Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146218) > Сторінка 1095 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1090 1091 1092 1093 1094 1095 1096 1097 1098 1099 1100 1215 1458 1701 1944 2187 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSH210TF KSH210TF onsemi KSH210.pdf Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5431MT1TXG NIS5431MT1TXG onsemi Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAST9431MTR2G NLAST9431MTR2G onsemi nlast9431-d.pdf Description: IC SWITCH DPDT X 1 25OHM 16WQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-WQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 29650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS9431MTR2G NLAS9431MTR2G onsemi nlas9431-d.pdf Description: IC SWITCH DPDT X 2 25OHM 16WQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 175MHz
Supplier Device Package: 16-WQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 23320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC823435TA-2H onsemi Description: PORTABLE SOUND SOLUTIONS
Packaging: Bulk
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+489.27 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N60C FQP6N60C onsemi fqpf6n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SD 6N137SD onsemi HCPL2631-D.PDF Description: OPTOISOLTR 2.5KV OPEN COLL 8-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SD 6N137SD onsemi HCPL2631-D.PDF Description: OPTOISOLTR 2.5KV OPEN COLL 8-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N60TU FQI7N60TU onsemi fqi7n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.63 грн
10+140.09 грн
100+101.72 грн
500+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60YDTU FCPF7N60YDTU onsemi FCPF7N60-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT1 BC856BLT1 onsemi bc856alt1-d.pdf Description: TRANS PNP 65V 100MA SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 534133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS130NT3G NRVBS130NT3G onsemi MBRS130T3-D.PDF Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.38 грн
50+14.73 грн
100+12.11 грн
500+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG LC709205FXE-01TBG onsemi lc709205f-d.pdf Description: IC FUEL GAUGE LI-ION 1C 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Monitor
Interface: I2C
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.48x1.91)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG LC709205FXE-01TBG onsemi lc709205f-d.pdf Description: IC FUEL GAUGE LI-ION 1C 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Monitor
Interface: I2C
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.48x1.91)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.23 грн
10+159.79 грн
25+136.22 грн
100+102.79 грн
250+90.48 грн
500+82.91 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA22N60N FCA22N60N onsemi FCA22N60N-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT244MTC MM74HCT244MTC onsemi mm74hct244-d.pdf Description: IC BUFF 4.5V/5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.2mA, 7.2mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+35.70 грн
75+28.81 грн
150+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSC 74LVXC3245QSC onsemi DS_488_74LVXC3245.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSC 74LVXC3245QSC onsemi DS_488_74LVXC3245.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSCX 74LVXC3245QSCX onsemi 74lvxc3245-d.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSCX 74LVXC3245QSCX onsemi 74lvxc3245-d.pdf Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK264-5-TG-E 3SK264-5-TG-E onsemi EN4901-D.PDF Description: RF MOSFET 6V CP4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 23dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.2dB
Supplier Device Package: 4-CP
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD261CGTA KSD261CGTA onsemi KSD261.pdf Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1 onsemi ntbg020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1649.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1 onsemi ntbg020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2670.46 грн
10+1944.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 onsemi nvbg020n120sc1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 onsemi nvbg020n120sc1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3795.23 грн
10+2965.70 грн
50+2797.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1 NTHL060N065SC1 onsemi nthl060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.87 грн
30+472.47 грн
60+434.67 грн
120+378.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 NTBG060N065SC1 onsemi ntbg060n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.01 грн
10+549.94 грн
50+446.06 грн
100+408.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1 NTH4L060N065SC1 onsemi nth4l060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.63 грн
30+497.96 грн
60+458.56 грн
120+399.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1 NVH4L060N065SC1 onsemi nvh4l060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1217.26 грн
30+722.23 грн
60+668.70 грн
120+585.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1 NVBG060N065SC1 onsemi nvbg060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+684.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1 NVBG060N065SC1 onsemi nvbg060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1326.21 грн
10+910.19 грн
50+806.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N065SC1 NVHL060N065SC1 onsemi nvhl060n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1117.72 грн
10+759.54 грн
50+624.30 грн
450+496.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C64VP2I-GT3 CAT24C64VP2I-GT3 onsemi CAT24C64.pdf Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 400 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C64VP2I-GT3 CAT24C64VP2I-GT3 onsemi CAT24C64.pdf Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 400 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LP2950ACDT-3.3 LP2950ACDT-3.3 onsemi lp2950-d.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 100MA DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: DPAK
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 30V
