Продукція > NTF

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTF-3005-UASTerasic TechnologiesEthernet Development Tools 200G QSFP-DD Loopback Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF-3005-UASTerasic Inc.Description: 200G QSFP-DD LOOPBACK MODULE
Utilized IC / Part: DE10-Agilex
Part Status: Active
Accessory Type: Loopback Module
For Use With/Related Products: DE10-Agilex
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF-C410L410WNEW TRYDescription: AREA LIGHT, WHITE, ACTIVE SIZE:4
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+92201.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTF-C60L60WNEW TRYDescription: AREA LIGHT, WHITE, ACTIVE SIZE:6
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF0559-795
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B104K31N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B105K32N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B154K31N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B155K32N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B224K31N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B225K32N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B334K31N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B335K43N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B474K31N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF101B475K43N0T00
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF25 250K FARCOL / Ohmite
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF25 500K FARCOL / Ohmite
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955ON07+ SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955
Код товару: 62011
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955E
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955ET1
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1ON09+
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 26172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.49 грн
154+92.12 грн
200+91.74 грн
500+63.74 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON-SemiconductorP-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.29 грн
13+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
580+61.05 грн
1000+56.30 грн
Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 19719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+79.78 грн
100+53.56 грн
500+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.26 грн
2000+52.72 грн
3000+50.41 грн
5000+46.10 грн
7000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GOn SemiconductorMOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.17 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 35207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.97 грн
3000+48.48 грн
5000+45.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON-SemiconductorP-MOSFET 60V 1.7A 1W NTF2955T1G SOT223 TNTF2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.16 грн
2000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
5+97.28 грн
10+74.56 грн
20+65.08 грн
50+54.26 грн
100+47.55 грн
200+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GonsemiMOSFETs -60V 2.6A P-Channel
на замовлення 23402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
580+61.05 грн
1000+56.30 грн
10000+50.20 грн
Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.55 грн
2000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 10.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.69 грн
100+43.12 грн
500+31.79 грн
1000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T1G-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3L
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 10.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T3G
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF2955T3G********
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100ON07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100LT1G
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1
на замовлення 21360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.89 грн
2000+34.73 грн
5000+33.03 грн
10000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.90 грн
2000+31.58 грн
4000+30.91 грн
6000+28.91 грн
10000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTF3055-100T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.95 грн
2000+25.58 грн
3000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 NTF3055-100T1G TNTF3055-100
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GonsemiMOSFETs 60V 3A N-Channel
на замовлення 5844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.71 грн
2000+38.33 грн
5000+36.45 грн
10000+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.87 грн
100+39.11 грн
500+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T1G-IRH1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T3G
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T3GOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T3G************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T3LFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T3LF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T3LFG
на замовлення 53600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-100T3LG
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-108T1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTF3055-160T1 - NTF3055-160T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T1onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 8546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2019+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 2019 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T1G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T3onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T3G
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T3G**********
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T3LFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T3LF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055-160T3LG
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L100T1G
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108ON07+ SOT-223
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L1083LTFG
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1ON07+;
на замовлення 1481000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GonsemiMOSFETs 60V 3A N-Channel
на замовлення 35944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (MOSFET N-CH 60V 3A SOT223, -55 to , Id 2V @ 250µA, Ptot, Вт 1.3W, Vdss В 440pF @ 25V,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.32 грн
2000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.85 грн
2000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.15 грн
3000+34.84 грн
5000+33.93 грн
8000+31.68 грн
10000+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; Idm: 9A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.32 грн
11+41.18 грн
50+34.97 грн
100+32.96 грн
200+30.86 грн
250+30.11 грн
500+27.00 грн
1000+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 151000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+31.13 грн
2000+29.41 грн
5000+26.28 грн
10000+25.09 грн
25000+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]