Продукція > RRR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RRR-1Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.315" NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Nylon
Hole Diameter: 0.197" (5.00mm)
Type: Push Rivet
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Rivet Length: 0.315" (8.00mm)
Grip Range: 0.059" ~ 0.138" (1.50mm ~ 3.51mm)
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.42 грн
13+24.11 грн
100+19.29 грн
1000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-1EssentraScrews & Fasteners Rivet,Remv,Black,.059-.138 in Hold
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-2Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.315" NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Nylon
Hole Diameter: 0.197" (5.00mm)
Type: Push Rivet
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Rivet Length: 0.315" (8.00mm)
Grip Range: 0.138" ~ 0.217" (3.51mm ~ 5.51mm)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.76 грн
16+20.31 грн
17+18.76 грн
25+16.00 грн
50+14.97 грн
100+14.02 грн
250+12.73 грн
500+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-2EssentraScrews & Fasteners Rivet,Remv,Black,.138-.217 in Hold
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-250ML (восстановитель обрезиненых валиков)
Код товару: 24913
Додати до обраних Обраний товар

Хімія > Інша хімія
Опис: Восстановитель обрезиненных валиков
товару немає в наявності
1+303.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.43 грн
10+37.48 грн
100+21.80 грн
500+16.59 грн
1000+14.59 грн
3000+11.61 грн
9000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.50 грн
100+22.85 грн
500+16.35 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 5.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 75mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03GZROHMSOT-23
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHM SEMICONDUCTORRRR030P03HZGTL SMD P channel transistors
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.19 грн
56+19.61 грн
153+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.39 грн
500+25.35 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs RRR030P03HZG is a MOSFET with low on - resistance, suitable for DC-DC converters.
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.49 грн
10+41.93 грн
100+25.00 грн
500+19.79 грн
1000+18.08 грн
3000+15.25 грн
6000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+36.82 грн
100+25.30 грн
500+20.94 грн
1000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+58.27 грн
17+49.50 грн
100+34.39 грн
500+25.35 грн
1000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLROHMDescription: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.69 грн
21+40.40 грн
100+26.55 грн
500+18.99 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.09 грн
10+40.73 грн
100+23.66 грн
500+18.45 грн
1000+15.78 грн
3000+12.87 грн
9000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.30 грн
6000+13.54 грн
9000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLROHMDescription: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.46 грн
500+17.13 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.15 грн
10+38.21 грн
100+24.78 грн
500+17.82 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RRR035N03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR035N03GZROHMSOT-23
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR035N03GZTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHMDescription: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.78 грн
18+47.50 грн
100+28.47 грн
500+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHMDescription: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.47 грн
500+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHM SEMICONDUCTORRRR040P03FRATL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.23 грн
10+47.90 грн
100+35.58 грн
500+28.44 грн
1000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+43.56 грн
500+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 281
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR040P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.12 грн
17+50.59 грн
100+37.65 грн
500+29.53 грн
1000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Pch -30V -4A Small Signal MOSFET
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+42.80 грн
100+33.55 грн
500+25.23 грн
1000+23.44 грн
3000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.09 грн
6000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+22.30 грн
550+22.19 грн
595+20.54 грн
1000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 548
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.16 грн
12+29.44 грн
100+24.18 грн
3000+8.19 грн
9000+7.37 грн
24000+7.22 грн
45000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLROHMDescription: ROHM - RRR040P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.06 грн
500+32.71 грн
1000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLROHMDescription: ROHM - RRR040P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.90 грн
100+37.06 грн
500+32.71 грн
1000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RRR250ELECTROLUBEDescription: ELECTROLUBE - RRR250 - Reiniger, Walzenreiniger und Pflegemittel, Drucker, Schreibmaschinen, Sprühflasche, 250ml
tariffCode: 38140090
Reiniger: Lackentferner
productTraceability: No
Behältertyp: Sprühflasche
rohsCompliant: YES
Gewicht: -g
Anwendungen Reiniger: Drucker
euEccn: NLR
Volumen: 250ml
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1116.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.