Продукція > VN2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VN2 | CARLO GAVAZZI | Description: CARLO GAVAZZI - VN2 - LEVEL SENSOR, 2 ELECTRODE, PA 6, CABLE tariffCode: 90153090 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: VN Series SVHC: To Be Advised | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2 | Carlo Gavazzi | Sensor Fixings & Accessories LVL SNSR COND 2 PROBE NYLON | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2 | Carlo Gavazzi Inc. | Description: SENSOR LEVEL RELAY Packaging: Box Output Type: Relay Mounting Type: Flange Mount Type: Liquid Operating Temperature: 0°C ~ 90°C Material - Housing & Prism: Nylon | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN20-080L-192 | Cer | SMD 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20-2019 | Cinch Connectivity Solutions | Description: CONN N TYPE PLUG R/A SOLDER Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pin Contact Termination: Solder Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle Cable Group: RG-214 Fastening Type: Threaded Connector Style: N Type Shield Termination: Crimp Part Status: Active Number of Ports: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20-2020 | Cinch Connectivity Solutions | Description: CONN N TYPE PLUG R/A 50OHM SOLDR Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pin Contact Termination: Solder Impedance: 50 Ohms Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle Cable Group: RG-213 Fastening Type: Threaded Connector Style: N Type Housing Color: Silver Shield Termination: Crimp Center Contact Material: Brass Frequency - Max: 4 GHz Number of Ports: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20-2020 | Vitelec / Cinch Connectivity Solutions | RF Connectors / Coaxial Connectors N R/A Crimp Plug RG 213 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20-2031 | Cinch Connectivity Solutions | Description: CONN N TYPE PLUG R/A SOLDER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20-2050 | Vitelec / Cinch Connectivity Solutions | RF Connectors / Coaxial Connectors N R/A Crimp Plug RG 223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20-2050 | Cinch Connectivity Solutions | Description: CONN N TYPE PLUG R/A SOLDER Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pin Contact Termination: Solder Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Right Angle Cable Group: RG-223 Fastening Type: Threaded Connector Style: N Type Shield Termination: Crimp Part Status: Active Number of Ports: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20-2051 | Vitelec / Cinch Connectivity Solutions | RF Connectors / Coaxial Connectors N R/A Crimp Plug RG 58 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20-2051 | Cinch Connectivity Solutions | Description: CONN N TYPE PLUG R/A 50OHM SOLDR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2010 | на замовлення 13950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2010L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 200V 0.19A 0.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2010L | на замовлення 1750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2010L-TA | Vishay | Vishay | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2010L-TR1 | Vishay | Vishay USE TN2404KL-TR1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2010LA | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2020L | на замовлення 12350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN20A | на замовлення 1005 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN20A1500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20AN | ST | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN20AN Код товару: 167209
Додати до обраних
Обраний товар
| Реле | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN20AN | ST | 01+ TO220-5 | на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20H | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN20N | ST | 0305+ ZIP5 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN20N | ST | SOP 16 | на замовлення 201000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21 | ST | 01+ TO220-5 | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21 | STMicroelectronics | Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT Packaging: Tube Features: Status Flag Package / Case: Pentawatt-5 (Vertical, Bent and Staggered Leads) Output Type: N-Channel Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 50mOhm (Max) Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 5.5V ~ 26V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 23A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 5-PENTAWATT Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21 | STMicroelectronics | Power Switch ICs - Power Distribution High Side for SSR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21(012Y) | STMicroelectronics | Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT Features: Status Flag Packaging: Tube Package / Case: Pentawatt-5 (Straight Leads, Staggered Depth) Output Type: N-Channel Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 50mOhm (Max) Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 5.5V ~ 26V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 23A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 5-PENTAWATT Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21-11-E | STMicroelectronics | Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21-11-E | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN21-12-E | STMicroelectronics | Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21-12-E | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN21-E | STMicroelectronics | Power Switch ICs - Power Distribution | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21-E | STMicroelectronics | Description: IC PWR DRVR N-CH 1:1 5PENTAWATT Features: Status Flag Packaging: Tube Package / Case: Pentawatt-5 (Vertical, Bent and Staggered Leads) Output Type: N-Channel Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 50mOhm (Max) Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 5.5V ~ 26V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required Current - Output (Max): 23A Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 5-PENTAWATT Fault Protection: Open Load Detect, Over Temperature | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21-E | ST | на замовлення 8800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2106N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 4600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2106N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2106N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2106N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2106N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 404 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2106N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2106N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1A | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2106N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2106N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 60V 4Ohm | на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2106N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - VN2106N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2106N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2106N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2110K1 | SUPERTEX | на замовлення 1580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2110K1 | SUPERTEXINC | 07+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2110K1 | SUPERTEX | 00+ | на замовлення 1545 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2110K1-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2110K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2110K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2110K1-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - VN2110K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2110K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2110K1-G | Microchip Technology | MOSFETs 100V 4Ohm | на замовлення 8037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2110K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 19245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2110K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2110K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2110K1/N1AC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN21A1500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21A1500000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 21P SIDE ENT 2.54MM PCB Packaging: Bulk Color: Green Mounting Type: Through Hole Wire Gauge: 18-30 AWG Pitch: 0.100" (2.54mm) Mating Orientation: Horizontal with Board Positions Per Level: 21 Wire Termination: Screw - Rising Cage Clamp Current: 6 A Number of Levels: 1 Voltage: 150 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN21L | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN21SP | ST | на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN21SP | ST | 09+ HSOP10 | на замовлення 1008 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN220 | ST | 01+ TO220-5 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN220 | STMicroelectronics | STMicroelectronics ABD VIPOWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2204N3 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2206 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2206N2 | SILICONI | на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2206N3 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2210 | на замовлення 5800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2210N2 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N2 | Microchip Technology | MOSFETs 100V 0.35Ohm | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N2 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39 Packaging: Bag Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 | на замовлення 8430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3 | на замовлення 907 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2210N3 | Microchip Technology | MOSFETs 100V 0.35Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | VN2210N3-G THT N channel transistors | на замовлення 68 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 100V 0.35Ohm | на замовлення 529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2210N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222 | на замовлення 5507 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2222L | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.23A 0.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222L | Vishay | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2222LL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2222LL | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL | onsemi | MOSFET 60V 150mA N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.23A 0.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL | Microchip Technology | MOSFET 60V 7.5Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL-G Код товару: 103104
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | MOSFETs 60V 7.5Ohm | на замовлення 10254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO92 Power dissipation: 1W Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 1A On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar | на замовлення 267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 2546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - VN2222LL-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 11089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: TO92 Power dissipation: 1W Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 1A On-state resistance: 7.5Ω Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 267 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G P005 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P003 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P003 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P003 | Microchip Technology | MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P003 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 2336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P003 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P013 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P013 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P013 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; Idm: 1A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P013 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LL-G-P013 | Microchip Technology | MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LL-TR1-E3 | VISHAY | TO92 | на замовлення 3745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LLG | ON Semiconductor | MOSFET 60V 150mA N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LLG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LLG | на замовлення 3992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2222LLRL | onsemi | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LLRL | ONSEMI | Description: ONSEMI - VN2222LLRL - VN2222LLRL, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2222LLRLRA | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LLRLRAG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2222LM | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2222M | на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2224N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2224N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 240V 1.25Ohm | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2224N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.54A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2224N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.54A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2224N3-G P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2224N3-G P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2224N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2224N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2224N3-G P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN22A1500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2306N1 | на замовлення 523 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2310N1 | на замовлення 523 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN23A1500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2401L | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2406 | на замовлення 3307 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2406B | SILICONI | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2406D | VISHAY | на замовлення 2215 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2406L | onsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406L | Motorola | (TMOS,N-CH,240V,0.2A,TO-92) | на замовлення 45 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406L | Vishay / Siliconix | MOSFET 240V 0.18A 0.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406L Код товару: 30187
Додати до обраних
Обраний товар
| Vishay | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 240 V Idd,A: 0,18 A Rds(on), Ohm: 6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 135/ - Монтаж: THT | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
| VN2406L | Microchip Technology | MOSFET 240V 6Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406L-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2406L-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2406L-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2406L-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406L-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2406L-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V | на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2406L-G | Microchip Technology | MOSFETs 240V 6Ohm | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2406L-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2406L-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - VN2406L-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 6 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2406L-G P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406L-G P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406L-G P005 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406L-G P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406L-G P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406LZL1 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL FET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406M | Siliconix | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2406M | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2410 | на замовлення 1831 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2410L | SILICONI | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2410L Код товару: 119529