Current - Quiescent (Iq): 120 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Current - Supply (Max): 12 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.45V @ 100mA
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+61.06 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS59201GDR8 CS59201GDR8 onsemi CS59201GDR8.pdf Description: IC AMP SPECIAL 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Applications: Winchester Servo Preamplifier
Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC04MTC MM74HC04MTC onsemi mm74hc04-d.pdf Description: IC INV 6-CIR 1-IN 14-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 16ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBB017LN1TAG NBXDBB017LN1TAG onsemi NBXxxx017.pdf Description: IC OSC XTAL 312.5MHZ 6-CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 156.25MHz, 312.5MHz
Type: Oscillator, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Current - Supply: 78 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCFFS40120AF onsemi pcffs40120af-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2250pf @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+695.89 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT1505T3G SMBT1505T3G onsemi Description: DIODE STD REC SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT1505T3G SMBT1505T3G onsemi Description: DIODE STD REC SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2001T1G SMBT2001T1G onsemi Description: DIODE STD REC SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.40 грн
6000+3.13 грн
9000+3.11 грн
15000+2.73 грн
21000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2001T1G SMBT2001T1G onsemi Description: DIODE STD REC SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
31+10.04 грн
100+6.23 грн
500+5.09 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30H100CTH MBR30H100CTH onsemi Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-TRBR ASX340AT2C00XPED0-TRBR onsemi ASX340AT.PDF Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-LFBGA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V, 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+523.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-DRBR ASX340AT3C00XPED0-DRBR onsemi ASX340AT.PDF Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.17 грн
5+711.61 грн
10+684.44 грн
25+611.97 грн
50+591.19 грн
100+572.12 грн
500+524.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-TPBR ASX340AT3C00XPED0-TPBR onsemi ASX340AT.PDF Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-TPBR ASX340AT3C00XPED0-TPBR onsemi ASX340AT.PDF Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+861.41 грн
5+752.97 грн
10+724.59 грн
25+648.07 грн
50+626.23 грн
100+606.18 грн
500+556.56 грн
1000+541.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-TPBR ASX340AT2C00XPED0-TPBR onsemi ASX340AT.PDF Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 2.66V ~ 2.94V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-TPBR ASX340AT2C00XPED0-TPBR onsemi ASX340AT.PDF Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 2.66V ~ 2.94V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASX344ATSC00XUEA0-DRBR ASX344ATSC00XUEA0-DRBR onsemi asx344at?pdf=Y Description: IMAGE SENSOR
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1155.34 грн
5+1012.62 грн
10+975.56 грн
25+873.86 грн
50+845.37 грн
100+819.26 грн
500+754.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX344ATSC00XUEA0-DPBR ASX344ATSC00XUEA0-DPBR onsemi asx344at?pdf=Y Description: IMAGE SENSOR
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.94 грн
5+981.37 грн
10+937.82 грн
25+832.52 грн
40+810.67 грн
80+781.26 грн
440+709.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-DPBR2 ASX340AT3C00XPED0-DPBR2 onsemi ASX340AT.PDF Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1015.04 грн
5+888.83 грн
10+855.93 грн
25+766.31 грн
50+741.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX344ATSC00XUEA0-DPBR2 ASX344ATSC00XUEA0-DPBR2 onsemi Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Tray
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.51 грн
5+1186.52 грн
10+1144.10 грн
25+1026.18 грн
50+993.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-DPBR ASX340AT2C00XPED0-DPBR onsemi ASX340AT.PDF Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASX344ATSC00XUEA0-TRBR ASX344ATSC00XUEA0-TRBR onsemi asx344at?pdf=Y Description: IMAGE SENSOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM FQD17N08LTM onsemi fqd17n08l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM FQD17N08LTM onsemi fqd17n08l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSH210TF KSH210.pdf
KSH210TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 25V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NIS5431MT1TXG
NIS5431MT1TXG
Виробник: onsemi
Description: IC ELECTRONIC FUSE 10WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-WFDFN Exposed Pad
Sensing Method: High-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Electronic Fuse
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: 10-WDFN (3x3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAST9431MTR2G nlast9431-d.pdf
NLAST9431MTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DPDT X 1 25OHM 16WQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 16-WQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
на замовлення 29650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS9431MTR2G nlas9431-d.pdf
NLAS9431MTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DPDT X 2 25OHM 16WQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 175MHz
Supplier Device Package: 16-WQFN (1.8x2.6)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Crosstalk: -98dB @ 100kHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10µA
Number of Circuits: 2
на замовлення 23320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
376+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC823435TA-2H
Виробник: onsemi
Description: PORTABLE SOUND SOLUTIONS
Packaging: Bulk
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+489.27 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP6N60C fqpf6n60c-d.pdf
FQP6N60C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SD HCPL2631-D.PDF
