
30+601.26 грн
120+565.23 грн
510+520.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.31 грн
10+714.50 грн
120+536.39 грн
510+508.09 грн
1020+474.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.85 грн
10+603.36 грн
120+436.99 грн
510+389.35 грн
1020+363.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 120320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+741.69 грн
30+498.06 грн
120+459.27 грн
510+410.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.21 грн
30+602.18 грн
120+458.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+927.01 грн
10+627.97 грн
120+474.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+196.57 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.15 грн
10+208.00 грн
120+166.37 грн
510+161.54 грн
1020+156.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH170H850HM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.