Продукція > RRR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RRR-1Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.315" NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Nylon
Hole Diameter: 0.197" (5.00mm)
Type: Push Rivet
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Rivet Length: 0.315" (8.00mm)
Grip Range: 0.059" ~ 0.138" (1.50mm ~ 3.51mm)
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
13+23.26 грн
100+18.61 грн
1000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-1EssentraScrews & Fasteners Rivet,Remv,Black,.059-.138 in Hold
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-2Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.315" NYLON BLACK
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Nylon
Hole Diameter: 0.197" (5.00mm)
Type: Push Rivet
Head Height: 0.080" (2.03mm)
Rivet Length: 0.315" (8.00mm)
Grip Range: 0.138" ~ 0.217" (3.51mm ~ 5.51mm)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
16+19.59 грн
17+18.10 грн
25+15.44 грн
50+14.44 грн
100+13.52 грн
250+12.28 грн
500+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-2EssentraScrews & Fasteners Rivet,Remv,Black,.138-.217 in Hold
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR-250ML (відновлювач гумованих валиків)
Код товару: 24913
Додати до обраних Обраний товар
Хімія > Інша хімія
Опис: Відновлювач гумованих валиків
товару немає в наявності
1+303.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.50 грн
10+34.77 грн
100+20.23 грн
500+15.39 грн
1000+13.53 грн
3000+10.77 грн
9000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR015P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.25 грн
100+22.05 грн
500+15.78 грн
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -12A
Drain current: -3A
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Case: SOT346
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03GZROHMSOT-23
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -30V -3A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.10 грн
10+45.49 грн
100+25.82 грн
500+19.88 грн
1000+18.57 грн
3000+16.36 грн
6000+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.33 грн
100+27.63 грн
500+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT346; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT346
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: -3A
Gate charge: 5.2nC
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.91 грн
11+39.30 грн
100+25.68 грн
500+19.78 грн
1000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.95 грн
500+21.61 грн
1000+16.98 грн
5000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR030P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.15 грн
20+40.35 грн
100+27.95 грн
500+21.61 грн
1000+16.98 грн
5000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.35 грн
100+23.57 грн
500+16.95 грн
1000+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLROHMDescription: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.18 грн
500+13.01 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -3A
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.18 грн
10+37.79 грн
100+21.95 грн
500+17.12 грн
1000+14.64 грн
3000+11.94 грн
9000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR030P03TLROHMDescription: ROHM - RRR030P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.075 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+14.42 грн
57+14.26 грн
100+14.18 грн
500+13.01 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR035N03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR035N03GZROHMSOT-23
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR035N03GZTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHMDescription: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.67 грн
15+56.30 грн
100+34.63 грн
500+22.06 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHMDescription: ROHM - RRR040P03FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.63 грн
500+22.06 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V Vds -4A 0.052Rds(on) 10.5Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1W; SOT346
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1W
Case: SOT346
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.60 грн
500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLROHMDescription: ROHM - RRR040P03HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.032 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.65 грн
17+48.81 грн
100+36.32 грн
500+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -30V -4A, DriveVoltage:-4 SOT346T
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
10+39.22 грн
100+26.58 грн
500+24.30 грн
1000+20.43 грн
3000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
на замовлення 6101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.53 грн
100+34.03 грн
500+24.86 грн
1000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+25.90 грн
550+25.78 грн
595+23.86 грн
1000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.30 грн
6000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLROHMDescription: ROHM - RRR040P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.42 грн
500+23.78 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLROHMDescription: ROHM - RRR040P03TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.89 грн
23+36.32 грн
100+26.42 грн
500+23.78 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRR040P03TLROHM SemiconductorMOSFETs 4V DRIVE PCH MOSFET
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.42 грн
10+34.85 грн
100+28.44 грн
500+17.26 грн
1000+13.53 грн
3000+8.42 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RRR250ELECTROLUBEDescription: ELECTROLUBE - RRR250 - Reiniger, Walzenreiniger und Pflegemittel, Drucker, Schreibmaschinen, Sprühflasche, 250ml
tariffCode: 38140090
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anwendungen Reiniger: Drucker
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Behältertyp: Sprühflasche
isCanonical: Y
Volumen: 250ml
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Reiniger: Lackentferner
Gewicht: -
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1393.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.