Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144332) > Сторінка 1282 з 2406

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1440 1680 1920 2160 2400 2406  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVBG030N120M3S-IE NVBG030N120M3S-IE onsemi nvbg030n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1707.02 грн
10+1321.39 грн
25+1240.94 грн
100+1081.52 грн
250+1041.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3022M MOC3022M onsemi moc3023m-d.pdf Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 54165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.56 грн
50+30.49 грн
100+27.96 грн
500+21.97 грн
1000+20.58 грн
2000+19.39 грн
5000+17.80 грн
10000+17.00 грн
25000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3 HUF75333S3 onsemi HUF75333%28G3%2CP3%2CS3S%2CS3%29.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G RS1G onsemi rs1m-d.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+5.34 грн
15000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G RS1G onsemi rs1m-d.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.00 грн
26+11.80 грн
100+11.72 грн
500+8.23 грн
1000+6.81 грн
2000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA42 PZTA42 onsemi PZTA42T1G.pdf Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC259DTG MC74VHC259DTG onsemi mc74vhc259-d.pdf Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-TSSOP
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Delay Time - Propagation: 4.9ns
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Standard
на замовлення 68216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
685+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC259DG MC74VHC259DG onsemi mc74vhc259-d.pdf Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-SOIC
Supplier Device Package: 16-SOIC
Delay Time - Propagation: 4.9ns
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Standard
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 19488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT259DR2 MC74ACT259DR2 onsemi mc74ac259-d.pdf Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-SOIC
Output Type: Standard
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 16-SOIC
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14050BDTR2G MC14050BDTR2G onsemi mc14049b-d.pdf Description: IC BUFF NON-INVERT 18V 16-TSSOP
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Current - Output High, Low: 10mA, 40mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 6
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 55916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
771+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSR1N60BTM SSR1N60BTM onsemi SSR1N60B%2CSSU1N60B.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSR1N60BTM-WS SSR1N60BTM-WS onsemi SSR1N60B%2CSSU1N60B.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S onsemi UJ4C075033L8S-D.PDF Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S onsemi UJ4C075033L8S-D.PDF Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+980.38 грн
10+664.18 грн
100+598.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0165RLX FSQ0165RLX onsemi fsq0365-d.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP
Power (Watts): 15 W
Control Features: Sync
Voltage - Start Up: 12 V
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: 8-LSOP
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 20V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Voltage - Breakdown: 650V
Internal Switch(s): Yes
Frequency - Switching: 55kHz ~ 67kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAG NTTFS6H880NLTAG onsemi nttfs6h880nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.63 грн
10+38.43 грн
100+25.00 грн
500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAG NVTFS6H880NLWFTAG onsemi nvtfs6h880nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.05 грн
10+50.83 грн
100+33.48 грн
500+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLTAG NVTFS6H880NLTAG onsemi NVTFS6H880NL-D.PDF Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.06 грн
10+36.92 грн
100+23.96 грн
500+17.26 грн
1000+15.58 грн
2000+14.16 грн
5000+12.42 грн
10000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAG NVTFS6H880NWFTAG onsemi nvtfs6h880n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAG NVTFS6H880NWFTAG onsemi nvtfs6h880n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAG NTTFS6H880NTAG onsemi nttfs6h880n-d.pdf Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAG NTTFS6H880NTAG onsemi nttfs6h880n-d.pdf Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC14SJX MM74HC14SJX onsemi mm74hc14-d.pdf Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C FQP12N60C onsemi fqp12n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DS HGT1S12N60A4DS onsemi hgt1s12n60a4ds-d.pdf Description: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCD850N80Z onsemi fcu850n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCD850N80Z onsemi fcu850n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.39 грн
10+137.00 грн
100+95.06 грн
500+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Z FCP650N80Z onsemi fcp650n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+121.45 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCU850N80Z FCU850N80Z onsemi fcu850n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCU2250N80Z FCU2250N80Z onsemi fcu2250n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU onsemi fgh40n60sf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGH40N60UFTU SGH40N60UFTU onsemi sgh40n60uf-d.pdf Description: IGBT 600V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT245PC 74ACT245PC onsemi 74act245-d.pdf description Description: IC TXRX 4.5V/5.5V 20-PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT245MSA 74ACT245MSA onsemi 74act245-d.pdf Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20-SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124XM3T5G DTA124XM3T5G onsemi dta124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.34 грн
16000+2.92 грн
24000+2.77 грн
40000+2.44 грн
56000+2.34 грн
80000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124XM3T5G DTA124XM3T5G onsemi dta124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 95999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.85 грн
28+11.04 грн
100+6.90 грн
500+4.76 грн
1000+4.21 грн
2000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5938B 1N5938B onsemi 1n5913b-d.pdf Description: DIODE ZENER 36V 3W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 38 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF onsemi fgp10n60undf-d.pdf Description: IGBT NPT 600V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns
Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 139 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403A MMBD1403A onsemi mmbd1405a-d.pdf Description: DIODE ARR GP 175V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 175 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FCP11N60N onsemi FCPF11N60NT-D.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC640BU BC640BU onsemi BC640.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC640 BC640 onsemi bc640-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DTBR2G MC33204DTBR2G onsemi mc33201-d.pdf Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 900µA (x4 Channels)
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 2.2 MHz
Current - Input Bias: 80 nA
Voltage - Input Offset: 10 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 80 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.29 грн
5000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DTBR2G MC33204DTBR2G onsemi mc33201-d.pdf Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 900µA (x4 Channels)
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 2.2 MHz
Current - Input Bias: 80 nA
Voltage - Input Offset: 10 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 80 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
на замовлення 31006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.20 грн
10+37.07 грн
25+33.31 грн
100+27.43 грн
250+25.59 грн
500+24.48 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTU FQPF7N65CYDTU onsemi fqpf7n65c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTU onsemi FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDW93C BDW93C onsemi BDW93C-D.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 12A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC574ADTR2G MC74HC574ADTR2G onsemi mc74hc574a-d.pdf Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 10 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 84059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
