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BAS21W,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21W,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 225mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS21 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21H,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21H,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123F Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BAS21LLYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21LLYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006 Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BAS21QB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1412D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QB-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1412D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 250V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21LSYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1006BD Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 9739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS21QBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DFN1110D Durchlassstoßstrom: 9A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAV99S-QF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAV99S-QF - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-363 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BAV99 Series productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP53-16TX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BCP53-10HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP53-10,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP53TX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 145MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCP53-16HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP53-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP53H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
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BCP56-10,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
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BCP56-16HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
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BCP56-10HX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCP56-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56H Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PDZ33B,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDZ33B,115 - Zener-Diode, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PDZ-B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 33V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PDTB123YT,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTB123Y Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS40W,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBSS5220T,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PBSS4320X,135 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS4320X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 Verlustleistung: 550 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
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BCV27,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCV27,215 - Darlington-Transistor, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 4000hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 4000hFE Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Verlustleistung Pd: 250mW Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 250mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC817RAZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mWtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1412 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BUK9880-55A/CUX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.062 ohm, SC-73, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 8W Bauform - Transistor: SC-73 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-16,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 14047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PESD15VL1BA,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PESD15VL1BA,115 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 25 V, SOD-323, 2 Pin(s), 15 VtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 15V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-10,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-10TF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-62 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BCX55-10,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55TF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-62 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55TF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-62 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-10TF | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-62 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55T Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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BCX55-10-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCX55-10-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCX55-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-B5V1,113 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX79-B5V1,113 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-B11,133 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX79-B11,133 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX79-B10,113 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX79-B10,113 - Zener-Diode, 10 V, 400 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-204AH rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC846BQCZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC846BQC-QZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZV85-C5V6,113 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV85-C5V6,113 - Zener-Diode, 5.6 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZV85 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX585-C5V6,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX585-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX585 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZV49-C5V6,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZV49-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 1 W, SOT-89, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-89 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZV49 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84W-C5V6X | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX84W-C5V6X - Zener-Diode, 5.6 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C5V6R | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6R - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX8450 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX8450-C5V6-QR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6-QR - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236AB rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX8450-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HPZR-C5V6-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 682mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: HPZR-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HPZR-C5V6-QX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 682mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: HPZR-Q Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Zener-Spannung, nom.: 5.6V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TDZ4V3J,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - TDZ4V3J,115 - Zener-Diode, 4.3 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323F rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TDZxJ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXN018-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 1510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP400-100QSJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXP020-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP020-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP018-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP400-100QSJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXN4R7-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PXP8R3-20QXJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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PXN017-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 7.9 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BAS21W,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21W,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 225mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21W,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 225 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 225mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.53 грн |
