Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJW0281ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AONTO-247 09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 260V 150W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN DIP PWR XTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AGonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW0302AG - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AGonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO-247-3
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW11-KX06-0606-LFMorethanallP6C6 SMD Розніми телефонні та RJ-45
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1102L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW13003
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW13009
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AOn SemiconductorPNP, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.04 грн
120+311.71 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 230V; 15A; 200W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 230V
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Frequency: 30MHz
Collector current: 15A
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGOn SemiconductorTRANS PNP 230V 15A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW1302AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.96 грн
30+183.74 грн
120+151.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AMJW3281A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010
Код товару: 47199
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010AOn Semiconductor(NPN,450V,15A,135W,TO-247AE) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010A--TO-3PI 09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16018
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16110
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16206onsemiDescription: TRANS NPN 500V 12A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+233.33 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16206
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212MotorolaDescription: TRANS NPN 650V 10A TO-247
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Frequency - Transition: 2.75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 10A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.2A, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+376.04 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212MotorolaMJW16212
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+528.02 грн
100+502.09 грн
500+474.99 грн
1000+433.02 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212ON SEMICONDUCTORnpn 650V 10A 125W TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 29090
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020On Semiconductor(NPN,450V,20A,250W,TO-247) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020onsemiDescription: TRANS NPN 450V 30A TO-247-3
Power - Max: 250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020onsemiBipolar Transistors - BJT 20A 450V 250W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GOn Semiconductor(NPN,450V,20A,250W,TO-247) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 30A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Current gain: 14...34
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 13MHz
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+513.90 грн
3+426.87 грн
5+395.84 грн
10+374.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW18020G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 30 A, 250 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 30A TO-247-3
Power - Max: 250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 13MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GonsemiBipolar Transistors - BJT 30A 450V 250W NPN
на замовлення 4601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+530.24 грн
60+524.70 грн
120+445.94 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191ONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21191 - TRANS PNP 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21191G - MJW21191G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192ONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO-247-3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.07 грн
30+226.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+327.47 грн
120+270.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+327.47 грн
120+270.80 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 4MHz
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+314.49 грн
3+292.69 грн
10+264.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO-247-3
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.72 грн
30+224.90 грн
120+187.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 200W
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+390.17 грн
10+288.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.34 грн
120+306.44 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195
Код товару: 46846
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Frequency - Transition: 4MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
30+186.18 грн
120+157.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195MJW21196
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196
Код товару: 46841
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]