Продукція > MJW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJW0281AonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 260V 150W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AONTO-247 09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AGonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN DIP PWR XTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AGonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW0302AG - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+80.85 грн
Мінімальне замовлення: 480
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1102L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW13003
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW13009
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.76 грн
10+329.43 грн
30+169.13 грн
120+151.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW1302AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+415.36 грн
10+233.32 грн
100+212.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.42 грн
30+192.66 грн
120+162.33 грн
510+132.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AMJW3281A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010
Код товару: 47199
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010A--TO-3PI 09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16018
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16110
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16206
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16206onsemiDescription: TRANS GP BJT NPN 500V 12A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+228.73 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212ON SEMICONDUCTORnpn 650V 10A 125W TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212MotorolaDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.2A, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 2.75MHz
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+364.20 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29090
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020onsemiDescription: TRANS NPN 450V 30A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020onsemiBipolar Transistors - BJT 20A 450V 250W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GonsemiBipolar Transistors - BJT 30A 450V 250W NPN
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.97 грн
10+463.48 грн
30+276.56 грн
120+254.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 30A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Current gain: 14...34
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 13MHz
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.25 грн
3+389.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 30A; 250W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 30A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Current gain: 14...34
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 13MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+661.50 грн
3+485.58 грн
7+441.88 грн
10+439.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 30A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.67 грн
30+334.45 грн
120+281.68 грн
510+233.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW18020G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 30 A, 250 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.19 грн
5+511.94 грн
10+353.83 грн
50+309.51 грн
100+268.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191ONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21191 - TRANS PNP 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+67.36 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21191G - MJW21191G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+82.90 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192ONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+82.90 грн
Мінімальне замовлення: 420
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.77 грн
10+257.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.22 грн
10+296.01 грн
100+213.59 грн
500+167.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.53 грн
10+503.78 грн
30+252.94 грн
120+210.27 грн
1050+182.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.19 грн
10+262.84 грн
120+188.94 грн
420+181.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+305.00 грн
120+267.54 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.84 грн
30+236.47 грн
120+196.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.79 грн
10+340.15 грн
100+264.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 200W
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+361.52 грн
10+240.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195
Код товару: 46846
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.75 грн
10+298.76 грн
30+185.89 грн
420+166.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+427.33 грн
10+223.92 грн
100+205.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 200W
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+348.70 грн
3+283.32 грн
5+215.86 грн
10+215.07 грн
12+203.96 грн
20+200.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.54 грн
30+195.76 грн
120+165.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 200W
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+418.44 грн
3+353.06 грн
5+259.03 грн
10+258.08 грн
12+244.75 грн
20+240.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195MJW21196
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196
Код товару: 46841
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.53 грн
10+302.55 грн
100+257.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 200W
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.75 грн
10+278.61 грн
120+195.80 грн
420+169.89 грн
1050+154.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 200W
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+446.13 грн
2+411.40 грн
5+248.56 грн
13+234.27 грн
120+224.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.12 грн
10+261.41 грн
100+187.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281A
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+257.00 грн
120+236.26 грн
270+227.04 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.32 грн
30+193.45 грн
120+159.93 грн
510+127.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW3281AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+416.22 грн
10+231.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 230V; 15A; 200W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 230V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.