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Доступність |
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TDZ4V3J,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - TDZ4V3J,115 - Zener-Diode, 4.3 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TDZxJ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN018-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP400-100QSJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXP020-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP020-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP018-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP400-100QSJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXN4R7-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP8R3-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXN017-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN7R7-25QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP1500-100QSJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN8R3-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 12.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP018-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN5R5-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP6R7-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 5700 µohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP6R7-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 5700 µohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN6R7-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN010-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN6R7-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN6R2-25QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN018-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN9R0-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN6R2-25QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN9R0-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN7R7-25QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP011-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP011-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0091 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 10.5 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN4R7-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXN017-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN5R4-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN5R5-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP011-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP011-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0091 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 10.5 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN010-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN5R4-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN8R3-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 12.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP8R3-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXP6R1-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP6R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.005 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP6R1-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP6R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.005 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP1500-100QSJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP012-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP015-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXP015-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXP012-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAV199W,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAV199W,115 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 110 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 24641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAV199S-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAV199S-QZ - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 85 V, 215 mA, 1.1 V, 0.8 µs, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-363 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 0.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BAV199S-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAV199S-QZ - KLEINSIGNALDIODE, 85V, 0.215A, SOD-882tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-363 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 0.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD2CANFD27V-UX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27V-UX - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-323, 3 Pin(s), 27 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 27V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD2CANFD27U-TR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27U-TR - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-23, 3 Pin(s), 27 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 27V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD2CANFD24V-UX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD24V-UX - ESD-Schutzbaustein, 42 V, SC-70, 3 Pin(s), 24 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-70 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 42V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 24V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD2CANFD27U-QCZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27U-QCZ - ESD-Schutzbaustein, 45 V, DFN1412D, 3 Pin(s), 27 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1412D rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 45V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 27V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD2CANFD27V-QBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27V-QBZ - ESD-Schutzbaustein, 44 V, DFN1110D, 3 Pin(s), 27 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 27V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD2CANFD24U-QBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD24U-QBZ - ESD-Schutzbaustein, 43 V, DFN1110D, 3 Pin(s), 24 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 43V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 24V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PESD2CANFD27U-UX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27U-UX - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-323, 3 Pin(s), 27 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 27V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| PESD2CANFD36UT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36UT-QR - ESD-Schutzbaustein, 65 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 65V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| PESD2CANFD36LT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36LT-QR - ESD-Schutzbaustein, 47 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 47V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| PESD2CANFD36LU-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36LU-QX - ESD-Schutzbaustein, 47 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-70 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 47V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| PESD2CANFD36VU-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36VU-QX - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-70 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| PESD2CANFD36VU-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36VU-QX - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-70 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| PESD2CANFD36LU-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36LU-QX - ESD-Schutzbaustein, 47 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-70 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 47V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| PESD2CANFD36UT-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36UT-QR - ESD-Schutzbaustein, 65 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 65V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 36V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TDZ4V3J,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - TDZ4V3J,115 - Zener-Diode, 4.3 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TDZxJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - TDZ4V3J,115 - Zener-Diode, 4.3 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TDZxJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 23.22 грн |
| 62+ | 14.67 грн |
| 134+ | 6.74 грн |
| 500+ | 5.52 грн |
| 1000+ | 4.67 грн |
| 5000+ | 4.42 грн |
| PXN018-30QLJ |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 32.94 грн |
| 32+ | 28.17 грн |
| 100+ | 18.72 грн |
| 500+ | 13.71 грн |
| 1000+ | 8.87 грн |
| PXP400-100QSJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXP020-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 44.73 грн |
| 25+ | 37.44 грн |
| 100+ | 26.10 грн |
| 500+ | 18.97 грн |
| 1000+ | 11.96 грн |
| PXP020-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.47 грн |
| 500+ | 18.47 грн |
| 1000+ | 14.19 грн |
| PXP018-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.99 грн |
| 500+ | 16.63 грн |
| PXP400-100QSJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXN4R7-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 61.74 грн |
| 18+ | 52.74 грн |
| PXP8R3-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXN017-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 45.90 грн |
| 25+ | 36.45 грн |
| 100+ | 27.09 грн |
| 500+ | 21.31 грн |
| PXN7R7-25QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 31.68 грн |
| 37+ | 24.48 грн |
| 100+ | 16.38 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 7.79 грн |
| PXP1500-100QSJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 49.95 грн |
| 22+ | 41.31 грн |
| 100+ | 26.46 грн |
| PXN8R3-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 32.31 грн |
| 500+ | 25.41 грн |
| 1000+ | 16.51 грн |
| PXP018-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.16 грн |
| 33+ | 27.45 грн |
| 100+ | 18.99 грн |
| 500+ | 16.63 грн |
| PXN5R5-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.43 грн |
| 500+ | 19.47 грн |
| 1000+ | 15.20 грн |
| PXP6R7-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 5700 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 5700 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 132.30 грн |
| 11+ | 86.04 грн |
| 100+ | 59.85 грн |
| 500+ | 52.48 грн |
| 1000+ | 47.44 грн |
| PXP6R7-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 5700 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 5700 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 59.85 грн |
| 500+ | 52.48 грн |
| 1000+ | 47.44 грн |
| PXN6R7-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 41.31 грн |
| 35+ | 25.83 грн |
| 100+ | 24.93 грн |
| 500+ | 22.06 грн |
| 1000+ | 17.90 грн |
| PXN010-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 45.99 грн |
| 26+ | 35.91 грн |
| 100+ | 23.85 грн |
| PXN6R7-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXN6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.93 грн |
| 500+ | 22.06 грн |
| 1000+ | 17.90 грн |
| PXN6R2-25QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.24 грн |
| PXN018-30QLJ |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.72 грн |
| 500+ | 13.71 грн |
| 1000+ | 8.87 грн |
| PXN9R0-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 52.20 грн |
| 22+ | 41.67 грн |
| 100+ | 30.96 грн |
| 500+ | 24.32 грн |
| 1000+ | 15.81 грн |
| PXN6R2-25QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 55.62 грн |
| 26+ | 34.83 грн |
| 100+ | 30.24 грн |
| PXN9R0-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.96 грн |
| 500+ | 24.32 грн |
| 1000+ | 15.81 грн |
| PXN7R7-25QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.38 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 7.79 грн |
| PXP011-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP011-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0091 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXP011-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0091 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 62.10 грн |
| 17+ | 54.72 грн |
| 100+ | 41.94 грн |
| 500+ | 30.84 грн |
| 1000+ | 20.60 грн |
| PXN4R7-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXN017-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.09 грн |
| 500+ | 21.31 грн |
| 1000+ | 13.81 грн |
| PXN5R4-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.02 грн |
| 500+ | 19.30 грн |
| 1000+ | 13.73 грн |
| PXN5R5-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXN5R5-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 22 A, 5400 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.5W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 65.43 грн |
| 20+ | 45.72 грн |
| 100+ | 29.43 грн |
| 500+ | 19.47 грн |
| 1000+ | 15.20 грн |
| PXP011-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP011-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0091 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXP011-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0091 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.94 грн |
| 500+ | 30.84 грн |
| 1000+ | 20.60 грн |
| PXN010-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.85 грн |
| PXN5R4-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
Description: NEXPERIA - PXN5R4-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0046 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 47.61 грн |
| 23+ | 40.41 грн |
| 100+ | 25.02 грн |
| 500+ | 19.30 грн |
| 1000+ | 13.73 грн |
| PXN8R3-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 54.00 грн |
| 21+ | 43.47 грн |
| 100+ | 32.31 грн |
| 500+ | 25.41 грн |
| 1000+ | 16.51 грн |
| PXP8R3-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXP6R1-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP6R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.005 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
Description: NEXPERIA - PXP6R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.005 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.79 грн |
| PXP6R1-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP6R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.005 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
