Продукція > NP5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NP5-12Yuasa BatteryDescription: 12V,5 AH SLA
Packaging: Case
Capacity: 5Ah
Size / Dimension: 3.54" L x 2.76" W x 4.13" H (89.9mm x 70.1mm x 104.9mm)
Termination Style: Spade, .187" and .250" (4.7mm and 6.3mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2150.28 грн
20+1638.42 грн
100+1456.80 грн
500+1308.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-12EnerSysLead Acid Battery Rectangular 12V 5Ah Rechargeable
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4148.26 грн
5+3876.50 грн
10+3637.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-12LYUASAACCU-HP5-12L/Y Acid Cells
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3351.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-MQ000Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS SILVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-MQ000BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-MQ001Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS SILVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-MQ001BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ000Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN COLOR 3KEYS SILVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ000BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN COLOR 3KEYS BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ001Omron Automation and SafetyDescription: HMI OPERATOR PANEL 5.7" COLOR
Packaging: Bulk
Display Type: Color
For Use With/Related Products: NP Series
Type: Operator Panel
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 24VDC
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Size - Display: 5.7"
Case Color: Silver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ001BOmron Automation and SafetySpecialist Controllers NP HMI 5.7 in c olor 6keys Blk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ001BOmron Automation and SafetyDescription: HMI OPERATOR PANEL 5.7" COLOR
Packaging: Bulk
Display Type: Color
For Use With/Related Products: NP Series
Type: Operator Panel
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 24VDC
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Size - Display: 5.7"
Case Color: Black
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP501APNPL1998
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP501BPNPL1998
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-020-035-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 20PIN QFN 0.50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-024-032-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 24PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-028-028-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 28PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-032-005-GYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-032-031-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-032-059-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-040-030-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 40PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-040-048-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 40PIN QFPN .4MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-048-012-GYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-048-017-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-048-044-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-056-009-SGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-056-027-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-056-051-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-068-041-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 68PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50E08061R5-010210PulseNP50E08061R5-010210
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+9.57 грн
10547+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 5748
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.02 грн
10+110.51 грн
100+76.78 грн
500+57.69 грн
1000+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.92 грн
10+115.91 грн
100+74.30 грн
250+72.69 грн
500+59.22 грн
1000+53.34 грн
2500+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P03YDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs AUTOMOTIVE MOS 8P HSON(SINGLE) UMOS4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.72 грн
10+156.52 грн
100+97.85 грн
500+78.72 грн
1000+73.42 грн
2500+69.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.30 грн
10+146.91 грн
100+101.68 грн
500+77.28 грн
1000+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.25 грн
10+186.60 грн
100+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.44 грн
10+182.74 грн
25+150.08 грн
100+128.74 грн
250+121.39 грн
500+114.03 грн
800+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+98.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.84 грн
500+83.53 грн
1000+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Automotive MOS
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+181.10 грн
10+148.90 грн
100+103.00 грн
250+98.58 грн
500+86.81 грн
1000+73.57 грн
2500+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.56 грн
10+147.37 грн
100+102.01 грн
500+77.54 грн
1000+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.09 грн
10+148.55 грн
100+118.84 грн
500+83.53 грн
1000+65.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRenesasTO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SLG
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS2
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.97 грн
10+159.05 грн
100+110.35 грн
250+105.20 грн
500+92.70 грн
1000+79.45 грн
2500+74.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3ZK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.78 грн
10+144.91 грн
100+100.60 грн
500+79.57 грн
1000+70.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.66 грн
10+166.52 грн
100+124.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+93.57 грн
1600+83.98 грн
2400+83.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.90 грн
500+114.18 грн
1000+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRenesasPOWERMOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.31 грн
10+186.97 грн
100+130.22 грн
250+124.33 грн
500+108.88 грн
800+88.28 грн
4800+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.35 грн
10+183.21 грн
100+146.90 грн
500+114.18 грн
1000+84.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E2RenesasOld Part NP50P06KDG-E2^NEC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesasTrans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+137.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-3ZK UMOS4 O
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.42 грн
10+153.98 грн
100+96.37 грн
500+87.55 грн
1000+74.30 грн
2500+69.89 грн
5000+68.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.16 грн
10+139.86 грн
100+96.72 грн
500+78.78 грн
1000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesasTO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50TD6G-100WTYCLONDescription: NP50TD6G-100W N TERMINATOR
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Body Finish: White Bronze
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23473.20 грн
10+21473.79 грн
25+20399.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP50TD6G-10WTo-Conne Co., Ltd. (TYC)Description: N MALE TERMINATOR 10 WATTS
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4269.52 грн
10+3699.94 грн
25+3514.97 грн
50+3133.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP50TD6G-20WTYCLONDescription: NP50TD6G-20W N TERMINATOR
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Panel Mount
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6729.37 грн
10+5831.66 грн
25+5540.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP50TD6G-50WTo-Conne Co., Ltd. (TYC)Description: N MALE TERMINATOR 50 WATTS
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11854.38 грн
10+10273.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055HIL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055ILE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055SUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 52A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG-E1-AYRenesasNP52N06SLG-E1-AY NP52N06
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400-BA1CMMC02+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400-BA1CAMCCBGA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400-BA1C-E
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400-BAIC
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400BA1CACUTEBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400BA1CMMC03+ SOP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400BA1CHP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400BAICMMC03+ SOP
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5410-BB1CMMCBGA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N03SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N03SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N03SUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SLG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 55A TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG-E2-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055HIL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055ILE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG-E1RenesasTrans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG-E1-AT/JMNECSOT252/2.5
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG-E1-AZRenesasTrans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG-E1-AZTianma MicroelectronicsOld Part NP55N055SDG-E1-AZ^NEC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG-E2-AYRenesas Electronics CorporationDescription: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SUG(1)-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5710BB2CIAMCC
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5Q032AE3ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 32MBIT 33MHZ SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5Q032AE3ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 32Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5Q064AE3ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 64Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5Q064AE3ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 64MBIT 33MHZ SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5Q128A13ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 128MBIT 66MHZ 16SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5Q128A13ESFC0E
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5Q128A13ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 128Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5Q128AE3ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 128Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5Q128AE3ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 128MBIT 33MHZ SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5W5DSFTYCLONDescription: NP5W5DSF, N ASSEMBLY DESIGNED FO
Packaging: Retail Package
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3476.89 грн
10+3013.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.