Продукція > RRR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RRR-1Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.315" NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Nylon
Hole Diameter: 0.197" (5.00mm)
Type: Push Rivet
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Rivet Length: 0.315" (8.00mm)
Grip Range: 0.059" ~ 0.138" (1.50mm ~ 3.51mm)
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.42 грн
13+24.79 грн
100+19.83 грн
1000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-1EssentraScrews & Fasteners Rivet,Remv,Black,.059-.138 in Hold
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-2Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.315" NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Nylon
Hole Diameter: 0.197" (5.00mm)
Type: Push Rivet
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Rivet Length: 0.315" (8.00mm)
Grip Range: 0.138" ~ 0.217" (3.51mm ~ 5.51mm)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.49 грн
16+20.88 грн
17+19.29 грн
25+16.46 грн
50+15.39 грн
100+14.41 грн
250+13.09 грн
500+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-2EssentraScrews & Fasteners Rivet,Remv,Black,.138-.217 in Hold
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-250ML (восстановитель обрезиненых валиков)
Код товару: 24913
Додати до обраних Обраний товар

Хімія > Інша хімія
Опис: Восстановитель обрезиненных валиков
товару немає в наявності
1+303.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.97 грн
10+38.54 грн
100+22.42 грн
500+17.06 грн
1000+15.00 грн
3000+11.94 грн
9000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.25 грн
10+36.50 грн
100+23.50 грн
500+16.82 грн
1000+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03FRATLROHM SEMICONDUCTORRRR030P03FRATL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03GZROHMSOT-23
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.53 грн
10+40.13 грн
56+20.18 грн
153+19.13 грн
3000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.78 грн
500+23.03 грн
1000+18.10 грн
5000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs RRR030P03HZG is a MOSFET with low on - resistance, suitable for DC-DC converters.
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.88 грн
10+43.12 грн
100+25.71 грн
500+20.35 грн
1000+18.59 грн
3000+15.69 грн
6000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.94 грн
10+37.86 грн
100+26.01 грн
500+21.53 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+43.78 грн
13+32.20 грн
56+16.82 грн
153+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+49.18 грн
20+43.00 грн
100+29.78 грн
500+23.03 грн
1000+18.10 грн
5000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLROHMDescription: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.83 грн
21+41.97 грн
100+28.41 грн
500+20.24 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.61 грн
10+41.88 грн
100+24.33 грн
500+18.98 грн
1000+16.22 грн
3000+13.24 грн
9000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.73 грн
6000+13.92 грн
9000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLROHMDescription: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.41 грн
500+20.24 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.77 грн
10+39.29 грн
100+25.48 грн
500+18.32 грн
1000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR035N03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR035N03GZROHMSOT-23
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR035N03GZTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHM SEMICONDUCTORRRR040P03FRATL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHMDescription: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+70.13 грн
17+52.70 грн
100+39.40 грн
500+30.45 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHMDescription: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.40 грн
500+30.45 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.18 грн
10+49.26 грн
100+36.58 грн
500+29.24 грн
1000+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+43.24 грн
500+34.16 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR040P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.10 грн
17+52.02 грн
100+38.71 грн
500+30.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.94 грн
10+43.47 грн
100+29.46 грн
500+26.93 грн
1000+22.65 грн
3000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.71 грн
6000+20.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+22.13 грн
550+22.03 грн
595+20.39 грн
1000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLROHMDescription: ROHM - RRR040P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.35 грн
22+39.91 грн
100+37.42 грн
500+18.33 грн
1000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.58 грн
10+38.63 грн
100+31.52 грн
500+19.13 грн
1000+15.00 грн
3000+9.33 грн
6000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLROHMDescription: ROHM - RRR040P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.42 грн
500+18.33 грн
1000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR250ELECTROLUBEDescription: ELECTROLUBE - RRR250 - Reiniger, Walzenreiniger und Pflegemittel, Drucker, Schreibmaschinen, Sprühflasche, 250ml
tariffCode: 38140090
Reiniger: Lackentferner
productTraceability: No
Behältertyp: Sprühflasche
rohsCompliant: YES
Gewicht: -g
Anwendungen Reiniger: Drucker
euEccn: NLR
Volumen: 250ml
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1148.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.