Продукція > WMK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WMK ARCA 10 MID | FIBOX | Description: FIBOX - WMK ARCA 10 MID - Ösensatz, Wandmontage, 10mm, Gehäuse 5070-8060, Produktreihe ARCA IEC tariffCode: 39269097 productTraceability: No Außenbreite - metrisch: - rohsCompliant: YES Außenhöhe - metrisch: - Außenhöhe - imperial: - euEccn: NLR Gehäusematerial: Kunststoff hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Außenbreite - Zoll: - Zur Verwendung mit: Gehäuse 5070-8060 der Produktreihe ARCA IEC von Fibox usEccn: EAR99 Produktpalette: ARCA IEC Series SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK ARCA 10 MID 7050-8060 | FIBOX | Category: Enclosures - Holders Description: Set of wall holders; 4pcs. Type of enclosures accessories: set of wall holders Quantity in set/package: 4pcs. | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK ARCA 10 SMALL | FIBOX | Category: Enclosures - Holders Description: Set of wall holders; 4pcs. Type of enclosures accessories: set of wall holders Quantity in set/package: 4pcs. | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK ARCA 10 SMALL | FIBOX | Category: Enclosures - Holders Description: Set of wall holders; 4pcs. Type of enclosures accessories: set of wall holders Quantity in set/package: 4pcs. кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK ARCA 10 SMALL | FIBOX Enclosures | Description: Wall mounting lugs set, Adds 0.3 Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Enclosures Accessory Type: Wall Mount Lugs | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK ARCA 10 SMALL | FIBOX | Description: FIBOX - WMK ARCA 10 SMALL - Zubehör für Gehäuse, Ösen zur Wandmontage, Set, Gehäuse der Baureihe ARCA von Fibox tariffCode: 83025000 Art des Zubehörs: Ösen zur Wandmontage, Set productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: Gehäuse der Baureihe ARCA von Fibox usEccn: EAR99 Produktpalette: ARCA IEC Series SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK ARCA 40 medium | Fibox GmbH | Description: Wall mounting lugs set- Adds 40 Packaging: Tape & Box (TB) For Use With/Related Products: Enclosures Accessory Type: Wall Mount Lugs | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK ARCA 40 SMALL | Fibox GmbH | Description: Wall mounting lugs set-Adds 40 m Packaging: Tape & Box (TB) For Use With/Related Products: Enclosures Accessory Type: Wall Mount Lugs | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK NEO PLASTIC | FIBOX | Description: FIBOX - WMK NEO PLASTIC - Wandmontagekit, Polycarbonat, Produktreihe NEO, 80mm x 70mm x 40mm, Gehäuse NEO von Fibox tariffCode: 39231090 productTraceability: No Außenbreite - metrisch: 70mm rohsCompliant: YES Außenhöhe - metrisch: 80mm Außenhöhe - imperial: 3.15" euEccn: NLR Gehäusematerial: Polycarbonat hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Außenbreite - Zoll: 2.76" Zur Verwendung mit: Gehäuse der Produktreihe NEO von Fibox usEccn: EAR99 Produktpalette: NEO Series SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK NEO PLASTIC | FIBOX | WMKNEOP Enclosures - Holders | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK-2000 | Arbor Technology | Mounting Fixings Wall Mounting Kit for EPC-2020/2030 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK-3100 | Arbor Technology | Mounting Fixings Wall Mounting Kit for FPC-31XX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK-3100 R1.0 | Arbor Technology | Mounting Fixings Wall Mounting Kit for FPC-31XX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK-315-BLACK | ATOP Technologies | Description: ALUMINUM WALL MOUNT KIT BLACK FO Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MB5901 Series Accessory Type: Wall Mount Kit | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK-454-BLACK | ATOP Technologies | Description: NETWORKING MNTING KIT ALUM WALL Packaging: Box Accessory Type: Mounting Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK-459-BLACK | ATOP Technologies | Description: NETWORKING MNTING KIT ALUM WALL Packaging: Box Accessory Type: Mounting Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK-5000 | Arbor Technology | Mounting Fixings Wall Mounting Kit for Ares-63X3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK-5000 R1.0 | Arbor Technology | Mounting Fixings Wall Mounting Kit for Ares-63X3, FPC-3500/3502 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK-6X00 | Arbor Technology | Mounting Fixings Wall Mounting Kit for Ares-6210 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK-7000 | Arbor Technology | Mounting Fixings Wall Mounting Kit for FPC-7XXX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK-7000 R1.0 | Arbor Technology | Mounting Fixings Wall Mounting Kit for FPC-7XXX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK020N06HG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 258A; Idm: 1032A; 227W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 258A Pulsed drain current: 1032A Power dissipation: 227W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK023N08HGS | WAYON | WMK023N08HGS-CYG THT N channel transistors | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK028N08HGD | WAYON | WMK028N08HGD-CYG THT N channel transistors | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK028N10HG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 245A; Idm: 780A; 278W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 245A Pulsed drain current: 780A Power dissipation: 278W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK028N10HG2 Код товару: 203446
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMK028N10HGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 257A Pulsed drain current: 1028A Power dissipation: 379W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 134nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK028N10HGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 257A Pulsed drain current: 1028A Power dissipation: 379W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 134nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK030N06HG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 184A Pulsed drain current: 736A Power dissipation: 208.3W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 376 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK030N06HG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 184A Pulsed drain current: 736A Power dissipation: 208.3W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK030N06LG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 740A; 208.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 185A Pulsed drain current: 740A Power dissipation: 208.3W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 73.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK036N12HGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 188A; Idm: 752A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 188A Pulsed drain current: 752A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 144nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK036N12HGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 188A; Idm: 752A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 188A Pulsed drain current: 752A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 144nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 293 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK040N08HGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A; 227.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 180A Pulsed drain current: 720A Power dissipation: 227.3W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 78.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK043N10HGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 145A Pulsed drain current: 580A Power dissipation: 208W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 98.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK043N10HGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 145A Pulsed drain current: 580A Power dissipation: 208W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 98.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK043N10LGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 145A Pulsed drain current: 580A Power dissipation: 208W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 111.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK048NV6HG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W Case: TO220-3 Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 28.5nC On-state resistance: 5.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 110A Drain-source voltage: 65V Power dissipation: 104.2W Pulsed drain current: 440A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK048NV6HG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W Case: TO220-3 Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 28.5nC On-state resistance: 5.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 110A Drain-source voltage: 65V Power dissipation: 104.2W Pulsed drain current: 440A Kind of channel: enhancement | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK048NV6LG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W Case: TO220-3 Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC On-state resistance: 5.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 110A Drain-source voltage: 65V Power dissipation: 104.2W Pulsed drain current: 440A Kind of channel: enhancement | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK048NV6LG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W Case: TO220-3 Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC On-state resistance: 5.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 110A Drain-source voltage: 65V Power dissipation: 104.2W Pulsed drain current: 440A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK053N10HGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 123A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 197.4W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 82.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK053N10HGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 123A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 197.4W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 82.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK053NV8HGS | WAYON | WMK053NV8HGS-CYG THT N channel transistors | на замовлення 119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK05N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 788 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK05N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK060N08HG2 | WAYON | WMK060N08HG2-CYG THT N channel transistors | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK060N10LGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 116A; Idm: 464A; 162W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 116A Pulsed drain current: 464A Power dissipation: 162W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK060N10LGS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 116A; Idm: 464A; 162W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 116A Pulsed drain current: 464A Power dissipation: 162W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK06N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 50W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK06N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 5A Power dissipation: 50W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK072N12HG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 125A; Idm: 500A; 227W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 125A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 227W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK072N12HG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 125A; Idm: 500A; 227W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 125A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 227W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK072N12LG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 108A; Idm: 432A; 173.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 108A Pulsed drain current: 432A Power dissipation: 173.6W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK072N12LG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 108A; Idm: 432A; 173.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 108A Pulsed drain current: 432A Power dissipation: 173.6W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK07N60C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm Technology: WMOS™ C2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK07N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm Technology: WMOS™ C2 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK07N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm Technology: WMOS™ C2 | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK07N70C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK07N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6.8A Power dissipation: 55W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ M3 Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK080N10LG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41A; Idm: 328A; 108.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 41A Pulsed drain current: 328A Power dissipation: 108.7W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK080N10LG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41A; Idm: 328A; 108.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 41A Pulsed drain current: 328A Power dissipation: 108.7W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 30.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK08N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK099N10HGS | WAYON | WMK099N10HGS-CYG THT N channel transistors | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK099N10LGS | WAYON | WMK099N10LGS-CYG THT N channel transistors | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK09N25JN | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.2A; Idm: 21A; 31W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.2A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 31W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 3.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 75ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK09N60C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK09N60C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 410 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK09N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 940mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK09N70C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 5.3A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5.3A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK100N07TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 133W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 133W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK100N07TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 133W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 133W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK100N10TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 258.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 258.6W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK100N10TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 258.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 258.6W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK10N60C2 Код товару: 181200
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMK10N70C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 57W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 920mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK10N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.03Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 278 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK10N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.03Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK10N80M3 (WMK10N80M3-CYG) Код товару: 153082
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMK110N20HG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 125A; Idm: 500A; 347.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 125A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 347.2W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 73.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK110N20HG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 125A; Idm: 500A; 347.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 125A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 347.2W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 73.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK115N15HG4 | WAYON | WMK115N15HG4-CYG THT N channel transistors | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK119N12HG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; Idm: 300A; 125W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 75A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 23.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK119N12HG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; Idm: 300A; 125W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 75A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 23.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK119N12LG4 | WAYON | WMK119N12LG4-CYG THT N channel transistors | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK11N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK11N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 9A; 63W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9A Power dissipation: 63W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK120N04TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 104W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 104W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 181 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK120N04TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 104W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 104W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK13N50D1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK13N50D1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK13N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK13N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 13A; 130W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 130W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK14N60C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK14N60C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ C2 Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK14N65C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 13nC Pulsed drain current: 26A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK14N70C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 11A; 85W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK14N70C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 11A; 85W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK15N50D1B | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK15N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK161N15T2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 161A; Idm: 540A; 365W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 365W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 78nC On-state resistance: 6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 161A Pulsed drain current: 540A | на замовлення 557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK161N15T2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 161A; Idm: 540A; 365W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 365W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 78nC On-state resistance: 6mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 161A Pulsed drain current: 540A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 557 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK161N15T2 транзистор Код товару: 205068
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMK16N10T1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.8A; Idm: 63.2A; 44.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15.8A Pulsed drain current: 63.2A Power dissipation: 44.6W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 20.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK16N60C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK16N60FD | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK16N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK16N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK16N65FD | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK16N70C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 12A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 12A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK175N10HG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 73W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 73W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK175N10HG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 73W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 73W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK175N10LG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 73W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 73W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK175N10LG4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 73W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 73W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK180N03TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; Idm: 720A; 181W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 180A Pulsed drain current: 720A Power dissipation: 181W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK18N20JN | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7A; Idm: 39A; 36W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Reverse recovery time: 80ns On-state resistance: 135mΩ Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 36W Pulsed drain current: 39A Drain-source voltage: 200V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 7.2nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK190N15HG4 | WAYON | WMK190N15HG4-CYG THT N channel transistors | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK20N20JN | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; Idm: 60A; 59W; TO220-3 Case: TO220-3 Mounting: THT Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 4.1nC Reverse recovery time: 110ns On-state resistance: 80mΩ Drain current: 12A Power dissipation: 59W Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 200V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK20N50D1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK20N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 15A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK20N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 15A; 86W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 15A Power dissipation: 86W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 407 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK20N65C2 транзистор Код товару: 203321
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMK20N65C2-CYG; 15A; 650V; 86W; 0.26R; N-канальный; WMOS™ C2; Корпус: TO-220; WAYON (шт) | на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WMK220N20HG3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 78A; Idm: 312A; 312.5W Case: TO220-3 Mounting: THT Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 37nC On-state resistance: 22mΩ Drain current: 78A Power dissipation: 312.5W Pulsed drain current: 312A Drain-source voltage: 200V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK25N06TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 41.7W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK25N06TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 41.7W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 41.7W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK25N10T1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; Idm: 100A; 53.2W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 53.2W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 37.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK25N10T1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; Idm: 100A; 53.2W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 53.2W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 37.9nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK25N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 21A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK25N80M3 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ M3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 21A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK26N60C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK26N60C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK26N60F2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 22.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK26N60F2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 22.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK26N60FD | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 20A; 147W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 147W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK26N65C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 135W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 22.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK26N65SR | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ SR Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 147W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 198mΩ Mounting: THT Gate charge: 34.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK28N15T2 | WAYON | WMK28N15T2-CYG THT N channel transistors | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK28N60C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 27.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK28N60C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 27.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK28N65F2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 65A Gate charge: 27.3nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK340N20HG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 200A; 173.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 173.6W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK340N20HG2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 200A; 173.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 173.6W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK36N60C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK36N60C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK36N60F2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK36N60F2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK36N65C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK36N65C4 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 97mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK36N65F2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK38N65C2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK38N65C2-CYG; 38A; 650V; 277W; 0.089R; N-канальный; WMOS™ C2; Корпус: TO-220; WAYON (шт) | на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| WMK38N65FD | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ FD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 38A Power dissipation: 277W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.2...1.45mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK3N150D1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC On-state resistance: 5.7Ω Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 1.5kV Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK3N150D1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 40nC On-state resistance: 5.7Ω Drain current: 3A Pulsed drain current: 12A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 1.5kV Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK40N20JN | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 21A; Idm: 110A; 89W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 21A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 89W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 7.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 141ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK4N65D1B | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 112W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 14.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK4N65D1B | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 112W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 112W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 14.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK4N90D1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 65W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 Gate charge: 26nC Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 65W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK4N90D1B | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.85Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 Gate charge: 34nC Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 63W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK50N06TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 69.4W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK50N06TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 69.4W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 69.4W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK50N20JN | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; Idm: 120A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 24A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 138ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK53N60F2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 350W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK53N60F2 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ F2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 350W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK53N65F2 | WAYON | WMK53N65F2-CYG THT N channel transistors | на замовлення 484 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK6N90D1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 6A; Idm: 24A; 100W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 100W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.7Ω Mounting: THT Gate charge: 86.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK6N90D1B | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK6N90D1B | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6A; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK75N03T1 | WAYON | WMK75N03T1-CYG THT N channel transistors | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK7N65D1B | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.35Ω Mounting: THT Gate charge: 24.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ D1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK80N04T1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 56.8W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 56.8W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK80N04T1 | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A; 56.8W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 56.8W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK80N08TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 93W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 93W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 871 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK80N08TS | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 93W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 93W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK83N25JN | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 31A; Idm: 145A; 92W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 31A Pulsed drain current: 145A Power dissipation: 92W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 31mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK85N20JN | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 180W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Reverse recovery time: 160ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK90N08TS | WAYON | WMK90N08TS-CYG THT N channel transistors | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMK90R1K1S | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 6A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ S Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 6A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK93N25JN | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 42A; Idm: 280A; 180W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 42A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 180W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 190ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMK9N50D1B | WAYON | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 9A; Idm: 36A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.68Ω Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMKQ10M | FIBOX | Description: FIBOX - WMKQ10M - Ösensatz, Wandmontage, Kunststoff, 10mm, Gehäuse 5070-8060, Produktreihe ARCA IEC tariffCode: 39269097 productTraceability: No Außenbreite - metrisch: - rohsCompliant: YES Außenhöhe - metrisch: - Außenhöhe - imperial: - euEccn: NLR Gehäusematerial: Kunststoff hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Außenbreite - Zoll: - Zur Verwendung mit: Gehäuse 5070-8060 der Produktreihe ARCA IEC von Fibox usEccn: EAR99 Produktpalette: ARCA IEC Series SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMKQ10S | FIBOX | Description: FIBOX - WMKQ10S - Wandbefestigungslaschen, Set, Schränke der Produktreihe ARCA IEC, Kunststoff, 10mm Wandabstand tariffCode: 83025000 Art des Zubehörs: Ösen zur Wandmontage, Set productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Zur Verwendung mit: Schränke der Produktreihe ARCA IEC von Fibox usEccn: EAR99 Produktpalette: ARCA IEC Series SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMKQ10S | Fibox Enclosures | WMKQ10S | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMKQ10S | FIBOX | WMKQ10S Enclosures - Holders | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMKQ50M | FIBOX | Description: FIBOX - WMKQ50M - Ösensatz, Wandmontage, Kunststoff, 50mm, Gehäuse 5070-8060, Produktreihe ARCA IEC tariffCode: 39269097 productTraceability: No Außenbreite - metrisch: - rohsCompliant: YES Außenhöhe - metrisch: - Außenhöhe - imperial: - euEccn: NLR Gehäusematerial: Kunststoff hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Außenbreite - Zoll: - Zur Verwendung mit: Gehäuse 5070-8060 der Produktreihe ARCA IEC von Fibox usEccn: EAR99 Produktpalette: ARCA IEC Series SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| WMKQ50S | Fibox GmbH | Description: Quick plastic wall mounting lugs Packaging: Tape & Box (TB) For Use With/Related Products: Enclosures Accessory Type: Wall Mount Lugs | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|