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BUK7K17-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 30 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113 Verlustleistung Pd: 53 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 53 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BUK7K17-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113 Verlustleistung, p-Kanal: 53 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BUK7K17-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 21 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung Pd: 64 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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BUK7K17-80EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80 usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125 Verlustleistung, p-Kanal: 64 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80 euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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BUK7K13-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 8000 µohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK7K13-60EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 8000 µohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK7K134-100EX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK7K134-100EX - Dual-MOSFET, SOT-1205tariffCode: 85412900 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.8 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1205 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.121 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 32 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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1PS79SB30Z | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30Z - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1PS79SB30Z | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30Z - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1PS79SB30YL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30YL - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1PS79SB30YL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30YL - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1PS79SB30,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30,135 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 1 Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600 Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 1PS79SB Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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BZV90-C2V7,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V7,115 - Zener-Diode, 2.7 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-223 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BZV90 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52H-C2V7,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZT52H-C2V7,115 - Zener-Diode, 2.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT52H productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZV90-C2V7,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V7,115 - Zener-Diode, 2.7 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-223 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BZV90 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC856B,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BC856BW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21W,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21W,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 225mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21H,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21H,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21LLYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21LLYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006 Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1412D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1412D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21LSYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006BD Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 9739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAV99S-QF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAV99S-QF - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-363 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BAV99 Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP53-16TX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товару немає в наявності |
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BCP53-10HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP53-10,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP53TX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP53-16HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BCP56-10,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BCP56-16HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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BCP56-10HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDZ33B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDZ33B,115 - Zener-Diode, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PDZ-B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 33V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDTB123YT,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS40W,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBSS5220T,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBSS4320X,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4320X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 Verlustleistung: 550 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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BCV27,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCV27,215 - Darlington-Transistor, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 4000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 4000hFE Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Verlustleistung Pd: 250mW Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817RAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1412 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BUK9880-55A/CUX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.062 ohm, SC-73, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 8W Bauform - Transistor: SC-73 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-16,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 14047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD15VL1BA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD15VL1BA,115 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 25 V, SOD-323, 2 Pin(s), 15 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 15V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-10,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-10TF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-62 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BCX55-10,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55TF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-62 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55TF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-10TF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-62 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BCX55-10-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-10-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-B5V1,113 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX79-B5V1,113 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-B11,133 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX79-B11,133 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-B10,113 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX79-B10,113 - Zener-Diode, 10 V, 400 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-204AH rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC846BQCZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC846BQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZV85-C5V6,113 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV85-C5V6,113 - Zener-Diode, 5.6 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZV85 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BUK7K17-60EX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113
Verlustleistung Pd: 53
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung, p-Kanal: 53
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113
Verlustleistung Pd: 53
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung, p-Kanal: 53
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| BUK7K17-60EX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113
Verlustleistung, p-Kanal: 53
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BUK7K17-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0113 ohm, LFPAK56D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0113
Verlustleistung, p-Kanal: 53
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0113
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| BUK7K17-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 21
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125
Verlustleistung Pd: 64
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung, p-Kanal: 64
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 21
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125
Verlustleistung Pd: 64
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung, p-Kanal: 64
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
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| BUK7K17-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125
Verlustleistung, p-Kanal: 64
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: NEXPERIA - BUK7K17-80EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0125 ohm, SOT-1205, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125
Verlustleistung, p-Kanal: 64
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
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| BUK7K13-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 191.70 грн |
| 10+ | 146.70 грн |
| 100+ | 111.60 грн |
| 500+ | 87.75 грн |
| BUK7K13-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BUK7K13-60EX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 8000 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 111.60 грн |
| 500+ | 87.75 грн |
| BUK7K134-100EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK7K134-100EX - Dual-MOSFET, SOT-1205
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.8
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.121
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BUK7K134-100EX - Dual-MOSFET, SOT-1205
tariffCode: 85412900
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.8
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-1205
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.121
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 32
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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| 1PS79SB30Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30Z - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30Z - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 20.61 грн |
