Продукція > NP5

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NP5-12Yuasa BatteryDescription: 12V,5 AH SLA
Voltage - Rated: 12 V
Part Status: Active
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Termination Style: Spade, .187" and .250" (4.7mm and 6.3mm)
Size / Dimension: 3.54" L x 2.76" W x 4.13" H (89.9mm x 70.1mm x 104.9mm)
Capacity: 5Ah
Packaging: Case
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2098.46 грн
20+1598.94 грн
100+1421.70 грн
500+1277.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-12EnerSysLead Acid Battery Rectangular 12V 5Ah Rechargeable
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4819.41 грн
5+4503.68 грн
10+4226.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-6EnerSysDescription: POWER SUPP, BATTERIES & COND
Packaging: Bulk
Battery Cell Size: 6V
Capacity: 5Ah
Size / Dimension: 2.76" L x 1.85" W x 4.13" H (70.1mm x 47.0mm x 104.9mm)
Termination Style: Spade, .187" and .250" (4.7mm and 6.3mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Voltage - Rated: 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-MQ000Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS SILVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-MQ000BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 3KEYS BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-MQ001Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS SILVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-MQ001BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN MONO 6KEYS BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ000Omron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN COLOR 3KEYS SILVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ000BOmron Automation and SafetyDescription: NP HMI 5.7 IN COLOR 3KEYS BLACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ001Omron Automation and SafetyDescription: HMI OPERATOR PANEL 5.7" COLOR
Case Color: Silver
Size - Display: 5.7"
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Voltage - Supply: 24VDC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Type: Operator Panel
For Use With/Related Products: NP Series
Display Type: Color
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ001BOmron Automation and SafetySpecialist Controllers NP HMI 5.7 in c olor 6keys Blk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5-SQ001BOmron Automation and SafetyDescription: HMI OPERATOR PANEL 5.7" COLOR
Case Color: Black
Size - Display: 5.7"
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Voltage - Supply: 24VDC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Type: Operator Panel
For Use With/Related Products: NP Series
Display Type: Color
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP501APNPL1998
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP501BPNPL1998
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-020-035-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 20PIN QFN 0.50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-024-032-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 24PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-028-028-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 28PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-032-005-GYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-032-031-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-032-059-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 32PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-040-030-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 40PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-040-048-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 40PIN QFPN .4MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-048-012-GYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-048-017-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-048-044-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 48PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-056-009-SGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-056-027-CGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .50MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-056-051-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 56PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP506-068-041-SCGYamaichi ElectronicsIC & Component Sockets 68PIN QFN .40MM W/1 GROUND PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50E08061R5-010210PulseNP50E08061R5-010210
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5748+11.11 грн
10547+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 5748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.86 грн
10+105.60 грн
100+72.04 грн
500+54.13 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 50A 4.8mohm SON-8 5x6
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+112.73 грн
100+67.10 грн
500+53.50 грн
1000+49.22 грн
2500+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50N04YUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P03YDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -30V -50A 8.4mohm SON-8 5x6
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.43 грн
10+137.34 грн
100+82.84 грн
500+69.72 грн
1000+66.48 грн
2500+64.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P03YDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.58 грн
10+129.31 грн
100+89.53 грн
500+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.49 грн
1600+85.15 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -40V -50A 9.6mohm TO-263 / D2PAK
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.72 грн
10+185.77 грн
100+113.22 грн
500+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.11 грн
10+166.85 грн
100+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.24 грн
10+84.21 грн
100+77.32 грн
500+71.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.05 грн
10+138.53 грн
100+96.65 грн
500+69.48 грн
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRenesasMOSFET P-CH 40V 50A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -40V -50A 9.6mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.93 грн
10+135.76 грн
100+85.60 грн
500+71.80 грн
1000+69.72 грн
2500+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRenesasTO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P04SDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 84W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 84W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.65 грн
500+69.48 грн
1000+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SLG
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs POWER TRS2
на замовлення 1707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.01 грн
10+154.02 грн
100+93.20 грн
500+75.94 грн
1000+74.56 грн
2500+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3ZK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+138.88 грн
100+100.57 грн
500+79.72 грн
1000+77.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P04SLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MP-3ZK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.36 грн
500+111.43 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRenesasPOWERMOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.87 грн
10+149.42 грн
100+104.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRENESASDescription: RENESAS - NP50P06KDG-E1-AY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.04 грн
10+178.80 грн
100+143.36 грн
500+111.43 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -60V -50A 17mohm TO-263 / D2PAK
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.04 грн
10+161.16 грн
100+98.03 грн
800+72.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.44 грн
5000+60.14 грн
7500+59.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Pch Power MOSFET -60V -50A 16.5mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.15 грн
10+134.96 грн
100+81.46 грн
500+68.27 грн
2500+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesasTO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.68 грн
10+135.66 грн
100+93.81 грн
500+71.26 грн
1000+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50P06SDG-E1-AYRenesasTrans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+159.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP50TD6G-100WTYCLONDescription: NP50TD6G-100W N TERMINATOR
Frequency - Max: 6 GHz
Impedance: 50 Ohms
Body Finish: White Bronze
Contact Material: Phosphor Bronze
Connector Style: N Type
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Contact Finish: Gold
Connector Type: Plug, Male Pin
Packaging: Retail Package
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22907.58 грн
10+20956.34 грн
25+19908.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP50TD6G-10WTo-Conne Co., Ltd. (TYC)Description: N MALE TERMINATOR 10 WATTS
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Free Hanging, Cap
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4166.64 грн
10+3610.79 грн
25+3430.27 грн
50+3058.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP50TD6G-20WTYCLONDescription: NP50TD6G-20W N TERMINATOR
Frequency - Max: 6 GHz
Impedance: 50 Ohms
Contact Material: Phosphor Bronze
Connector Style: N Type
Mounting Type: Panel Mount
Contact Finish: Gold
Connector Type: Plug, Male Pin
Packaging: Retail Package
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6567.21 грн
10+5691.14 грн
25+5406.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP50TD6G-50WTo-Conne Co., Ltd. (TYC)Description: N MALE TERMINATOR 50 WATTS
Packaging: Retail Package
Connector Type: Plug, Male Pin
Contact Finish: Gold
Connector Style: N Type
Contact Material: Phosphor Bronze
Part Status: Active
Impedance: 50 Ohms
Frequency - Max: 6 GHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11568.73 грн
10+10026.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055HIL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055ILE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055SUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 52A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N055SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG-E1-AYRenesasNP52N06SLG-E1-AY NP52N06
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP52N06SLG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400-BA1CMMC02+
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400-BA1C-E
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400-BAIC
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400BA1CACUTEBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5400BAICMMC03+ SOP
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP5410-BB1CMMCBGA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N03SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N03SUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N03SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 30V 55A 5mohm TO-252 / DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SLG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 55A TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 40V 55A 6.5mohm TO-252 / DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N04SUG-E2-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055HIL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055ILE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG-E1-AT/JMNECSOT252/2.5
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP55N055SDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 55A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]