| 1500+ | 2.90 грн |
| BAS21H,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21H,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21H,115 - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAS21LLYL |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21LLYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21LLYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 330 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 330mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAS21QB-QZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.96 грн |
| 41+ | 21.60 грн |
| 100+ | 13.67 грн |
| 500+ | 7.48 грн |
| 1000+ | 5.76 грн |
| BAS21QC-QZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 26.82 грн |
| 54+ | 16.37 грн |
| 100+ | 10.19 грн |
| 500+ | 6.95 грн |
| 1000+ | 5.01 грн |
| BAS21QB-QZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21QB-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.48 грн |
| 1000+ | 5.76 грн |
| BAS21QC-QZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BAS21QC-QZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1412D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.95 грн |
| 1000+ | 5.01 грн |
| BAS21QBZ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.66 грн |
| 1000+ | 3.28 грн |
| 5000+ | 3.22 грн |
| BAS21LSYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BAS21LSYL - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.47 грн |
| 1000+ | 3.66 грн |
| 5000+ | 3.58 грн |
| BAS21QBZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BAS21QBZ - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1110D
Durchlassstoßstrom: 9A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.51 грн |
| 49+ | 18.11 грн |
| 100+ | 9.14 грн |
| 500+ | 5.66 грн |
| 1000+ | 3.28 грн |
| 5000+ | 3.22 грн |
| BAV99S-QF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAV99S-QF - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAV99 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAV99S-QF - Kleinsignaldiode, Zweipaarig in Reihe, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweipaarig in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAV99 Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 41.72 грн |
| 48+ | 18.20 грн |
| 100+ | 15.76 грн |
| 500+ | 12.37 грн |
| 1000+ | 8.44 грн |
| 5000+ | 6.49 грн |
| BCP53-16TX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BCP53-16TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP53-10HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP53-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.82 грн |
| 500+ | 16.50 грн |
| BCP53-10,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP53-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.34 грн |
| 200+ | 15.28 грн |
| 500+ | 10.45 грн |
| BCP53TX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP53TX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.64 грн |
| 500+ | 14.72 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| BCP53-16HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP53-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP53-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP53H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP56-10,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP56-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 640 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 640mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP56-16HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP56-16HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCP56-10HX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCP56-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCP56-10HX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PDZ33B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ33B,115 - Zener-Diode, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PDZ33B,115 - Zener-Diode, 33 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PDTB123YT,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PDTB123YT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTB123Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 31.09 грн |
| 50+ | 18.64 грн |
| 100+ | 11.58 грн |
| 500+ | 7.89 грн |
| 1500+ | 6.43 грн |
| BAS40W,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BAS40W,115 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 19.16 грн |
| 91+ | 9.58 грн |
| 105+ | 8.33 грн |
| 500+ | 6.07 грн |
| PBSS5220T,215 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 53.65 грн |
| 28+ | 31.35 грн |
| 100+ | 19.51 грн |
| 500+ | 12.53 грн |
| 1000+ | 9.48 грн |
| PBSS4320X,135 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PBSS4320X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 550
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PBSS4320X,135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2 A, 550 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Verlustleistung: 550
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCV27,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCV27,215 - Darlington-Transistor, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 4000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4000hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 250mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BCV27,215 - Darlington-Transistor, Zweifach npn, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 4000hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 220MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 4000hFE
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Verlustleistung Pd: 250mW
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.75 грн |
| 1500+ | 4.51 грн |
| BC817RAZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1412
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BC817RAZ - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1412
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BUK9880-55A/CUX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.062 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BUK9880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.062 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.56 грн |
| 200+ | 21.92 грн |
| 500+ | 17.69 грн |
| BCX55-16,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-16,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 39.19 грн |
| 43+ | 20.64 грн |
| 50+ | 17.77 грн |
| 200+ | 13.75 грн |
| 500+ | 10.08 грн |
| PESD15VL1BA,115 |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PESD15VL1BA,115 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 25 V, SOD-323, 2 Pin(s), 15 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PESD15VL1BA,115 - ESD-Schutzbaustein, TVS, 25 V, SOD-323, 2 Pin(s), 15 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 15V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.99 грн |