6N137SD
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 2.5KV OPEN COLL 8-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6N137SD HCPL2631-D.PDF
6N137SD
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 2.5KV OPEN COLL 8-SMD
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Output Type: Open Collector
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.4V
Data Rate: 10Mbps
Input Type: DC
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Inputs - Side 1/Side 2: 1/0
Supplier Device Package: 8-SMD
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 12ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 10kV/µs (Typ)
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 75ns, 75ns
Number of Channels: 1
Current - Output / Channel: 50 mA
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
216+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQI7N60TU fqi7n60-d.pdf
FQI7N60TU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.63 грн
10+140.09 грн
100+101.72 грн
500+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60YDTU FCPF7N60-D.pdf
FCPF7N60YDTU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BLT1 bc856alt1-d.pdf
BC856BLT1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 100MA SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 534133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4537+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVBS130NT3G MBRS130T3-D.PDF
NRVBS130NT3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.49 грн
15+20.38 грн
50+14.73 грн
100+12.11 грн
500+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG lc709205f-d.pdf
LC709205FXE-01TBG
Виробник: onsemi
Description: IC FUEL GAUGE LI-ION 1C 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Monitor
Interface: I2C
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.48x1.91)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LC709205FXE-01TBG lc709205f-d.pdf
LC709205FXE-01TBG
Виробник: onsemi
Description: IC FUEL GAUGE LI-ION 1C 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, WLCSP
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Function: Battery Monitor
Interface: I2C
Battery Chemistry: Lithium Ion/Polymer
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.48x1.91)
Fault Protection: Over Current, Over Voltage
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.23 грн
10+159.79 грн
25+136.22 грн
100+102.79 грн
250+90.48 грн
500+82.91 грн
1000+75.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCA22N60N FCA22N60N-D.pdf
FCA22N60N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HCT244MTC mm74hct244-d.pdf
MM74HCT244MTC
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF 4.5V/5.5V 20-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 7.2mA, 7.2mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.73 грн
10+35.70 грн
75+28.81 грн
150+25.54 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSC DS_488_74LVXC3245.pdf
74LVXC3245QSC
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
281+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSC DS_488_74LVXC3245.pdf
74LVXC3245QSC
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSCX 74lvxc3245-d.pdf
74LVXC3245QSCX
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVXC3245QSCX 74lvxc3245-d.pdf
74LVXC3245QSCX
Виробник: onsemi
Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 24QSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SSOP (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-QSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 2.7 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 3 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3SK264-5-TG-E EN4901-D.PDF
3SK264-5-TG-E
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET 6V CP4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 23dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.2dB
Supplier Device Package: 4-CP
Voltage - Rated: 15 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD261CGTA KSD261.pdf
KSD261CGTA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 ntbg020n120sc1-d.pdf
NTBG020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1649.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 ntbg020n120sc1-d.pdf
NTBG020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2670.46 грн
10+1944.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 nvbg020n120sc1-d.pdf
NVBG020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG020N120SC1 nvbg020n120sc1-d.pdf
NVBG020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Vgs (Max): +25V, -15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3795.23 грн
10+2965.70 грн
50+2797.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1 nthl060n065sc1-d.pdf
NTHL060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+819.87 грн
30+472.47 грн
60+434.67 грн
120+378.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG060N065SC1 ntbg060n065sc1-d.pdf
NTBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+823.01 грн
10+549.94 грн
50+446.06 грн
100+408.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L060N065SC1 nth4l060n065sc1-d.pdf
NTH4L060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+860.63 грн
30+497.96 грн
60+458.56 грн
120+399.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L060N065SC1 nvh4l060n065sc1-d.pdf
NVH4L060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1217.26 грн
30+722.23 грн
60+668.70 грн
120+585.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1 nvbg060n065sc1-d.pdf
NVBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+684.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG060N065SC1 nvbg060n065sc1-d.pdf
NVBG060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1326.21 грн
10+910.19 грн
50+806.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL060N065SC1 nvhl060n065sc1-d.pdf
NVHL060N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1117.72 грн
10+759.54 грн
50+624.30 грн
450+496.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C64VP2I-GT3 CAT24C64.pdf
CAT24C64VP2I-GT3
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 400 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT24C64VP2I-GT3 CAT24C64.pdf
CAT24C64VP2I-GT3
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Access Time: 400 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 24773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
673+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LP2950ACDT-3.3 lp2950-d.pdf
LP2950ACDT-3.3
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3.3V 100MA DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Supplier Device Package: DPAK
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 30V
Current - Quiescent (Iq): 120 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output: 100mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Current - Supply (Max): 12 mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Voltage Dropout (Max): 0.45V @ 100mA
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+61.06 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS59201GDR8 CS59201GDR8.pdf
CS59201GDR8
Виробник: onsemi
Description: IC AMP SPECIAL 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Applications: Winchester Servo Preamplifier
Type: Differential
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC04MTC mm74hc04-d.pdf
MM74HC04MTC
Виробник: onsemi
Description: IC INV 6-CIR 1-IN 14-TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 16ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NBXDBB017LN1TAG NBXxxx017.pdf
NBXDBB017LN1TAG
Виробник: onsemi
Description: IC OSC XTAL 312.5MHZ 6-CLCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 156.25MHz, 312.5MHz
Type: Oscillator, Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.97V ~ 3.63V
Supplier Device Package: 6-CLCC (7x5)
Current - Supply: 78 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PCFFS40120AF pcffs40120af-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV WAFER DIE
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2250pf @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 61A
Supplier Device Package: Die
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
629+695.89 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT1505T3G
SMBT1505T3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STD REC SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT1505T3G
SMBT1505T3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STD REC SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2001T1G
SMBT2001T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STD REC SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.40 грн
6000+3.13 грн
9000+3.11 грн
15000+2.73 грн
21000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2001T1G
SMBT2001T1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STD REC SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.68 грн
31+10.04 грн
100+6.23 грн
500+5.09 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30H100CTH
MBR30H100CTH
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-TRBR ASX340AT.PDF
ASX340AT2C00XPED0-TRBR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-LFBGA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V, 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+523.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-DRBR ASX340AT.PDF
ASX340AT3C00XPED0-DRBR
Виробник: onsemi
Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+815.17 грн
5+711.61 грн
10+684.44 грн
25+611.97 грн
50+591.19 грн
100+572.12 грн
500+524.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-TPBR ASX340AT.PDF
ASX340AT3C00XPED0-TPBR
Виробник: onsemi
Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-TPBR ASX340AT.PDF
ASX340AT3C00XPED0-TPBR
Виробник: onsemi
Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+861.41 грн
5+752.97 грн
10+724.59 грн
25+648.07 грн
50+626.23 грн
100+606.18 грн
500+556.56 грн
1000+541.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-TPBR ASX340AT.PDF
ASX340AT2C00XPED0-TPBR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 2.66V ~ 2.94V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-TPBR ASX340AT.PDF
ASX340AT2C00XPED0-TPBR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 2.66V ~ 2.94V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASX344ATSC00XUEA0-DRBR asx344at?pdf=Y
ASX344ATSC00XUEA0-DRBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1155.34 грн
5+1012.62 грн
10+975.56 грн
25+873.86 грн
50+845.37 грн
100+819.26 грн
500+754.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX344ATSC00XUEA0-DPBR asx344at?pdf=Y
ASX344ATSC00XUEA0-DPBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1145.94 грн
5+981.37 грн
10+937.82 грн
25+832.52 грн
40+810.67 грн
80+781.26 грн
440+709.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT3C00XPED0-DPBR2 ASX340AT.PDF
ASX340AT3C00XPED0-DPBR2
Виробник: onsemi
Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 2.8V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1015.04 грн
5+888.83 грн
10+855.93 грн
25+766.31 грн
50+741.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX344ATSC00XUEA0-DPBR2
ASX344ATSC00XUEA0-DPBR2
Виробник: onsemi
Description: VGA 1/4 CIS SOC
Packaging: Tray
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1350.51 грн
5+1186.52 грн
10+1144.10 грн
25+1026.18 грн
50+993.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ASX340AT2C00XPED0-DPBR ASX340AT.PDF
ASX340AT2C00XPED0-DPBR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR IMAGE MONO CMOS 48-ILCC
Packaging: Tray
Package / Case: 63-LFBGA
Type: CMOS with Processor
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Active Pixel Array: 728H x 560V
Supplier Device Package: 63-IBGA (7.5x7.5)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ASX344ATSC00XUEA0-TRBR asx344at?pdf=Y
ASX344ATSC00XUEA0-TRBR
Виробник: onsemi
Description: IMAGE SENSOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-LBGA
Type: CMOS
Pixel Size: 5.6µm x 5.6µm
Supplier Device Package: 63-IBGA (9x9)
Frames per Second: 60.0
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM fqd17n08l-d.pdf
FQD17N08LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17N08LTM fqd17n08l-d.pdf
FQD17N08LTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.45A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1090 1091 1092 1093 1094 1095 1096 1097 1098 1099 1100 1215 1458 1701 1944 2187 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]