Продукція > ON SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ON SEMICONDUCTOR (94583) > Сторінка 315 з 1577
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCP59151MN50TYG | ON Semiconductor |
Лінійний СН, Точн., % = 1,5, I = 1,5 А, Udrop, В = 0,5, Uвих, В = 5, Uвх, В = 2,24...13, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFDN-8 (Exp.Pad) Очікується: 10 Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| NXV04V120DB1 | ON Semiconductor |
3-фазовий інвертор MOSFET, Ізол. = 2500 В, I = 160 А,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PowerDIP-19 Од. вим: шткількість в упаковці: 11 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM201ANG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Uживл, В = ±5...22 V, Is = 1,8 мА, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 700, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 30 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 59 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| LM201AVDR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 1,8, Uживл, В = 5...22, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 700, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 30 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM224DR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 90 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM258DMR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, I = 40 мА, Iживл = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Uживл, В = 3...32V, ±1,5...16, Тексп, °C = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Коркількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM258DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1.5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпукількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2902DR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 90 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| LM2904DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпкількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| LM358DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:кількість в упаковці: 98 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 98 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM358DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM358NG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| LM833DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний аудіопідсилювач, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 300, Шир. смуги проп., МГц = 15, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 98 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 98 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LMV358DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 160, Uживл, В = 2,7...5,5, Is = 210 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 1 700, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 1 нА,... Інтегральні мікросхемикількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MC3303DG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 5...30, ±2,5...15, Is = 2,8 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-кількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MC33071DG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICNкількість в упаковці: 98 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 98 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MC33072DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Коркількість в упаковці: 98 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| MC33072DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Коркількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| MC33072P | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, I = 30 мА, Iживл = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Uживл, В = 3...44, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| MC33074DR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Рів. шумів, дБ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 524 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| MC33078DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: кількість в упаковці: 98 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 98 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MC33078DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18 V, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпускількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 705 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| MC33079P | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 8,4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14 Од.кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MC33178DR2G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 100, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Is = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MC33179DR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 100 мкА, Iживл = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MC33202DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 80, Uживл, В = 1,8...12, ±0,9...6,0, Is = 900 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 8 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 2,2, Iвх (bias) = 80 нА,... Інтегралькількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MC33274ADG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1кількість в упаковці: 55 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| MC33274ADR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 37 мА, Iживл = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| MC33274APG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14 кількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| MC34074DG | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| NE5532AD8G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вкількість в упаковці: 98 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| NE5532D8G | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вкількість в упаковці: 98 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 98 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| NE5532DG | ON Semiconductor |
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од. кількість в упаковці: 75 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| NE5534ADR2G | ON Semiconductor |
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, I = 38 мА, Iживл = 4 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 500, Uживл, В = ±3...20, Тексп, °C = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 500 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| CAT24C128WI-GT3 | ON Semiconductor |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| CAT24C16WI-GT3 | ON Semiconductor |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Орг. пам. = 2К x 8, Тдост/Частота = 400 КГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C, Об. пам. = 16 Кбайт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| CAT24C256WI-G | ON Semiconductor |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Очікується: 12000 Од. вим: шткількість в упаковці: 100 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| CAV24C02YE-GT3 | ON Semiconductor |
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = I?C, tвстан = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| CAV24C256WE-GT3 | ON Semiconductor |
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32 х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Очікується: 22 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| NCP1851AFCCT1G | ON Semiconductor |
Контролер заряду Li-іон батареї, Uживл, В = 4,5...7,3, Тексп, °C = -40...+85, Інтерфейс = I?C, USB,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFBGA-25 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| NCP360SNT1G | ON Semiconductor |
Контролер захисту від перенапруги USB, Iживл = 24 мкА, Uживл, В = 1,2...20, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-5 Очікується: 100 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| NSV45025AZT1G | ON Semiconductor |
Регулятор струму, Uживл, В = 45 (макс.), Тексп, °C = -55...+150, Точність, % = 10, Iвих., мА = 25,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-261AA Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| CS5171EDR8G | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 280 кГц, I = 1,5 А, Uвих, В = 1,28...40, Uвх, В = 2,7...30, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2574N-5G | ON Semiconductor |
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2575D2T-005 | ON Semiconductor |
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2575D2T-12R4G | ON Semiconductor |
Імпульсний понижаючий стабілізатор, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 12, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 800 шт |
на замовлення 898 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| LM2575D2T-5G | ON Semiconductor |
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| LM2575D2T-ADJG | ON Semiconductor |
Імпульсний понижаючий СН, Uвх, В = макс. 45, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-263-5 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| LM2575T-5G | ON Semiconductor |
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C), Pb-free.... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Очікується: 200 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 107 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||
| LM2575TV-012G | ON Semiconductor |
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" , Vin,В 4.75 ~ 40 V, Vout,В 12V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 52kHz,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2575TV-5 | ON Semiconductor | Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" выводы выгн. 2 ряд(Imax=1.0A, Uout=5V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2576D2T-005G | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 52 кГц, I = 3 А, Uвх, В = 7...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2576D2T-5 | ON Semiconductor |
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" (Imax=3.0A, Uout=1.27-37V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2576D2T-ADJG | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK-5 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2576D2T-ADJR4G | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шткількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2576T-5 | ON Semiconductor | ... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2576T-5.0 | ON Semiconductor |
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2576T-5.0G | ON Semiconductor |
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 45, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2576T-ADJG | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| LM2594DADJR2G | ON Semiconductor |
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 4,5...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 150, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| NCP59151MN50TYG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Лінійний СН, Точн., % = 1,5, I = 1,5 А, Udrop, В = 0,5, Uвих, В = 5, Uвх, В = 2,24...13, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFDN-8 (Exp.Pad) Очікується: 10 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
Лінійний СН, Точн., % = 1,5, I = 1,5 А, Udrop, В = 0,5, Uвих, В = 5, Uвх, В = 2,24...13, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFDN-8 (Exp.Pad) Очікується: 10 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 195.96 грн |
| NXV04V120DB1 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
3-фазовий інвертор MOSFET, Ізол. = 2500 В, I = 160 А,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PowerDIP-19 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 11 шт
3-фазовий інвертор MOSFET, Ізол. = 2500 В, I = 160 А,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PowerDIP-19 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 11 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM201ANG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Uживл, В = ±5...22 V, Is = 1,8 мА, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 700, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 30 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 59 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Uживл, В = ±5...22 V, Is = 1,8 мА, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 700, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 30 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 59 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 45.57 грн |
| 118+ | 39.07 грн |
| LM201AVDR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 1,8, Uживл, В = 5...22, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 700, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 30 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 1,8, Uживл, В = 5...22, Sr, В/мкС = 0,5, Uoffset, мкВ = 700, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 30 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM224DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 90 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
кількість в упаковці: 2500 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 90 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM258DMR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, I = 40 мА, Iживл = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Uживл, В = 3...32V, ±1,5...16, Тексп, °C = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
кількість в упаковці: 4000 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, I = 40 мА, Iживл = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Uживл, В = 3...32V, ±1,5...16, Тексп, °C = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM258DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1.5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпу
кількість в упаковці: 2500 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1.5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -25...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпу
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2902DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 90 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
кількість в упаковці: 2500 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,4 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 90 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 6.81 грн |
| LM2904DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корп
кількість в упаковці: 2500 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+105, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корп
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 5.05 грн |
| LM358DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 98 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 98 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM358DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 2500 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM358NG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 50 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 40, Uживл, В = 3...32, ±1,5...16, Is = 1,5 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 45 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.60 грн |
| 100+ | 10.11 грн |
| LM833DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний аудіопідсилювач, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 300, Шир. смуги проп., МГц = 15, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 98 шт
Подвоєний операційний аудіопідсилювач, Кількість підс., шт = 2, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 300, Шир. смуги проп., МГц = 15, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 98 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LMV358DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 160, Uживл, В = 2,7...5,5, Is = 210 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 1 700, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 1 нА,... Інтегральні мікросхеми
кількість в упаковці: 2500 шт
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 160, Uживл, В = 2,7...5,5, Is = 210 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 1 700, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 1 нА,... Інтегральні мікросхеми
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MC3303DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 5...30, ±2,5...15, Is = 2,8 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
кількість в упаковці: 50 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 5...30, ±2,5...15, Is = 2,8 мА, Sr, В/мкС = 0,6, Uoffset, мкВ = 2 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 1, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MC33071DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN
кількість в упаковці: 98 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN
кількість в упаковці: 98 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MC33072DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
кількість в упаковці: 98 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
кількість в упаковці: 98 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 93.69 грн |
| 196+ | 77.44 грн |
| MC33072DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
кількість в упаковці: 2500 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Кор
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.05 грн |
| MC33072P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, I = 30 мА, Iживл = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Uживл, В = 3...44, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 50 шт
Подвоєний операційний підсилювач J-FET, Кількість підс., шт = 2, I = 30 мА, Iживл = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Uживл, В = 3...44, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 90.42 грн |
| 100+ | 77.50 грн |
| MC33074DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Рів. шумів, дБ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мі
кількість в упаковці: 2500 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Рів. шумів, дБ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мі
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 16.85 грн |
| MC33078DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 98 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 98 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MC33078DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18 V, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус
кількість в упаковці: 2500 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18 V, Is = 4,1 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 705 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 6.81 грн |
| MC33079P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 8,4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14 Од.
