Продукція > NP5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NP5-12EnerSysLead Acid Battery Rectangular 12V 5Ah Rechargeable
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3763.95 грн
5+ 3457.69 грн
10+ 3076.44 грн
20+ 2829.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
NP5-12Yuasa BatteryDescription: 12V,5 AH SLA
Packaging: Case
Capacity: 5Ah
Size / Dimension: 3.54" L x 2.76" W x 4.13" H (89.9mm x 70.1mm x 104.9mm)
Termination Style: Spade, .187" and .250" (4.7mm and 6.3mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1946.42 грн
20+ 1483.09 грн
100+ 1318.69 грн
500+ 1184.81 грн
NP5-12LYUASACategory: Acid Cells
Description: Re-battery: acid-lead; 12V; 5Ah; AGM; maintenance-free; 1.85kg
Body dimensions: 90x70x106mm
Rechargeable batteries application: power backup systems
Rechargeable batteries features: maintenance-free
Rated voltage: 12V
Storage time: 3-5 years
Technology: AGM
Capacity: 5Ah
Type of rechargeable battery: acid-lead
Net weight: 1.85kg
Leads: connectors 6,35mm
товар відсутній
NP5-MQ000Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS SILVER
товар відсутній
NP5-MQ000BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS BLACK
товар відсутній
NP5-MQ001Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS SILVER
товар відсутній
NP5-MQ001BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS BLACK
товар відсутній
NP5-SQ000Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN COLOR 3KEYS SILVER
товар відсутній
NP5-SQ000BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN COLOR 3KEYS BLACK
товар відсутній
NP5-SQ001Omron Automation and SafetyDescription: HMI OPERATOR PANEL 5.7" COLOR
Packaging: Bulk
Display Type: Color
For Use With/Related Products: NP Series
Type: Operator Panel
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 24VDC
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Size - Display: 5.7"
Case Color: Silver
товар відсутній
NP5-SQ001BOmron Automation and SafetyDescription: HMI OPERATOR PANEL 5.7" COLOR
Packaging: Bulk
Display Type: Color
For Use With/Related Products: NP Series
Type: Operator Panel
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 24VDC
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Size - Display: 5.7"
Case Color: Black
товар відсутній
NP5-SQ001BOmron Automation and SafetySpecialist Controllers NP HMI 5.7 in c olor 6keys Blk
товар відсутній
NP501APNPL1998
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP501BPNPL1998
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP506-020-035-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 20PIN QFN 0.50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-024-032-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 24PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-028-028-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 28PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-032-005-GYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-032-031-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-032-059-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-040-030-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 40PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-040-048-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 40PIN QFPN .4MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-048-012-GYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-048-017-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-048-044-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-056-009-SGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-056-027-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-056-051-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP506-068-041-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 68PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товар відсутній
NP50N04YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.33 грн
10+ 85.46 грн
100+ 68 грн
500+ 54 грн
1000+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP50N04YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP50N04YUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.54 грн
10+ 95.73 грн
100+ 66.26 грн
250+ 63.2 грн
500+ 55.14 грн
1000+ 47.28 грн
2500+ 44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+149.12 грн
10+ 119.38 грн
100+ 95.03 грн
500+ 75.46 грн
1000+ 64.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P03YDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
2+164.71 грн
10+ 146.27 грн
100+ 101.89 грн
500+ 83.91 грн
1000+ 69.26 грн
2500+ 64.13 грн
5000+ 61.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP50P04KDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP50P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
товар відсутній
NP50P04KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 178.44 грн
100+ 127.19 грн
500+ 108.55 грн
800+ 91.23 грн
2400+ 86.57 грн
4800+ 83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.41 грн
10+ 149.14 грн
100+ 120.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P04SDG
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.09 грн
5000+ 63.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP50P04SDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.73 грн
500+ 72.36 грн
1000+ 66.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
NP50P04SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET Automotive MOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.71 грн
10+ 146.27 грн
100+ 101.89 грн
500+ 83.91 грн
1000+ 69.26 грн
2500+ 64.73 грн
5000+ 61.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
на замовлення 8894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.28 грн
10+ 120.84 грн
100+ 96.13 грн
500+ 76.34 грн
1000+ 64.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P04SDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0077 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 84W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.36 грн
10+ 128.49 грн
25+ 116.54 грн
100+ 95.73 грн
500+ 72.36 грн
1000+ 66.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
NP50P04SDG-E1-AYRenesasTO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NP50P04SLG
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP50P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3ZK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.92 грн
10+ 128.12 грн
100+ 101.99 грн
500+ 80.98 грн
1000+ 68.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P04SLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER TRS2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
2+177.14 грн
10+ 156.23 грн
100+ 109.21 грн
500+ 89.9 грн
1000+ 74.58 грн
2500+ 69.26 грн
5000+ 66.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP50P06KDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP50P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.71 грн
10+ 157.63 грн
25+ 130.73 грн
100+ 96.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
на замовлення 4967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
10+ 149.21 грн
100+ 118.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.31 грн
1600+ 85.23 грн
2400+ 80.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
NP50P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
NP50P06KDG-E1-AYRenesasPOWERMOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
NP50P06KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 244-253 дні (днів)
2+202 грн
10+ 166.18 грн
100+ 115.21 грн
500+ 106.55 грн
800+ 80.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P06KDG-E2RenesasOld Part NP50P06KDG-E2^NEC
товар відсутній
NP50P06SDG
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
на замовлення 17936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+148.39 грн
10+ 118.69 грн
100+ 94.49 грн
500+ 75.03 грн
1000+ 63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P06SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-3ZK UMOS4 O
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.82 грн
10+ 132.49 грн
100+ 91.9 грн
500+ 77.25 грн
1000+ 65.66 грн
2500+ 61.93 грн
5000+ 60.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.93 грн
5000+ 62.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP50P06SDG-E1-AYRenesasTO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NP50TD6G-10WTo-Conne Co., Ltd. (TYC)Description: N MALE TERMINATOR 10 WATTS
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3864.75 грн
10+ 3349.17 грн
25+ 3181.73 грн
50+ 2836.63 грн
NP50TD6G-50WTo-Conne Co., Ltd. (TYC)Description: N MALE TERMINATOR 50 WATTS
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10730.53 грн
10+ 9299.72 грн
NP52N055HIL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP52N055ILE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP52N055SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP52N055SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
товар відсутній
NP52N055SUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 52A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товар відсутній
NP52N06SLG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
товар відсутній
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NP52N06SLG-E1-AYRenesasNP52N06SLG-E1-AY NP52N06
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
товар відсутній
NP5400
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5400-BA1CAMCCBGA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5400-BA1CMMC02+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5400-BA1C-E
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5400-BAIC
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5400BA1CHP
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5400BA1CACUTEBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5400BA1CMMC03+ SOP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5400BAICMMC03+ SOP
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5410-BB1CMMCBGA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP55N03SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP55N03SUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товар відсутній
NP55N03SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
товар відсутній
NP55N04SLG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP55N04SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP55N04SUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 55A TO-252
товар відсутній
NP55N04SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товар відсутній
NP55N04SUG-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
товар відсутній
NP55N04SUG-E2-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товар відсутній
NP55N055HIL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP55N055ILE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP55N055SDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP55N055SDG-E1RenesasTrans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP55N055SDG-E1-AT/JMNECSOT252/2.5
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP55N055SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
товар відсутній
NP55N055SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товар відсутній
NP55N055SDG-E1-AZTianma MicroelectronicsOld Part NP55N055SDG-E1-AZ^NEC
товар відсутній
NP55N055SDG-E1-AZRenesasTrans MOSFET N-CH 55V 55A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP55N055SDG-E2-AYRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
товар відсутній
NP55N055SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP55N055SUG(1)-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: TRANSISTOR
товар відсутній
NP55N055SUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
товар відсутній
NP55N055SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP5710BB2CIAMCC
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5Q032AE3ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 32MBIT 33MHZ SOIC
товар відсутній
NP5Q032AE3ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 32Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC W
товар відсутній
NP5Q064AE3ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 64Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC W
товар відсутній
NP5Q064AE3ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 64MBIT 33MHZ SOIC
товар відсутній
NP5Q128A13ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 128MBIT 66MHZ 16SO
товар відсутній
NP5Q128A13ESFC0E
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP5Q128A13ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 128Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC
товар відсутній
NP5Q128AE3ESFC0EMicron TechnologyNVRAM PRAM Serial-SPI 128Mbit 3V/3.3V 16-Pin SOIC
товар відсутній
NP5Q128AE3ESFC0EMicron Technology Inc.Description: IC PCM 128MBIT 33MHZ SOIC
товар відсутній