| 72+ | 12.60 грн |
| 250+ | 6.53 грн |
| 1PS79SB30Z |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30Z - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30Z - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.53 грн |
| 1PS79SB30YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30YL - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30YL - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 20.61 грн |
| 72+ | 12.60 грн |
| 250+ | 6.53 грн |
| 1000+ | 4.31 грн |
| 1PS79SB30YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30YL - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30YL - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.53 грн |
| 1000+ | 4.31 грн |
| 1PS79SB30,135 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30,135 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1PS79SB
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - 1PS79SB30,135 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1PS79SB
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZV90-C2V7,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V7,115 - Zener-Diode, 2.7 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-223
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BZV90 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V7,115 - Zener-Diode, 2.7 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-223
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BZV90 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 55.53 грн |
| 22+ | 42.84 грн |
| 100+ | 29.43 грн |
| 500+ | 20.98 грн |
| BZT52H-C2V7,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZT52H-C2V7,115 - Zener-Diode, 2.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52H
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZT52H-C2V7,115 - Zener-Diode, 2.7 V, 375 mW, SOD-123F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52H
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 20.88 грн |
| 72+ | 12.60 грн |
| 115+ | 7.88 грн |
| BZV90-C2V7,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V7,115 - Zener-Diode, 2.7 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-223
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BZV90 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZV90-C2V7,115 - Zener-Diode, 2.7 V, 1.5 W, SOT-223, 4 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-223
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BZV90 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.43 грн |
| 500+ | 20.98 грн |
| BC856B,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC856BW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC856BW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.51 грн |
| 1500+ | 3.57 грн |
| BAS21W,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21W,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 225mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21W,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 225mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.65 грн |
| 1500+ | 3.00 грн |
| BAS21H,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21H,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21H,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAS21LLYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21LLYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21LLYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAS21QB-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 30.60 грн |
| 50+ | 18.36 грн |
| 100+ | 11.43 грн |
| 500+ | 9.94 грн |
| 1000+ | 9.03 грн |
| BAS21QC-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 27.72 грн |
| 54+ | 16.92 грн |
| 100+ | 10.53 грн |
| 500+ | 7.18 грн |
| 1000+ | 5.18 грн |
| BAS21QB-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 9.94 грн |
| 1000+ | 9.03 грн |
| BAS21QC-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.18 грн |
| 1000+ | 5.18 грн |
| BAS21QBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.85 грн |
| 1000+ | 3.39 грн |
| 5000+ | 3.32 грн |
| BAS21LSYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BAS21LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.69 грн |
| 1000+ | 3.78 грн |
| 5000+ | 3.70 грн |
| BAS21QBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 24.30 грн |
| 49+ | 18.72 грн |
| 100+ | 9.45 грн |
| 500+ | 5.85 грн |
| 1000+ | 3.39 грн |
| 5000+ | 3.32 грн |
| BAV99S-QF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAV99S-QF - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAV99 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAV99S-QF - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAV99 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 42.93 грн |
| 35+ | 26.01 грн |
| 100+ | 16.20 грн |
| 500+ | 13.04 грн |
| 1000+ | 10.11 грн |
| 5000+ | 6.36 грн |
| BCP53-16TX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BCP53-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP53-10HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP53-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.44 грн |
| 500+ | 14.21 грн |
| BCP53-10,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.05 грн |
| 200+ | 15.80 грн |
| 500+ | 10.80 грн |
| BCP53TX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP53TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.53 грн |
| 500+ | 17.80 грн |
| 1000+ | 16.05 грн |
| BCP53-16HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP53-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP56-10,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
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од. на суму грн.
| BCP56-16HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP56-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP56-10HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP56-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PDZ33B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ33B,115 - Zener-Diode, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PDZ33B,115 - Zener-Diode, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PDTB123YT,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 32.13 грн |
| 50+ | 19.26 грн |
| 100+ | 11.97 грн |
| 500+ | 8.16 грн |
| 1500+ | 6.65 грн |
| BAS40W,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 28.89 грн |
| 72+ | 12.60 грн |
| 100+ | 10.98 грн |
| 500+ | 8.61 грн |
| PBSS5220T,215 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 47.52 грн |
| 31+ | 29.16 грн |
| 100+ | 18.54 грн |
| 500+ | 14.37 грн |
| 1000+ | 10.95 грн |
| PBSS4320X,135 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4320X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 550
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PBSS4320X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 550
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCV27,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV27,215 - Darlington-Transistor, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 4000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4000hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 250mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BCV27,215 - Darlington-Transistor, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 4000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4000hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 250mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.94 грн |
| 1500+ | 4.66 грн |
| BC817RAZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1412
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1412
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUK9880-55A/CUX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.062 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.062 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.45 грн |
| 200+ | 22.65 грн |
| 500+ | 18.28 грн |
| BCX55-16,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 40.50 грн |
| 43+ | 21.33 грн |
| 50+ | 18.36 грн |
| 200+ | 14.21 грн |
| 500+ | 10.41 грн |
| PESD15VL1BA,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD15VL1BA,115 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 25 V, SOD-323, 2 Pin(s), 15 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PESD15VL1BA,115 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 25 V, SOD-323, 2 Pin(s), 15 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.22 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| 5000+ | 4.21 грн |
| BCX55-10,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 62.91 грн |
| 25+ | 36.09 грн |
| 50+ | 30.42 грн |
| 200+ | 22.98 грн |
| BCX55-10TF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BCX55-10,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.42 грн |
| 200+ | 22.98 грн |
| BCX55TF |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 12.62 грн |
| 1000+ | 10.26 грн |
| BCX55TF |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 48.33 грн |
| 31+ | 29.34 грн |
| 100+ | 18.36 грн |
| 500+ | 12.62 грн |
| 1000+ | 10.26 грн |
| BCX55-10TF |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BCX55-10-QX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 70.20 грн |
| 20+ | 46.35 грн |
| 100+ | 29.25 грн |
| 500+ | 19.64 грн |
| BCX55-10-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 70.20 грн |
| 20+ | 46.35 грн |
| 100+ | 29.25 грн |
| 500+ | 19.64 грн |
| BZX79-B5V1,113 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B5V1,113 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZX79-B5V1,113 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 28.35 грн |
| 53+ | 17.01 грн |
| 100+ | 10.53 грн |
| 500+ | 9.44 грн |
| 1000+ | 8.41 грн |
| 5000+ | 4.16 грн |
| BZX79-B11,133 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B11,133 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZX79-B11,133 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 27.81 грн |
| 54+ | 16.74 грн |
| 100+ | 10.44 грн |
| 500+ | 8.07 грн |
| 1000+ | 5.96 грн |
| 5000+ | 4.47 грн |
| BZX79-B10,113 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B10,113 - Zener-Diode, 10 V, 400 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZX79-B10,113 - Zener-Diode, 10 V, 400 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 16.29 грн |
| 83+ | 10.89 грн |
| 250+ | 4.64 грн |
| 1000+ | 3.51 грн |
| 5000+ | 3.04 грн |
| BC846BQCZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 10.61 грн |
| 1000+ | 8.64 грн |
| BC846BQC-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 12.20 грн |
| BZV85-C5V6,113 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV85-C5V6,113 - Zener-Diode, 5.6 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV85
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZV85-C5V6,113 - Zener-Diode, 5.6 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV85
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 42.93 грн |
| 34+ | 26.82 грн |
| 100+ | 17.01 грн |
| 500+ | 15.46 грн |
| 1000+ | 13.96 грн |


























