Продукція > G3S
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G3S-201PL DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S-201PL DC24 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR 1A 24VDC PCB | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S-201PL-PD DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount C20/C20K TRIAC | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S-201PL-PD DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.2A 75-264V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: AC Mounting Type: Through Hole Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Operating Temperature: -30°C ~ 100°C Termination Style: PC Pin Load Current: 1.2 A Approval Agency: CSA, UR Voltage - Load: 75 V ~ 264 V | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S-201PL-PD-US 24DC | OMRON | G3S201PLPDUS24 DC Solid State Relays | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S-201PL-PD-US DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S-201PL-PD-US DC12 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.2A 75-264V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S-201PL-PD-US DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.2A 75-264V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S-201PL-PD-US DC24 | OMRON | Description: OMRON - G3S-201PL-PD-US DC24 - Halbleiterrelais, Baureihe G3S, SPST-NO, 1.2 A, 28.8 VDC, Leiterplattenmontage, Durchsteckmontage Relaisanschlüsse: Durchsteckmontage Betriebsspannung, max.: 28.8 Regelspannung, max.: 240 Regelspannung, min.: 100 Relaismontage: Leiterplattenmontage Laststrom: 1.2 Produktpalette: G3S Kontaktkonfiguration: SPST-NO Schaltmodus: Hart schaltend Betriebsspannung, min.: 19.2 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S-201PL-PD-US DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S-201PL-PD-US DC5 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S-201PL-PD-US DC5 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR 1.2A 5VDC PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S-201PL-US DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S-201PL-US DC12 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 75-264V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S-201PL-US DC5 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S-201PL-US DC5 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 75-264V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06004J | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO220ISO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06006J | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIC 600V 21.5A TO220ISO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 21.5A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06502A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06502A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06503A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06503A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06504A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06504A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06504B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06504B | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06504B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06504C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06504C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06506A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06506A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06506A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06506B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06506B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06508B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06508B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06508J | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06508J | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06508J | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 23A Supplier Device Package: TO-220ISO Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S065100P | Global Power Technology | 650V/ 100A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06510A | Global Power Technology | 650V/ 10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06510B | Global Power Technology | 650V/ 10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06510H | Global Power Technology | 650V/ 10A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06510P | Global Power Technology | G3S06510P | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06512B | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06512B | Global Power Technology | 650V/ 12A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06512B | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE ARR SIC 650V 27A TO247AB Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06516B | Global Power Technology | 650V/ 16A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06520A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06520A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56.5A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06520B | Global Power Technology | 650V/ 20A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06520P | Global Power Technology | 650V/ 20A Silicon Carbide Power Schottky Barrier Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S06540B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06540B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S06540B | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12002A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 7A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12002A | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 7A TO220AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 7A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12002C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12002C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 2A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12003A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 12A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12003C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12003C | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12003C | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12005A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12005A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12005A | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12006B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12006B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12010B | Global Power Technology Co. Ltd | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12010B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12010B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12010BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12010BM | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12015P | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: TO-247AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12015P | Global Power Technology-GPT | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 42A TO247AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1379pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 42A Supplier Device Package: TO-247AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12040B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S12040B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S168AB | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
G3S168JB | 02+ TSOP | на замовлення 1044 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
G3S17010A | Global Power Technology Co. Ltd | Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 24A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S17020B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S17020B | Global Power Technology-GPT | Description: SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 20A 3-P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 24A (DC) Supplier Device Package: TO-247AB Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-A DC12 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 1A 12VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-A DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S4-A DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 75-264V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: AC Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) x 4 Termination Style: Screw Terminal Load Current: 1 A Part Status: Active Voltage - Load: 75 V ~ 264 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S4-A DC5 | Omron Automation and Safety | Description: SOLID STATE RELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-A1 DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount Solid State Relay | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S4-A1 DC12 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 600MA 12VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-A1 DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount Solid State Relay | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-A1 DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 600MA 75-264V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-ADC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S4-D DC12 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 1A 12VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-D DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount Solid State Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-D DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S4-D DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 3-26V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: DC Mounting Type: DIN Rail Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) x 4 Operating Temperature: -25°C ~ 55°C Termination Style: Screw Terminal Load Current: 1 A Approval Agency: CE, CSA, UR, VDE Voltage - Load: 3 V ~ 26 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-D1 DC12 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 600MA 12VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-D1 DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount Solid State Relay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-D1 DC5 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3S4-D1 DC5 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 600MA 5VDC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S4-D1-DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3S416B8B | 1 | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
G3S4D1DC24 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NOX4 600MA 24VDC | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SB001 | Comus International | Description: SPEAKER 16OHM TOP PORT 92DB Packaging: Bulk Size / Dimension: 4.409" L x 4.409" W (112.00mm x 112.00mm) Shape: Square Type: General Purpose Material - Cone: Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET) Ingress Protection: Water Resistant Port Location: Top Height - Seated (Max): 1.969" (50.00mm) Part Status: Active Impedance: 16 Ohms Efficiency - dBA: 92.00 Efficiency - Testing: 1M | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SB60 | ZIP4 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