| 1000+ | 6.29 грн |
| 5000+ | 4.08 грн |
| BCX55-10,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 60.87 грн |
| 25+ | 34.92 грн |
| 50+ | 29.44 грн |
| 200+ | 22.24 грн |
| BCX55-10TF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BCX55-10,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-10,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.44 грн |
| 200+ | 22.24 грн |
| BCX55TF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 12.21 грн |
| 1000+ | 9.93 грн |
| BCX55TF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 46.77 грн |
| 31+ | 28.39 грн |
| 100+ | 17.77 грн |
| 500+ | 12.21 грн |
| 1000+ | 9.93 грн |
| BCX55-10TF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BCX55-10TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SC-62, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 63hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-62
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55T
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BCX55-10-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 67.93 грн |
| 20+ | 44.85 грн |
| 100+ | 28.30 грн |
| 500+ | 19.00 грн |
| BCX55-10-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BCX55-10-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCX55-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 67.93 грн |
| 20+ | 44.85 грн |
| 100+ | 28.30 грн |
| 500+ | 19.00 грн |
| BZX79-B5V1,113 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B5V1,113 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZX79-B5V1,113 - Zener-Diode, 5.1 V, 400 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 21.51 грн |
| 62+ | 14.20 грн |
| 100+ | 9.06 грн |
| 500+ | 8.25 грн |
| 1000+ | 7.45 грн |
| 5000+ | 7.30 грн |
| BZX79-B11,133 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B11,133 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BZX79-B11,133 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 15.68 грн |
| 86+ | 10.19 грн |
| 264+ | 3.31 грн |
| 500+ | 2.84 грн |
| 1000+ | 2.27 грн |
| 5000+ | 1.91 грн |
| BZX79-B10,113 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX79-B10,113 - Zener-Diode, 10 V, 400 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZX79-B10,113 - Zener-Diode, 10 V, 400 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 13.32 грн |
| 99+ | 8.88 грн |
| 231+ | 3.77 грн |
| 500+ | 3.12 грн |
| 1000+ | 2.64 грн |
| 5000+ | 2.46 грн |
| BC846BQCZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.89 грн |
| 1000+ | 5.70 грн |
| BC846BQC-QZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC846BQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.09 грн |
| BZV85-C5V6,113 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV85-C5V6,113 - Zener-Diode, 5.6 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV85
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZV85-C5V6,113 - Zener-Diode, 5.6 V, 1.3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZV85
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 15.76 грн |
| 82+ | 10.62 грн |
| 136+ | 6.42 грн |
| 500+ | 5.55 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| BZX585-C5V6,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX585-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX585
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BZX585-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX585
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.78 грн |
| 1500+ | 3.34 грн |
| BZV49-C5V6,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZV49-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 1 W, SOT-89, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-89
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZV49
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZV49-C5V6,115 - Zener-Diode, 5.6 V, 1 W, SOT-89, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-89
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZV49
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.30 грн |
| BZX84W-C5V6X |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX84W-C5V6X - Zener-Diode, 5.6 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BZX84W-C5V6X - Zener-Diode, 5.6 V, 275 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.15 грн |
| 1000+ | 1.81 грн |
| BZX8450-C5V6R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6R - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6R - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 15.68 грн |
| 107+ | 8.19 грн |
| 216+ | 4.05 грн |
| 500+ | 3.45 грн |
| 1000+ | 2.48 грн |
| 5000+ | 1.70 грн |
| BZX8450-C5V6-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6-QR - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BZX8450-C5V6-QR - Zener-Diode, 5.6 V, 250 mW, TO-236AB, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236AB
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX8450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.28 грн |
| 1000+ | 2.68 грн |
| HPZR-C5V6-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: HPZR-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: HPZR-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.64 грн |
| HPZR-C5V6-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: HPZR-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - HPZR-C5V6-QX - Zener-Diode, 5.6 V, 682 mW, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 175 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: HPZR-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 46.68 грн |
| 31+ | 28.48 грн |
| 100+ | 18.64 грн |
| TDZ4V3J,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - TDZ4V3J,115 - Zener-Diode, 4.3 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TDZxJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - TDZ4V3J,115 - Zener-Diode, 4.3 V, 500 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TDZxJ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 22.47 грн |
| 62+ | 14.20 грн |
| 134+ | 6.52 грн |
| 500+ | 5.34 грн |
| 1000+ | 4.52 грн |
| 5000+ | 4.28 грн |
| PXN018-30QLJ |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: NEXPERIA - PXN018-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.015 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.87 грн |
| 32+ | 27.26 грн |
| 100+ | 18.11 грн |
| 500+ | 13.26 грн |
| 1000+ | 8.58 грн |
| PXP400-100QSJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXP020-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 43.28 грн |
| 25+ | 36.23 грн |
| 100+ | 25.26 грн |
| 500+ | 18.36 грн |
| 1000+ | 11.57 грн |
| PXP020-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP020-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.65 грн |
| 500+ | 17.87 грн |
| 1000+ | 13.74 грн |
| PXP018-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.38 грн |
| 500+ | 16.09 грн |
| PXP400-100QSJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP400-100QSJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.275 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXN4R7-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PXN4R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 3900 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 59.74 грн |
| 18+ | 51.03 грн |
| PXP8R3-20QXJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PXN017-30QLJ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - PXN017-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.9 A, 0.0148 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7.9
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 44.42 грн |
| 25+ | 35.27 грн |
| 100+ | 26.21 грн |
| 500+ | 20.62 грн |
