Description: NEXPERIA - PXP6R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.005 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 78.66 грн |
| 50+ | 67.77 грн |
| 100+ | 56.79 грн |
| PXP1500-100QSJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PXP1500-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.93 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.46 грн |
| PXP012-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.33 грн |
| 500+ | 18.80 грн |
| 1500+ | 17.05 грн |
| PXP015-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXP015-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXP012-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 50.31 грн |
| 50+ | 40.32 грн |
| 100+ | 30.33 грн |
| 500+ | 18.80 грн |
| 1500+ | 17.05 грн |
| BAV199W,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAV199W,115 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 110 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BAV199W,115 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 110 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.65 грн |
| 1500+ | 3.07 грн |
| BAV199S-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAV199S-QZ - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 85 V, 215 mA, 1.1 V, 0.8 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAV199S-QZ - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 85 V, 215 mA, 1.1 V, 0.8 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.82 грн |
| 500+ | 17.30 грн |
| 1000+ | 13.11 грн |
| 5000+ | 10.03 грн |
| BAV199S-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAV199S-QZ - KLEINSIGNALDIODE, 85V, 0.215A, SOD-882
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAV199S-QZ - KLEINSIGNALDIODE, 85V, 0.215A, SOD-882
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 59.58 грн |
| 29+ | 31.50 грн |
| 100+ | 26.82 грн |
| 500+ | 17.30 грн |
| 1000+ | 13.11 грн |
| 5000+ | 10.03 грн |
| PESD2CANFD27V-UX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27V-UX - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-323, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27V-UX - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-323, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.27 грн |
| 500+ | 14.12 грн |
| 1000+ | 8.79 грн |
| PESD2CANFD27U-TR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27U-TR - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-23, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27U-TR - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-23, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.23 грн |
| 1000+ | 5.68 грн |
| PESD2CANFD24V-UX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD24V-UX - ESD-Schutzbaustein, 42 V, SC-70, 3 Pin(s), 24 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 42V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD24V-UX - ESD-Schutzbaustein, 42 V, SC-70, 3 Pin(s), 24 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 42V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 10.45 грн |
| 1000+ | 9.57 грн |
| PESD2CANFD27U-QCZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27U-QCZ - ESD-Schutzbaustein, 45 V, DFN1412D, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 45V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27U-QCZ - ESD-Schutzbaustein, 45 V, DFN1412D, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 45V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.41 грн |
| 500+ | 9.36 грн |
| 1000+ | 6.48 грн |
| 2500+ | 6.09 грн |
| PESD2CANFD27V-QBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27V-QBZ - ESD-Schutzbaustein, 44 V, DFN1110D, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27V-QBZ - ESD-Schutzbaustein, 44 V, DFN1110D, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 28.71 грн |
| 43+ | 20.97 грн |
| 100+ | 9.36 грн |
| 500+ | 7.60 грн |
| 1000+ | 6.02 грн |
| 2500+ | 5.63 грн |
| PESD2CANFD24U-QBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD24U-QBZ - ESD-Schutzbaustein, 43 V, DFN1110D, 3 Pin(s), 24 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD24U-QBZ - ESD-Schutzbaustein, 43 V, DFN1110D, 3 Pin(s), 24 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 43V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PESD2CANFD27U-UX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27U-UX - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-323, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD27U-UX - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SOT-323, 3 Pin(s), 27 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 27V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 50.22 грн |
| 30+ | 30.87 грн |
| 100+ | 19.17 грн |
| 500+ | 15.21 грн |
| 1000+ | 11.57 грн |
| PESD2CANFD36UT-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36UT-QR - ESD-Schutzbaustein, 65 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 65V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36UT-QR - ESD-Schutzbaustein, 65 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 65V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PESD2CANFD36LT-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36LT-QR - ESD-Schutzbaustein, 47 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 47V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36LT-QR - ESD-Schutzbaustein, 47 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 47V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PESD2CANFD36LU-QX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36LU-QX - ESD-Schutzbaustein, 47 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 47V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36LU-QX - ESD-Schutzbaustein, 47 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 47V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.01 грн |
| PESD2CANFD36VU-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36VU-QX - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36VU-QX - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 48.96 грн |
| 27+ | 33.84 грн |
| 100+ | 11.88 грн |
| 500+ | 9.86 грн |
| 1000+ | 8.41 грн |
| PESD2CANFD36VU-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36VU-QX - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36VU-QX - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 9.86 грн |
| 1000+ | 8.41 грн |
| PESD2CANFD36LU-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36LU-QX - ESD-Schutzbaustein, 47 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 47V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36LU-QX - ESD-Schutzbaustein, 47 V, SC-70, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-70
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 47V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 36.54 грн |
| 37+ | 24.75 грн |
| 100+ | 17.01 грн |
| PESD2CANFD36UT-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36UT-QR - ESD-Schutzbaustein, 65 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 65V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PESD2CANFD36UT-QR - ESD-Schutzbaustein, 65 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 65V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 43.92 грн |
| 28+ | 32.40 грн |
| 100+ | 11.52 грн |