G3SBA20-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Bridge Rectifiers 4.0 Amp 200 Volt Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-E3/45 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 4.0 Amp 200 Volt Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-E3/45 | Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.3A 4-Pin Case GBU Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SBA20-E3/51 | Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.3A 4-Pin Case GBU Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-E3/51 | Vishay General Semiconductor | Bridge Rectifiers 200 Volt 4.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-E3/51 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 200 Volt 4.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-E3/51 | VISHAY | G3SBA20-E3/51 Flat single phase diode bridge rectif. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-E351 | Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.3A 4-Pin Case GBU Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-M3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 4A,200V,GPP,INLINE BRIDGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20-M3/51 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 4A,200V,GPP,INLINE BRIDGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20L-E3/45 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 4.0 Amp 200 Volt Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20L-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20L-E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20L-E3/51 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 200 Volt 4.0 Amp Glass Passivated | на замовлення 1522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20L-E3/51 | Vishay | Bridge Rectifiers 200 Volt 4.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20L-M3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA20L-M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-5410M3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-5410M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-E3 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 4A,600V,GPP,INLINE BRIDGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-E3 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
G3SBA60-E3/45 | VISHAY | G3SBA60-E3/45 Flat single phase diode bridge rectif. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-E3/45 | Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.3A 4-Pin Case GBU Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-E3/45 | Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.3A 4-Pin Case GBU Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Bridge Rectifiers 4.0 Amp 600 Volt Glass Passivated | на замовлення 1609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SBA60-E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-E3/51 | Vishay General Semiconductor | Bridge Rectifiers 600 Volt 4.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-E351 | Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.3A 4-Pin Case GBU Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-M3/45 | Vishay General Semiconductor | Bridge Rectifiers 4A,600V,GPP,INLINE BRIDGE | на замовлення 776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SBA60-M3/45 | Vishay | Diode Rectifier Bridge Single 600V 2.3A 4-Pin Case GBU Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-M3/45 | VISHAY | G3SBA60-M3/45 Flat single phase diode bridge rectif. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-M3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tray Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60-M3/51 | Vishay General Semiconductor | Bridge Rectifiers 4A,600V,GPP,INLINE BRIDGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5700E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5700M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5702E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5702M3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5703E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5703M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5704E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5704M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5705E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5705M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5708E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-5708M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-6000E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-6000M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-6088E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-6088M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-6841E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-6841M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-E3/45 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 4.0 Amp 600 Volt Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-E3/51 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 600 Volt 4.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-M3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA60L-M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU Packaging: Tray Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-E3/45 | Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 800V 2.3A 4-Pin Case GBU Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-E3/45 | Vishay General Semiconductor | Bridge Rectifiers 4.0 Amp 800 Volt Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-E3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-E3/51 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 800 Volt 4.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 2.3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-E3/51 | Vishay | Diode Rectifier Bridge Single 800V 2.3A 4-Pin Case GBU Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-E3/51 | Vishay General Semiconductor | Bridge Rectifiers 800 Volt 4.0 Amp Glass Passivated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-M3/45 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-M3/45 | Vishay | Diode Rectifier Bridge Single 800V 2.3A 4-Pin Case GBU Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-M3/45 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80-M3/51 | Vishay Semiconductors | Bridge Rectifiers 4A,800V,GPP,INLINE BRIDGE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80L-6000E3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SBA80L-6000M3/51 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2.3A GBU | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P DC24 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NO 1A 24VDC PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PD DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PD DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.1A 3-26V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: DC Mounting Type: Through Hole Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Operating Temperature: -30°C ~ 100°C Termination Style: PC Pin Load Current: 1.1 A Approval Agency: CSA, UR Voltage - Load: 3 V ~ 26 V | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PD-US DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PD-US DC12 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.1A 3-26V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: DC Mounting Type: Through Hole Voltage - Input: 9.6 ~ 14.4VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Operating Temperature: -30°C ~ 100°C Termination Style: PC Pin Load Current: 1.1 A Approval Agency: CSA, UR Voltage - Load: 3 V ~ 26 V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PD-US DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PD-US DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.1A 3-26V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: DC Mounting Type: Through Hole Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Termination Style: PC Pin Load Current: 1.1 A Voltage - Load: 3 V ~ 26 V Operating Temperature: -30°C ~ 100°C Approval Agency: CSA, UR | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PD-US DC5 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PD-US DC5 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.1A 3-26V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: DC Mounting Type: Through Hole Voltage - Input: 4 ~ 6VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Termination Style: PC Pin Load Current: 1.1 A Part Status: Obsolete Voltage - Load: 3 V ~ 26 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PE DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount C20C20K20H200H PNP | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PE DC24 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NO 1.1A 24VDC PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PE-US DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P-PE-US DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1.1A 3-26V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: DC Mounting Type: Through Hole Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Operating Temperature: -30°C ~ 100°C Termination Style: PC Pin Load Current: 1.1 A Approval Agency: CSA, UR Voltage - Load: 3 V ~ 26 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P-US DC12 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - Industrial Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SD-Z01P-US DC12 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 3-26V Packaging: Bulk Package / Case: Module Output Type: DC Mounting Type: Through Hole Voltage - Input: 9.6 ~ 14.4VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Operating Temperature: -30°C ~ 100°C Termination Style: PC Pin Load Current: 1 A Approval Agency: CSA, UR Voltage - Load: 3 V ~ 26 V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SD-Z01P-US DC24 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SD-Z01P-US DC24 | Omron Automation and Safety | Description: SSR RELAY SPST-NO 1A 3-26V Packaging: Tray Package / Case: Module Output Type: DC Mounting Type: Through Hole Voltage - Input: 19.2 ~ 28.8VDC Circuit: SPST-NO (1 Form A) Operating Temperature: -30°C ~ 100°C Termination Style: PC Pin Load Current: 1 A Approval Agency: CSA, UR Voltage - Load: 3 V ~ 26 V | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
G3SD-Z01P-US DC5 | Omron Automation and Safety | Solid State Relays - PCB Mount SOLID STATE RELAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3SD-Z01P-US DC5 | Omron Automation and Safety | Description: RELAY SSR SPST-NO 1A 5VDC PCB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
G3STAND0 | Red Lion Controls | Description: G3 STAND | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |