Продукція > G4S

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
G4S01S01012.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 12"Lng EndA SMA EndB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S01S01024.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 24"Lng EndA SMA EndB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S01S01036.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 36"Lng EndA SMA EndB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S01S01048.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 48"Lng EndA SMA EndB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S01S01060.0GoreRF Cable Assemblies 18GHz 60"Lng EndA SMA EndB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508ATGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508ATGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 24.5A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508CTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508CTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508CTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO252
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508DTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508DTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 24A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508HTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508HTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 18.5A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508JTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508JTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508JTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 23.5A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 23.5A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508QTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508QTGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+160.24 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06508QTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 34A 4DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510ATGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+161.05 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510CTGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+161.05 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510DTGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+161.05 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510JTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510JTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510JTGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+161.05 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510JTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31.2A
Supplier Device Package: TO-220ISO
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510PTGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+161.05 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510QTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510QTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510QTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06510QTGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+204.98 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515ATGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+307.47 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515CTGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+307.47 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515HTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515HTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515HTGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+307.47 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515HTGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515PTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A 2-PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515PTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A 2-PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515QTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515QTGlobal Power TechnologySilicon Carbide Power Schottky Barrier Diode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+318.04 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515QTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06515QTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06520BTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06520BTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06520BTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06540PTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 2-PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06540PTGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 2-PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S06540PTGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 2-PI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S12020BMGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S12020BMGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S12020DGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S12020DGlobal Power Technology Co. LtdDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S12020DGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 2-P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S12040BMGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64.5A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S12040BMGlobal Power Technology-GPTDescription: SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64.5A (DC)
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S6508ZGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4S6508ZGlobal Power Technology-GPTDescription: DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4SATB100K
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G4SATB102M
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G4STRAPBOpto 22Terminal Block Tools & Accessories G4 16-Position Strap for Single Rack, Red (10-Pack)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8125.48 грн
25+7298.74 грн
50+6294.49 грн
100+6211.36 грн
250+6170.16 грн
500+6138.53 грн
1000+6095.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G4STRAPBOpto 22Conn Jumper M 10 POS ST
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10585.18 грн
3+10495.30 грн
5+8690.52 грн
10+7566.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G4STRAPB-BLACKOpto 22Terminal Block Tools & Accessories G4 16-Position Strap for Single Rack, Black (10-Pack)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G4SWINOpto 22Specialist Controllers G4 Digital Input Switch, 5, 15, 24 VDC Logic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.