Продукція > YJD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| YJD112010DG1 | Yangjie Technology | Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD120N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD15N10A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD15N10A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 22.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD180N03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD20N06A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD20N06A | Yangjie Electronic Technology | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD20N06A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD20N06A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252 Supplier Device Package: TO-252 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD20N06A-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD20N06A-F1-0000HF | YY | N-CH MOSFET 60V 20A TO-252 YJD20N06A-F1-0000HF TYJD20N06A-F1-0000HF кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD20N06A-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 20A TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD40N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD45G10A-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD45G10A-F1-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 45A TO-252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD50N03A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD50N06A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 21.6W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD50N06A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD60N02A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD60N04A | Yangjie Electronic Technology | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD60N04A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 35W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD60N04A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD80G06A-F1-0000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD80G06A-F1-0000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 80A TO-252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJD80N03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD80N03B | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJD90N06A | Yangjie Technology | Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|