Продукція > NP8

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NP8PRO POWERDescription: PRO POWER - NP8 - Befestigungselement, Klemme, Kabelklemme, Befestigung mit Schraube, 20.3 mm, Schwarz, 25.4 mm
tariffCode: 39269097
Innendurchmesser: 20.3mm
rohsCompliant: NA
Höhe: 38.1mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kabelklemme/Kabelclip: Kabelklemme, Befestigung mit Schraube
Außenlänge: 25.4mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 19mm
euEccn: NLR
Material der Kabelklemme/des Kabelclips: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Farbe der Kabelklemme/des Kabelclips: Schwarz
SVHC: To Be Advised
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.71 грн
5+314.11 грн
10+276.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP800C-10-2BWiremoldWire Ducting & Raceways DEVICE BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP800C-12-8BWiremoldWire Ducting & Raceways DEVICE BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP800C-15-2BWiremoldWire Ducting & Raceways DEVICE BOX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03CDE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03CLE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03DDE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03DLE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03EDE
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03KDE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03KDE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03KDE-E1/-AY/JM
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03KLE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03KLE-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03MDE
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03MDE-S18-AYNEC CorporationDescription: 80A, 30V, 0.011OHM, N-CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MP-25K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+150.30 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03MLE
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03MLE-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+150.30 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03NDE
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N03NLE
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04CHE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04DHE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04EHE-E1
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04KHE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04KHE-E1
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04KHE-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04KHE-E1-AZRenesasDescription: NP80N04KHE-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+106.52 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04MDG
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04MDG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04MHE
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04MHE-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 227950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+143.27 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04MLG
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04MLG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+143.27 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04NDG
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04NDG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+143.27 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04NDG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+143.27 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04NHE-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+143.27 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04NLG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+143.27 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04NUG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04PDG-E1B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+143.27 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04PLG-E1B-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04PLG-E1B-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04PUG-E1B-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04PUG-E1B-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N04PUG-E1B-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055KLE-E1-AYRenesasDescription: NP80N055KLE-E1-AY - SWITCHINGN-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+144.07 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055KLE-E2-AYRenesas Electronics AmericaDescription: TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055MDG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055MHE-S18-AYRenesasDescription: NP80N055MHE-S18-AY - SWITCHINGN-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MP-25K
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+166.90 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055MLE-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055NDG-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055NHE-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055NLE-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N055PDG-E1B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N06MLG-S18-AYRenesasDescription: NP80N06MLG-S18-AY - SWITCHINGN-C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MP-25K
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+148.86 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N06NLG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N06PLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 60V 80A 8.3mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N06PLG-E1B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N06PLG-E1B-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP80N06PLG-E1B-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP8101
на замовлення 20805 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP8210M
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N03KDF-E1-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N03PUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N03PUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 82A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N03PUG-E1-AZRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 30V 82A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N03PUG-E1-AZRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N03PUG-E2-AYRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N03PUG-E2-AZRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N03PUG00384Renesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N04MDG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+168.53 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N04MLG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+168.53 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N04MUG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+168.53 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N04NDG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A 3LDPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-LDPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+182.51 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N04NLG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+182.51 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N04NUG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N04PDG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N04PUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N04PUG-E1-AZRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 40V 82A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055CHE-AZ/JM
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055KHE
Код товару: 54235
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055KHE-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+154.98 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055MUG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+154.98 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055NUG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+154.98 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055NUG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+154.98 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055PUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFETs Nch Power MOSFET 55V 82A 5.2mohm TO-263 / D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055PUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055PUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 82A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055PUG-E1-AY
Код товару: 63203
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N055PUG-E2-AZNEC09+
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N06MLG-S18-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 82A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N06NLG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+160.05 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N06NLG-S18-AYNEC CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+160.05 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N06PDG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 60V 82A TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N06PLG-E1
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NP82N10PUF-E1-AYRenesasDescription: NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.8V, 10V
Supplier Device Package: TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+184.06 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NP836Antenna Technologies Limited CompanyDescription: 836 MHZ EDGESLOT OMNI (NP8000)
Power - Max: 125 W
Part Status: Active
Frequency (Center/Band): 836MHz
VSWR: 2
Number of Bands: 1
Termination: BNC Male
Gain: 2.5dBi
Frequency Range: 806MHz ~ 866MHz
Mounting Type: Adhesive
Features: Cable - 914.4mm
Packaging: Box
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19216.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP836WAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 836 MHZ EDGESLOT OMNI
Features: Cable - 914.4mm
Packaging: Box
Mounting Type: Adhesive
Frequency Range: 806MHz ~ 866MHz
Gain: 2.5dBi
Termination: BNC Male
Number of Bands: 1
VSWR: 2
Frequency (Center/Band): 836MHz
Part Status: Active
Power - Max: 125 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19216.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NP83C266BDRNA
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]