Продукція > DMW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DMWHoneywellSensor Fixings & Accessories FEMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-02-V0Adam TechDescription: CONNECTOR, WIRE TO WIRE HOUSING,
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10InterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10 BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10EInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10E BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10GKInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10GK BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10PPInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW-BLD10PP BATTERYInterlightDescription: Replacement for Panasonic DMW-BL
Packaging: Retail Package
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMW2013UFDEQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6/SWP T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWC3770MTripp LiteMounting Fixings DMWC3770M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWKZLumberg AutomationSpanners
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMBTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2843.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMBTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers Black Frame
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMWTripp LiteMounting Fixings Tripp Lite Magnetic Dry-Erase Whiteboard with Stand, 3 Markers White Frame
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWP811VESAMWTripp LiteDescription: MAGNETIC DRY-ERASE WHITEBOARD WI
Packaging: Bulk
Type: Whiteboard
Specifications: 11.5" L x 8.5" W, Magnetic
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2843.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1561.82 грн
10+1538.65 грн
30+1010.54 грн
60+892.97 грн
120+875.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1501.24 грн
30+911.52 грн
120+851.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4Diodes IncTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 37.2A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H23SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2240.72 грн
10+1963.11 грн
30+1592.46 грн
60+1542.60 грн
120+1492.00 грн
270+1393.03 грн
510+1280.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2844.10 грн
10+2491.11 грн
30+2021.08 грн
60+1957.83 грн
120+1893.83 грн
270+1768.07 грн
510+1625.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2240.72 грн
10+1963.11 грн
30+1706.31 грн
120+1492.00 грн
270+1393.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedDescription: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156.3 nC @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2390.05 грн
30+1830.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H28SM4QDiodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1334.36 грн
10+1159.55 грн
30+981.52 грн
60+925.71 грн
120+870.64 грн
270+843.85 грн
510+789.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM4Diodes IncSiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H43SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1290.09 грн
10+1049.16 грн
30+852.04 грн
60+815.58 грн
120+783.58 грн
270+744.88 грн
510+712.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+700.61 грн
10+635.83 грн
50+468.81 грн
100+428.62 грн
500+377.28 грн
1000+340.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+440.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.70 грн
10+825.81 грн
50+610.19 грн
100+556.62 грн
250+523.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+575.19 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SCT7Q-13Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
на замовлення 5070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.73 грн
30+516.22 грн
120+476.02 грн
510+425.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+850.80 грн
10+718.84 грн
120+520.15 грн
270+489.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+982.76 грн
10+851.48 грн
120+639.21 грн
270+619.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM3QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.41 грн
30+623.19 грн
120+585.85 грн
510+539.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 120320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.73 грн
30+516.22 грн
120+476.02 грн
510+425.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4Diodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+850.80 грн
10+718.84 грн
120+520.15 грн
270+489.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedSiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.10 грн
10+1014.93 грн
30+690.56 грн
120+514.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWSH120H90SM4QDiodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.41 грн
30+624.15 грн
120+475.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.