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2410L | Microchip Technology | MOSFETs 240V 10Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L | onsemi | MOSFETs 240V 200mA N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L | Vishay / Siliconix | MOSFETs 240V 0.18A 0.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2410L-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 0.19A Power dissipation: 1W Pulsed drain current: 1.7A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 240V Case: TO92 Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2410L-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V | на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2410L-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - VN2410L-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 190 mA, 10 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2410L-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2410L-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 190mA; Idm: 1.7A; 1W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 0.19A Power dissipation: 1W Pulsed drain current: 1.7A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 240V Case: TO92 Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 586 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2410L-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L-G | Microchip Technology | MOSFETs 240V 10Ohm | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2410L-G P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L-G P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L-G P005 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L-G-P013 | Microchip Technology | MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | на замовлення 1986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2410L-G-P013 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L-G-P013 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L-G-P014 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 240V 0.19A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L-G-P014 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410L-G-P014 | Microchip Technology | MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | на замовлення 1896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2410LA | VIS | 99 TO-92 | на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410LG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410LG | onsemi | MOSFET 240V 200mA N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410LS | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2410LZL1G | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2410LZL1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 240V 200MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2410M | Siliconix | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 22750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N3 | Microchip Technology | MOSFET 500V 13Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 500V 13Ohm | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N3-G P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N3-G P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N3-G P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N8 | SUPERTEX | 04+ | на замовлення 704 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 12901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 500V 13Ohm | на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 250MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 250mA; Idm: 0.75A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 0.75A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 505 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2450N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 250mA; Idm: 0.75A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.25A Pulsed drain current: 0.75A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2450N8-G Код товару: 132674
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-89 | у наявності 5 шт: 5 шт - РАДІОМАГ-Харків | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2460 | на замовлення 1473 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN2460N3 | Microchip Technology | MOSFET 600V 20Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - VN2460N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 160 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: VN2460 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N3-G Код товару: 104102
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності |
| |||||||||||||||
| VN2460N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 600V 20Ohm | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | VN2460N3-G THT N channel transistors | на замовлення 103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N3-G P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N3-G-P003 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N3-G-P014 | Microchip Technology | MOSFETs N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | на замовлення 3309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N3-G-P014 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.16A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N3-G-P014 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N8 | Microchip Technology | MOSFETs 600V 20Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N8 | SUPER | на замовлення 12680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| VN2460N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N8-g | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 6409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - VN2460N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 600 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage Verlustleistung: 1.6 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2460N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N8-g | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 200MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - VN2460N8-G - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 600 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 200 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.6 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 20 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N8-g | Microchip Technology | MOSFETs 600V 20Ohm | на замовлення 3919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN2460N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| VN24A1500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB RIS CLA 180D SOL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN26-00635NDFDMF-A | Verotronic Technologies Pte Ltd. | Description: CBL ASSY 3.5MM JACK TO JACK 25" Packaging: Bulk Color: Black Length: 25.00" (635.00mm) Style: 3.5mm to 3.5mm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Cable Type: 14.80mm OD Coaxial Cable 1st Connector: 3.5mm Jack 2nd Connector: 3.5mm Jack Part Status: Active Frequency - Max: 26.5 GHz 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Contact Gender: Female 2nd Contact Gender: Female Overall Impedance: 50 Ohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN26-00635NDMNDF-A | Verotronic Technologies Pte Ltd. | Description: CBL ASSY 3.5MM JACK TO PLUG 25" Packaging: Bulk Color: Black Length: 25.00" (635.00mm) Style: 3.5mm to 3.5mm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Cable Type: 14.80mm OD Coaxial Cable 1st Connector: 3.5mm Jack 2nd Connector: 3.5mm Plug Part Status: Active Frequency - Max: 26.5 GHz 1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line) 1st Contact Gender: Female 2nd Contact Gender: Male Overall Impedance: 50 Ohms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2780LG | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN280FM | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| VN280FMЈЁ8922Ј© | ST | SOT-82FM | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| VN2860 | ST | 09+ | на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |