Продукція > ZVP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZVP0120A | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP0120AS | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 110MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0120ASTOA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP0120ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 110MA E-LINE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0120ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 110MA E-LINE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0120ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 110MA E-LINE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0535A | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP0540ASTOA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP0545 | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP0545A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 0.045A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545A | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 450V | на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP0545A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP0545A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 45 mA, 150 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP0545A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 45MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 10881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP0545A Код товару: 58044
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP0545A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 0.045A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP0545A | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 450V 0.045A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 45MA E-LINE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 45MA E-LINE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 450V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 450V 0.045A 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 45MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 97000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP0545GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP0545GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 75 mA, 150 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450 Dauer-Drainstrom Id: 75 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 150 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 98877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP0545GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-Chnl 450V | на замовлення 11218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP0545GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP0545GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 450 V, 75 mA, 150 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Verlustleistung: 2 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP0545GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 450V 75MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP1320A | на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP1320A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 70MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP1320ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP1320ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP1320ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP1320B | на замовлення 152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP1320F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP1320FQTA | Diodes Inc | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP1320FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP1320FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.035A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -0.035A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP1320FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1617000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP1320FTA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 200V | на замовлення 39985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP1320FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP1320FTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 200 V, 35 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP1320FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 1618176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP1320FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2008BB1 | Caplugs | Conduit Fittings & Accessories CAP VENTED BLUE LDPE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106 | на замовлення 14800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP2106A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V | на замовлення 91600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106A | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line | на замовлення 7564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106A Код товару: 109749
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP2106A | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A Automotive 3-Pin E-Line ZVP2106A TZVP2106A Diodes кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106A | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 60V | на замовлення 5746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line | на замовлення 7440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP2106A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 4 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 17187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106A | DIODES INCORPORATED | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.28A; Idm: -4A; 0.7W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -280mA Pulsed drain current: -4A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement | на замовлення 4797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106AS | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 60V | на замовлення 6499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 280 mA, 5 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 280mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | DIODES INCORPORATED | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106B | FRD | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP2106CSM | на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP2106G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP2106G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 450 mA, 5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA Код товару: 143293
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V | на замовлення 37582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V | на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 60V | на замовлення 16022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.45A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -450mA Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.45A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2106GTA SOT223 | ZETEX | на замовлення 1923 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP2106GTA SOT223 | ZETEX | на замовлення 1923 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP2106GTASOT22 | на замовлення 1923 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP2106GTASOT223 | ZETEX | на замовлення 1888 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP2106GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 18 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP210SA | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP2110 | на замовлення 226 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP2110A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110A | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 100V | на замовлення 3639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 19383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP2110A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110A | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110A Код товару: 118751
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP2110AM1 | на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP2110ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 100V | на замовлення 9448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP2110GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 310 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 310mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2110GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.31A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2110GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 375mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120ASTOA | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP2120ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 120MA E-LINE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 120MA E-LINE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 200V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2120GTA Код товару: 176577
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP2120GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 200V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120GTA | ZETEX | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP2120GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | на замовлення 34629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2120GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 200V | на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2120GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP2120GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2120GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 200V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP2120GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 200V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP2120GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306 | ZETEX | SOT23 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V | на замовлення 1068 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306A | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 60V | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP3306A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 14 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306A | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin E-Line | на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin E-Line | на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306A Код товару: 129099
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP3306ASTOA | на замовлення 25080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP3306ASTOA | Diodes Inc | Description: MOSFET P-CHAN 60V TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306ETA | ZETEX | SOT-23. | на замовлення 2545 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP3306F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP3306F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90 mA, 14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA Код товару: 53873
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V | на замовлення 145182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 60V | на замовлення 7637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3306FTA/ML | ZETEX | на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP3306FTASOT23-ML | ZETEX | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP3306FTC | на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP3306FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 18 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3306FTC(ML) | на замовлення 16800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP3306TTA | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP3310A Код товару: 44420
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP3310A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP3310A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 mA, 20 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.14A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 42407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310A | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 100V | на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310A | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 60V 0.14A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.14A 3-Pin E-Line | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP3310F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310F | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP3310F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310F | Diodes Incorporated | MOSFETs Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310FQTA-52 | Diodes Zetex | 100V P-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310FQTA-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | на замовлення 40975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 100V | на замовлення 6861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.2A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.2A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 330mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 20ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA Код товару: 196658
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP3310FTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 75 mA, 20 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 100V 0.075A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA(MR) | на замовлення 447 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP3310FTA-50 | Diodes Zetex | SOT23 P-Channel Enhancement Mode Vertical Dmos Fet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA-50 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA-52 | Diodes Zetex | SOT23 P-Channel Enhancement Mode Vertical Dmos Fet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP3310FTA/MR | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP3310FTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105A | Diodes Incorporated | MOSFET P-Chnl 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP4105A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 170 mA, 10 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50 Dauer-Drainstrom Id: 170 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 625 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10 Rds(on)-Prüfspannung: 5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105A | ZETEX | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP4105A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105A | ZETEX | 09+ SOP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105A | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 50V 0.175A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 175MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105ASTOA | на замовлення 26500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP4105ASTOA | Diodes Incorporated | MOSFET P-Chnl 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105ASTOB | Diodes Incorporated | MOSFET P-Chnl 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 175MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105ASTZ | Diodes Inc | Description: MOSFET P-CHAN 50V TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4105ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFET P-Chnl 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP442 | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP4424 | на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP4424A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424A | DIODES INCORPORATED | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.2A; 0.75W; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -240V Drain current: -0.2A Power dissipation: 0.75W Case: TO92 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 8.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424A Код товару: 109747
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP4424A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424A | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424A | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 240V | на замовлення 10185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424A | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP4424A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 15 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424A | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 6185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424A | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTOA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTOA | на замовлення 17495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP4424ASTOB | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA E-LINE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 240V | на замовлення 5190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA E-LINE Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP4424ASTZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 200 mA, 7.1 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | DIODES INCORPORATED | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -200mA; Idm: -1A; 750mW; TO92 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -240V Drain current: -0.2A Pulsed drain current: -1A Power dissipation: 0.75W Case: TO92 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424ASTZ | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 3-Pin E-Line T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424G | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP4424G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 240 V, 480 mA, 11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 480mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424GT | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 234625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 240V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 240V | на замовлення 4658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 16792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ZTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4424ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET P Channel | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4424ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4505A | на замовлення 493 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP4525 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP4525E6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP4525E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 197 mA, 10 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 197mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 10ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 19853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | на замовлення 36557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP4525E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 197 mA, 10 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 197mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 19853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA Код товару: 91842
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-Chnl 250V | на замовлення 6561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525E6TC | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP4525E6TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525GQTA | Diodes Zetex | 250V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525GQTA | Diodes Inc | MOSFET BVDSS: 101V250V SOT223 T&R 1K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525GQTA | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT223 T&R 1K | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GQTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V SOT223 T Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GQTA | Diodes Zetex | 250V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Chnl 250V | на замовлення 6888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.265A; 2W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.265A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | на замовлення 3062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZVP4525GTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 265 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 265mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.265A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA-50 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 101V~250V SOT223 T Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525GTA-50 | Diodes Zetex | 250V P-Channel Enhancement Mode Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525GTC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | на замовлення 35609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525ZTA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±40V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525ZTA | Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP4525ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-Chnl 250V | на замовлення 8209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ZVP4525ZTA | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ZVP5U9LAN | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVP931V2TA | на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVPC01 | MDT | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVPC01 | QMV | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVPC01SPARROW | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVPZ106ASTOA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| ZVPZ106ASTOA | 08+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| ZVPZ106ASTOA | 08+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |