Продукція > G3S
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3S-201PL DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S-201PL DC24 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR 1A 24VDC PCB | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S-201PL-PD DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount C20/C20K TRIAC | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S-201PL-PD DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.2A 75-264V Voltage - Load: 75 V ~ 264 V Approval Agency: CSA, UR Load Current: 1.2 A Termination Style: PC Pin Operating Temperature: -30°C ~ 100°C Circuit: SPST-NO (1 Form A) Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Mounting Type: Through Hole Output Type: AC Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S-201PL-PD-US DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S-201PL-PD-US DC12 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.2A 75-264V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S-201PL-PD-US DC24 | OMRON | Description: OMRON - G3S-201PL-PD-US DC24 - Halbleiterrelais, Baureihe G3S, SPST-NO, 1.2 A, 28.8 VDC, Leiterplattenmontage, Durchsteckmontage Relaisanschlüsse: Durchsteckmontage Betriebsspannung, max.: 28.8 Regelspannung, max.: 240 Regelspannung, min.: 100 Relaismontage: Leiterplattenmontage Laststrom: 1.2 Produktpalette: G3S Kontaktkonfiguration: SPST-NO Schaltmodus: Hart schaltend Betriebsspannung, min.: 19.2 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S-201PL-PD-US DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S-201PL-PD-US DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.2A 75-264V Packaging: Tray Package / Case: Module Output Type: AC Mounting Type: Through Hole Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Operating Temperature: -30°C ~ 100°C Termination Style: PC Pin Load Current: 1.2 A Approval Agency: CSA, UR Voltage - Load: 75 V ~ 264 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S-201PL-PD-US DC5 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S-201PL-PD-US DC5 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR 1.2A 5VDC PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S-201PL-US DC12 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 75-264V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S-201PL-US DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S-201PL-US DC5 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S-201PL-US DC5 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 75-264V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06004J | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO220ISO Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220ISO Current - Average Rectified (Io): 11A Capacitance @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06006J | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIC 600V 21.5A TO220ISO Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220ISO Current - Average Rectified (Io): 21.5A Capacitance @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06502A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06502A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06503A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 11.5A Capacitance @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06503A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06504A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06504A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06504B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06504B | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06504B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06504C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06504C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06506A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06506A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06506A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06506B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06506B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06508B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06508B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06508J | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220ISO Current - Average Rectified (Io): 23A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06508J | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220ISO Current - Average Rectified (Io): 23A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06508J | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220ISO Current - Average Rectified (Io): 23A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S065100P | Global Power Technology | 650V/ 100A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06510A | Global Power Technology Co., Ltd. | Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06510A | Global Power Technology | 650V/ 10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06510B | Global Power Technology | 650V/ 10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06510H | Global Power Technology | 650V/ 10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06510P | Global Power Technology | G3S06510P | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06512B | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06512B | Global Power Technology | 650V/ 12A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06512B | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06516B | Global Power Technology | 650V/ 16A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06520A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06520A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06520B | Global Power Technology | 650V/ 20A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06520P | Global Power Technology | 650V/ 20A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S06540B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06540B | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S06540B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12002A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 7A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12002A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 7A Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12002C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12002C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12003A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12003C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12003C | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12003C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12005A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12005A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12005A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12006B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12006B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12010B | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12010B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12010B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12010BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12010BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12010C | Global Power Technology Co., Ltd. | DIODE SCHTKY 1200V 32.4A PGTO252-2 Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12015P | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: TO-247AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12015P | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: TO-247AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12040B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S12040B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S168AB | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| G3S168JB | 02+ TSOP | на замовлення 1044 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| G3S17010A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 24A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 24A Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S17020B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247AB Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S17020B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247AB Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-A DC12 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 1A 12VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-A DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S4-A DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 75-264V Voltage - Load: 75 V ~ 264 V Part Status: Active Load Current: 1 A Termination Style: Screw Terminal Circuit: SPST-NO (1 Form A) x 4 Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Mounting Type: DIN Rail Output Type: AC Package / Case: Module Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-A DC5 | Omron Automation and Safety | Description: SOLID STATE RELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-A1 DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount Solid State Relay | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S4-A1 DC12 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 600MA 12VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-A1 DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount Solid State Relay | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-A1 DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 600MA 75-264V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-ADC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S4-D DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount Solid State Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-D DC12 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 1A 12VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-D DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S4-D DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 3-26V Voltage - Load: 3 V ~ 26 V Approval Agency: CE, CSA, UR, VDE Load Current: 1 A Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -25°C ~ 55°C Circuit: SPST-NO (1 Form A) x 4 Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Mounting Type: DIN Rail Output Type: DC Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S4-D1 DC12 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 600MA 12VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-D1 DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount Solid State Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3S4-D1 DC5 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3S4-D1 DC5 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 600MA 5VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]

