Продукція > RRL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RRL025P03ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.30 грн
10+34.10 грн
100+21.98 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+20.78 грн
610+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 588
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.37 грн
500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
588+20.78 грн
610+20.03 грн
1000+19.38 грн
2500+18.13 грн
Мінімальне замовлення: 588
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V Vds -2.5A 0.095Rds(on) 5.2Qg
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.08 грн
10+35.20 грн
100+20.08 грн
500+15.45 грн
1000+14.64 грн
3000+11.18 грн
9000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRL025P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.055 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.17 грн
26+32.85 грн
100+21.79 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+52.37 грн
282+43.31 грн
507+24.10 грн
509+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+31.75 грн
401+30.47 грн
500+29.37 грн
1000+27.40 грн
2500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TRROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -2.5A
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.92 грн
10+44.42 грн
100+28.32 грн
500+21.33 грн
1000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+31.75 грн
401+30.47 грн
500+29.37 грн
1000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 385
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.76 грн
10+49.58 грн
100+32.42 грн
500+23.53 грн
1000+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RRL025P03TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+56.12 грн
240+51.04 грн
324+37.73 грн
325+36.28 грн
500+28.14 грн
1000+23.01 грн
3000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.69 грн
10+35.71 грн
100+23.06 грн
500+16.51 грн
1000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03FRATRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRL035P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.036 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.85 грн
500+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03FRATRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V Vds -3.5A 0.058Rds(on) 8Qg
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.04 грн
11+33.59 грн
100+20.75 грн
500+15.74 грн
1000+14.27 грн
3000+10.37 грн
9000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRL035P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.036 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.17 грн
26+32.93 грн
100+23.36 грн
500+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 7543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.32 грн
10+31.96 грн
100+20.55 грн
500+14.66 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03TRROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.67 грн
10+33.93 грн
100+19.13 грн
500+14.64 грн
1000+13.17 грн
3000+10.23 грн
9000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRL035P03TRROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -14A; 1W; SOT363
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -14A
Case: SOT363
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRL228M01601300200050B000HONGDA ELECTRONICS CO., LIMITED2200 мкФ 16 В RRL 13*20 -40...+105C 2000h LS=5mm 920mA Bulk RoHS
на замовлення 295 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRL478M02501600250075B000HONGDA ELECTRONICS CO., LIMITED4700 мкФ 25 В 16*25 -55...105°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRLDCASTERHAMMONDDescription: HAMMOND - RRLDCASTER - CASTERS
tariffCode: 83022000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Tragfähigkeit: 0
euEccn: NLR
hazardous: false
Raddurchmesser: 3"
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: DNRR Heavy Duty and RRAL Aluminum Relay Racks
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7841.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RRLDCASTERHammond ManufacturingDescription: CASTERS (4) LIGHT DUTY
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRLDCASTERHammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories 4 pc Caster Set for Open Frame Rack
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7830.23 грн
5+7080.46 грн
10+5606.63 грн
25+5444.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RRLPDOLHammond ManufacturingDescription: DOLLY LOW PROFILE HEAVY DUTY
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRLPDOLHammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories Low Profile Relay Rack Dolly
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRLPDOLHAMMONDDescription: HAMMOND - RRLPDOL - TRANSPORTATION BASE, DNRR AND RRAL ALUMINUM RELAY RACK
tariffCode: 83022000
rohsCompliant: YES
Außenhöhe - imperial: 4.1"
Gehäuseunterteil: Transportation Base
Zur Verwendung mit: DNRR and RRAL Aluminum Relay Racks
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Material des Gehäuseunterteils: -
Außentiefe - metrisch: 699mm
usEccn: EAR99
Außenhöhe - metrisch: 104.9mm
Außentiefe - imperial: 27.5"
euEccn: NLR
Außenbreite - metrisch: -
Produktpalette: RRLPDOL Series
productTraceability: No
Farbe des Gebäudeunterteils: -
Außenbreite - Zoll: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23257.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.