Продукція > RTR

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RTR-1General WireDescription: SMALL CORKSCREW RETRIEVING TOOL
Packaging: Box
Type: Corkscrew Retrieving Tool
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1630.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-100Smiths Interconnect / IDIHand Tools SIZE 100 INSERT TOOL FOR RECEPTACLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-1LCinch Connectivity Solutions TrompeterDescription: TOOL REMOVL BNC/TRB PLUG R/A 12"
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: BNC/TRB Connectors
Tool Type: Extraction Tool
Part Status: Active
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4307.99 грн
5+3844.50 грн
10+3720.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-1LTrompeter / Cinch Connectivity SolutionsExtraction, Removal & Insertion Tools BNC/TRB CBL PLG Removal Tool R/A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4635.87 грн
5+4235.41 грн
10+3564.23 грн
30+3535.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-1SCinch Connectivity Solutions TrompeterDescription: TOOL REMOVAL BNC/TRB PLUG R/A 6"
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: BNC/TRB and TNC Connectors
Tool Type: Extraction Tool
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-1STrompeter / Cinch Connectivity SolutionsExtraction, Removal & Insertion Tools BNC/TRB CBL PLG Removal Tool R/A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-2General WireDescription: LARGE CORKSCREW RETRIEVING TOOL
Packaging: Box
Type: Corkscrew Retrieving Tool
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2654.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-6202QUALCOMM0603+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-6237-0-68MQFN-
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-6237-0-68MQFN-TR-00
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-6250QUALCOMM07+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-6275-QFN56-TR-
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-6280-0-68MQFN-
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-6280-0-68MQFN-MT-03QUALCOMM0822
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR-6285A-0-137CSP-TR-01-0QUALOMMBGA
на замовлення 44582 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR011P02ROHM10+ROHS TSMT3
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR011P02FSROHM
на замовлення 8037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR011P02TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -20V, -1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR011P02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR011P02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR011P02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR011P02TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N02
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N03
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05ROHM10+ROHS TSMT3
на замовлення 27430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05FRATLROHMDescription: ROHM - RTR020N05FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.18 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.10 грн
500+31.19 грн
1000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05FRATLROHMDescription: ROHM - RTR020N05FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.18 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
12+69.51 грн
100+45.10 грн
500+31.19 грн
1000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05HZGTLROHMDescription: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.48 грн
500+21.54 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 45V 2A Small Signal MOSFET
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+39.93 грн
100+22.64 грн
500+17.40 грн
1000+15.74 грн
3000+13.53 грн
6000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.68 грн
100+26.47 грн
500+19.09 грн
1000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05HZGTLROHMDescription: ROHM - RTR020N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.18 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.32 грн
18+45.02 грн
100+29.32 грн
500+20.94 грн
1000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 3779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.30 грн
10+58.33 грн
100+38.55 грн
500+28.19 грн
1000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05TLROHMDescription: ROHM - RTR020N05TL - Leistungs-MOSFET, niedrige Gate-Schwellenspannung, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.25 ohm, TSMT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.00 грн
500+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05TLRohmMOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05TLROHM SemiconductorMOSFETs SINGLE N-CHAN 45V 2A
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.43 грн
10+58.51 грн
100+34.03 грн
500+27.20 грн
1000+24.71 грн
3000+21.26 грн
6000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020N05TLROHMDescription: ROHM - RTR020N05TL - Leistungs-MOSFET, niedrige Gate-Schwellenspannung, n-Kanal, 45 V, 2 A, 0.25 ohm, TSMT
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.40 грн
14+61.45 грн
100+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02ROHM09+
на замовлення 120018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02 TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02/TXROHM09+
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P020/TXROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02GZTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 13189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.19 грн
100+31.05 грн
500+22.60 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02HZGTLROHMDescription: ROHM - RTR020P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.05 грн
500+26.62 грн
1000+22.37 грн
5000+19.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.72 грн
6000+17.56 грн
9000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02HZGTLROHMDescription: ROHM - RTR020P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.1 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.40 грн
16+51.87 грн
100+36.81 грн
500+26.55 грн
1000+22.23 грн
5000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -20V -2A, DriveVoltage:-2.5 SOT346T
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+46.20 грн