кількість в упаковці: 25 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 10...36, ±5...18, Is = 8,4 мА, Sr, В/мкС = 7, Uoffset, мкВ = 150, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 16, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14 Од.
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MC33178DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 100, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Is = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 2500 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 100, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Is = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус:
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MC33179DR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 100 мкА, Iживл = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
кількість в упаковці: 2500 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 100 мкА, Iживл = 1,7 мА, Sr, В/мкС = 2, Uoffset, мкВ = 1 500, Uживл, В = 4...36, ±2...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MC33202DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 80, Uживл, В = 1,8...12, ±0,9...6,0, Is = 900 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 8 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 2,2, Iвх (bias) = 80 нА,... Інтеграль
кількість в упаковці: 1 шт
Подвоєний операційний підсилювач "Rail-to-Rail", Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 80, Uживл, В = 1,8...12, ±0,9...6,0, Is = 900 мкА, Sr, В/мкС = 1, Uoffset, мкВ = 8 000, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 2,2, Iвх (bias) = 80 нА,... Інтеграль
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MC33274ADG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
кількість в упаковці: 55 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
кількість в упаковці: 55 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 81.57 грн |
| 110+ | 69.91 грн |
| MC33274ADR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 37 мА, Iживл = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
кількість в упаковці: 2500 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, I = 37 мА, Iживл = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Тексп, °C = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.12 грн |
| MC33274APG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14
кількість в упаковці: 500 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 37, Uживл, В = 3...36, ±1,5...18, Is = 2,15 мА, Sr, В/мкС = 10, Uoffset, мкВ = 100, Тексп, °С = -40...+85, Шир. смуги проп., МГц = 24, Iвх (bias) = 300 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-14
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MC34074DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
кількість в упаковці: 2500 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 4, Io, мА = 30, Uживл, В = 3...44, ±1,5...22, Is = 1,9 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 1 000, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 4,5, Iвх (bias) = 100 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-1
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NE5532AD8G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
кількість в упаковці: 98 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
кількість в упаковці: 98 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 54.05 грн |
| 196+ | 46.32 грн |
| NE5532D8G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
кількість в упаковці: 98 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. в
кількість в упаковці: 98 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NE5532DG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од.
кількість в упаковці: 75 шт
Подвоєний операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 2, Io, мА = 38, Uживл, В = ±3...20, Is = 8 мА, Sr, В/мкС = 9, Uoffset, мкВ = 500, Тексп, °С = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 200 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICW-16 Од.
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NE5534ADR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, I = 38 мА, Iживл = 4 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 500, Uживл, В = ±3...20, Тексп, °C = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 500 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Операційний підсилювач, Кількість підс., шт = 1, I = 38 мА, Iживл = 4 мА, Sr, В/мкС = 13, Uoffset, мкВ = 500, Uживл, В = ±3...20, Тексп, °C = 0...+70, Шир. смуги проп., МГц = 10, Iвх (bias) = 500 нА,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CAT24C128WI-GT3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 128 Кбіт, Орг. пам. = 16K x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CAT24C16WI-GT3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Орг. пам. = 2К x 8, Тдост/Частота = 400 КГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C, Об. пам. = 16 Кбайт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,7...5,5, Орг. пам. = 2К x 8, Тдост/Частота = 400 КГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = I2C, Об. пам. = 16 Кбайт,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CAT24C256WI-G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Очікується: 12000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 1,8...5,5, Інтерфейс = Послідовний, Об. пам. = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32К х 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Очікується: 12000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CAV24C02YE-GT3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = I?C, tвстан = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Послідовна енергонезалежна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 2 Кбіт, Орг. пам. = 256 x 8, Тдост/Частота = 400 кГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = I?C, tвстан = 900 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 33.70 грн |
| CAV24C256WE-GT3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32 х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Очікується: 22 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Послідовна пам'ять EEPROM, Uживл, В = 2,5...5,5, Об'єм RAM = 256 Кбіт, Орг. пам. = 32 х 8, Тдост/Частота = 1 МГц, Тексп, °C = -40...+125, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSSOP-8 Очікується: 22 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCP1851AFCCT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Контролер заряду Li-іон батареї, Uживл, В = 4,5...7,3, Тексп, °C = -40...+85, Інтерфейс = I?C, USB,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFBGA-25 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Контролер заряду Li-іон батареї, Uживл, В = 4,5...7,3, Тексп, °C = -40...+85, Інтерфейс = I?C, USB,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UFBGA-25 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NCP360SNT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Контролер захисту від перенапруги USB, Iживл = 24 мкА, Uживл, В = 1,2...20, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-5 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Контролер захисту від перенапруги USB, Iживл = 24 мкА, Uживл, В = 1,2...20, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOT-23-5 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NSV45025AZT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Регулятор струму, Uживл, В = 45 (макс.), Тексп, °C = -55...+150, Точність, % = 10, Iвих., мА = 25,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-261AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Регулятор струму, Uживл, В = 45 (макс.), Тексп, °C = -55...+150, Точність, % = 10, Iвих., мА = 25,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-261AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CS5171EDR8G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 280 кГц, I = 1,5 А, Uвих, В = 1,28...40, Uвх, В = 2,7...30, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 280 кГц, I = 1,5 А, Uвих, В = 1,28...40, Uвх, В = 2,7...30, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2574N-5G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2575D2T-005 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2575D2T-12R4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний понижаючий стабілізатор, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 12, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
Імпульсний понижаючий стабілізатор, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 12, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 898 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 68.04 грн |
| 1600+ | 63.50 грн |
| LM2575D2T-5G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4,75...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 207.65 грн |
| 100+ | 169.13 грн |
| 1000+ | 157.85 грн |
| LM2575D2T-ADJG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний понижаючий СН, Uвх, В = макс. 45, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-263-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Імпульсний понижаючий СН, Uвх, В = макс. 45, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 1 А, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-263-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 224.36 грн |
| 100+ | 182.74 грн |
| 1000+ | 170.55 грн |
| LM2575T-5G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C), Pb-free.... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Очікується: 200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Импульсный пониж. стабилизатор (Imax=1.0A, Uout=5.0V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=40V, -40 to +125C), Pb-free.... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Очікується: 200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 143.43 грн |
| 100+ | 116.81 грн |
| 1000+ | 109.02 грн |
| LM2575TV-012G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" , Vin,В 4.75 ~ 40 V, Vout,В 12V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 52kHz,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" , Vin,В 4.75 ~ 40 V, Vout,В 12V, Iout,мА 1A, Fпр,кГц 52kHz,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2575TV-5 |
Виробник: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" выводы выгн. 2 ряд(Imax=1.0A, Uout=5V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" выводы выгн. 2 ряд(Imax=1.0A, Uout=5V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2576D2T-005G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 52 кГц, I = 3 А, Uвх, В = 7...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Імпульсний регульований підвищуючий/понижуючий СН, Fпр. = 52 кГц, I = 3 А, Uвх, В = 7...40, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2576D2T-5 |
Виробник: ON Semiconductor
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" (Imax=3.0A, Uout=1.27-37V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Импульсный пониж. стабилизатор "Simple switcher" (Imax=3.0A, Uout=1.27-37V, tol=4%, F=52kHz, shutdown, EFF=77%, Uinmax=45V, -40 to +125C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2576D2T-ADJG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2576D2T-ADJR4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2576T-5 |
Виробник: ON Semiconductor
... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
... Інтегральні мікросхеми Од. вим: шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2576T-5.0 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 4...40, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2576T-5.0G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 45, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Імпульсний понижуючий СН, Uвх, В = 45, Uвих, В = 5, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2576T-ADJG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Імпульсний регульований понижуючий СН, Uвх, В = 7...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 52, Iвих = 3 А, К-сть вих. = 1, Тип ШІМ = Напруга, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TO-220-5 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LM2594DADJR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 4,5...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 150, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Імпульсний регульований понижуючий/підвищуючий СН, Uвх, В = 4,5...40, Uвих, В = 1,23...37, Fпер, кГц = 150, Iвих = 500 мА, К-сть вих. = 1, Тексп, °C = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.



