Продукція > MJW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MJW0281AONTO-247 09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 260V 150W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281ASTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AGonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0281AGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN DIP PWR XTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW0302AG - POWER BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+80.08 грн
Мінімальне замовлення: 480
В кошику  од. на суму  грн.
MJW0302AGonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1102L
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW13003
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW13009
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302A
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 250V 200W PNP
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.39 грн
10+326.29 грн
30+167.52 грн
120+150.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGonsemiDescription: TRANS PNP 230V 15A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.23 грн
30+190.83 грн
120+160.78 грн
510+131.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW1302AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+408.02 грн
10+407.17 грн
100+207.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW1302AMJW3281A
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010
Код товару: 47199
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16010A--TO-3PI 09+
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16018
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16110
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16206onsemiDescription: TRANS GP BJT NPN 500V 12A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1.5A, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-247
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 7717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+226.55 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16206
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212MotorolaDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 2.2A, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 10A, 5V
Frequency - Transition: 2.75MHz
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+360.73 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212ON SEMICONDUCTORnpn 650V 10A 125W TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+126.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW16212 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29090
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020onsemiBipolar Transistors - BJT 20A 450V 250W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020onsemiDescription: TRANS NPN 450V 30A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW18020G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 30 A, 250 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 13MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+562.93 грн
5+518.07 грн
10+472.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GonsemiBipolar Transistors - BJT 30A 450V 250W NPN
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.63 грн
10+459.06 грн
30+273.92 грн
120+252.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GonsemiDescription: TRANS NPN 450V 30A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 13MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 250 W
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.99 грн
30+331.27 грн
120+278.99 грн
510+231.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GONSEMIMJW18020G NPN THT transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+761.86 грн
3+462.20 грн
7+436.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW18020GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 30A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191onsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191ONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21191 - TRANS PNP 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21191G - MJW21191G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21191GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 3962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192onsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192onsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192ONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21192 - MJW21192 - TRANSISTOR NPN 150V 8A TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 420
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192GonsemiDescription: TRANS NPN 150V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 125 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21192GonsemiBipolar Transistors - BJT 8A 150V 100W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GONSEMIMJW21193G PNP THT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.85 грн
10+293.20 грн
100+211.56 грн
500+165.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.98 грн
10+486.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21193GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.62 грн
10+498.98 грн
30+250.53 грн
120+208.27 грн
1050+180.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+302.09 грн
120+264.99 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21194G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250V, 16A, 200W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.31 грн
10+336.91 грн
100+261.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 200W
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+396.17 грн
4+326.19 грн
10+297.13 грн
30+285.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.61 грн
30+241.60 грн
120+201.22 грн
510+161.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 200W
Current gain: 8...80
Collector current: 16A
Collector-emitter voltage: 250V
Frequency: 4MHz
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.14 грн
4+261.75 грн
10+247.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21194GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195
Код товару: 46846
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195onsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W PNP
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.62 грн
10+295.92 грн
30+184.12 грн
420+165.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GONSEMIMJW21195G PNP THT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.31 грн
30+193.89 грн
120+163.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.34 грн
10+428.33 грн
100+247.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21195MJW21196
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196onsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196
Код товару: 46841
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 16A; 200W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 250V
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 200W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.35 грн
5+203.59 грн
13+192.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.48 грн
10+357.53 грн
30+178.09 грн
120+161.49 грн
210+153.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GONSEMIDescription: ONSEMI - MJW21196G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 250 V, 16 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.03 грн
10+397.86 грн
100+248.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.24 грн
10+258.92 грн
100+185.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281A
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.83 грн
30+206.02 грн
120+170.34 грн
510+135.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.32 грн
10+274.22 грн
30+169.79 грн
300+150.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW3281AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+409.71 грн
10+315.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.