100+28.58 грн
500+22.16 грн
1000+20.16 грн
3000+17.47 грн
6000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02TLROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.45 грн
10+41.60 грн
100+35.69 грн
1000+28.93 грн
3000+20.71 грн
9000+19.95 грн
45000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR020P02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N02
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03ROHM08+ TSMT3
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03 TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03FRATLROHMDescription: ROHM - RTR025N03FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.092 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.98 грн
500+11.14 грн
1000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03FRATLROHMDescription: ROHM - RTR025N03FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.092 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.56 грн
46+17.80 грн
100+14.98 грн
500+11.14 грн
1000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 12146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+34.38 грн
100+21.40 грн
500+16.78 грн
1000+15.05 грн
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
10+30.14 грн
100+21.73 грн
500+17.47 грн
1000+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.91 грн
6000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03HZGTL
Код товару: 191806
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+31.86 грн
100+22.12 грн
500+16.21 грн
1000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03TLROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.43 грн
10+34.06 грн
100+20.64 грн
500+16.08 грн
1000+13.12 грн
3000+10.56 грн
9000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N03TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): 12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05HZGTLROHMDescription: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.37 грн
24+33.67 грн
100+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 45V 2.5A Small Signal MOSFET
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+38.50 грн
100+22.85 грн
500+17.60 грн
1000+15.88 грн
3000+12.43 грн
6000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+38.14 грн
100+24.85 грн
500+17.93 грн
1000+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05HZGTLROHMDescription: ROHM - RTR025N05HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 2.5 A, 0.13 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.48 грн
6000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05TL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025N05TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 2.5A
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.18 грн
10+33.98 грн
100+20.23 грн
500+15.95 грн
1000+14.50 грн
3000+11.80 грн
9000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02ROHMSOT23
на замовлення 54280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02 TLROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; Idm: -10A; 1W; TSMT3
Case: TSMT3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.5A
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 0.16Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02FRATLROHMDescription: ROHM - RTR025P02FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.48 грн
500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02FRATLROHMDescription: ROHM - RTR025P02FRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.65 грн
18+44.94 грн
100+27.46 грн
500+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTLROHMDescription: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.92 грн
500+26.32 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs MOSFET Pch -20V -2.5A, DriveVoltage:-2.5 SOT346T
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.99 грн
10+43.19 грн
100+26.92 грн
500+22.30 грн
1000+19.88 грн
3000+17.60 грн
6000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTLROHMDescription: ROHM - RTR025P02HZGTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.83 грн
15+53.88 грн
100+35.92 грн
500+26.32 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.64 грн
100+31.29 грн
500+22.78 грн
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02TLROHMSOT-23 10+
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR025P02TLROHM SemiconductorMOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.96 грн
10+35.49 грн
100+23.13 грн
500+18.16 грн
1000+15.60 грн
3000+13.05 грн
9000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
rtr02p02
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05
Код товару: 163805
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05FRATLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 45V
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 3A
Gate charge: 6.2nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
Case: TSMT3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.39 грн
100+31.87 грн
500+23.24 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs SOT346 N-CH 45V 3A
на замовлення 10447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+48.03 грн
100+28.58 грн
500+23.33 грн
1000+21.12 грн
3000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05TLROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 3A
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.60 грн
10+36.52 грн
100+20.57 грн
500+15.81 грн
1000+14.22 грн
9000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 3A; Idm: 12A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05TLROHMDescription: ROHM - RTR030N05TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 3 A, 0.067 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.71 грн
500+20.64 грн
1500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
на замовлення 39635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
10+34.85 грн
100+24.22 грн
500+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05TL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RTR030N05TLROHMDescription: ROHM - RTR030N05TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 3 A, 0.067 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 27270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.94 грн
50+36.24 грн
100+27.71 грн
500+20.64 грн
1500+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]