526+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC574WMX MM74HC574WMX onsemi MM74HC574-D.PDF Description: IC FF D-TYPE SINGLE 8BIT 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 20-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 150pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG NSVBCP5310MTWG onsemi bcp53m-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG NSVBCP5310MTWG onsemi bcp53m-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30L45CTH MBR30L45CTH onsemi TWSCS05157-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 30A 45V TO220 SCH HFREE
Packaging: Bulk
на замовлення 400721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GBU4M onsemi GBU4M-D.PDF Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.97 грн
20+83.97 грн
100+64.61 грн
500+48.44 грн
1000+44.51 грн
2000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ418-TL-E onsemi Description: MOSFET P-CH 30V
Packaging: Bulk
на замовлення 23028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+352.13 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ413-TH-ON onsemi Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+352.13 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3335AMN280R2G NCP3335AMN280R2G onsemi ncp3335a-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 500MA 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.34V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 14 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.73 грн
6000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3335AMN280R2G NCP3335AMN280R2G onsemi ncp3335a-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 500MA 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.34V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 14 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.98 грн
10+61.58 грн
25+55.80 грн
100+46.36 грн
250+43.51 грн
500+41.78 грн
1000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5661MN28T2G NCP5661MN28T2G onsemi ncp5661-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 1A 6-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 mA
Voltage - Input (Max): 9V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3.3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 65dB (120Hz ~ 1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.3V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5661MN28T2G NCP5661MN28T2G onsemi ncp5661-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 1A 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 mA
Voltage - Input (Max): 9V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3.3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 65dB (120Hz ~ 1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.3V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.11 грн
10+94.63 грн
25+79.85 грн
100+59.27 грн
250+51.58 грн
500+46.84 грн
1000+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8535MN280R2G NCV8535MN280R2G onsemi ncv8535-d.pdf Description: IC REG LINEAR 2.8V 500MA 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 0.34V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 14 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.33 грн
6000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG030N120M3S-IE nvbg030n120m3s-d.pdf
NVBG030N120M3S-IE
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM M3S 1200
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1707.02 грн
10+1321.39 грн
25+1240.94 грн
100+1081.52 грн
250+1041.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3022M moc3023m-d.pdf
MOC3022M
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLTR 4.17KV TRIAC 1CH 6DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: Triac
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-DIP
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 10mA
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 400 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 54165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.56 грн
50+30.49 грн
100+27.96 грн
500+21.97 грн
1000+20.58 грн
2000+19.39 грн
5000+17.80 грн
10000+17.00 грн
25000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75333S3 HUF75333%28G3%2CP3%2CS3S%2CS3%29.pdf
HUF75333S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 66A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G rs1m-d.pdf
RS1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7500+5.34 грн
15000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RS1G rs1m-d.pdf
RS1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AC, SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+22.00 грн
26+11.80 грн
100+11.72 грн
500+8.23 грн
1000+6.81 грн
2000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZTA42 PZTA42T1G.pdf
PZTA42
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC259DTG mc74vhc259-d.pdf
MC74VHC259DTG
Виробник: onsemi
Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-TSSOP
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Delay Time - Propagation: 4.9ns
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Standard
на замовлення 68216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
685+29.85 грн
Мінімальне замовлення: 685 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC259DG mc74vhc259-d.pdf
MC74VHC259DG
Виробник: onsemi
Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-SOIC
Supplier Device Package: 16-SOIC
Delay Time - Propagation: 4.9ns
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Standard
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 19488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
660+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT259DR2 mc74ac259-d.pdf
MC74ACT259DR2
Виробник: onsemi
Description: IC D-TYPE ADDR 1:8 16-SOIC
Output Type: Standard
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 16-SOIC
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Independent Circuits: 1
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: D-Type, Addressable
Circuit: 1:8
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
505+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC14050BDTR2G mc14049b-d.pdf
MC14050BDTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF NON-INVERT 18V 16-TSSOP
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Current - Output High, Low: 10mA, 40mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 6
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Push-Pull
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 55916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
771+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 771 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSR1N60BTM SSR1N60B%2CSSU1N60B.pdf
SSR1N60BTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSR1N60BTM-WS SSR1N60B%2CSSU1N60B.pdf
SSR1N60BTM-WS
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 900MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S-D.PDF
UJ4C075033L8S
Виробник: onsemi
Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075033L8S UJ4C075033L8S-D.PDF
UJ4C075033L8S
Виробник: onsemi
Description: 750V/33MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 230A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+980.38 грн
10+664.18 грн
100+598.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ0165RLX fsq0365-d.pdf
FSQ0165RLX
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8LSOP
Power (Watts): 15 W
Control Features: Sync
Voltage - Start Up: 12 V
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: 8-LSOP
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 20V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Voltage - Breakdown: 650V
Internal Switch(s): Yes
Frequency - Switching: 55kHz ~ 67kHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Gull Wing
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NLTAG nttfs6h880nl-d.pdf
NTTFS6H880NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 7327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+63.63 грн
10+38.43 грн
100+25.00 грн
500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLWFTAG nvtfs6h880nl-d.pdf
NVTFS6H880NLWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.05 грн
10+50.83 грн
100+33.48 грн
500+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NLTAG NVTFS6H880NL-D.PDF
NVTFS6H880NLTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+62.06 грн
10+36.92 грн
100+23.96 грн
500+17.26 грн
1000+15.58 грн
2000+14.16 грн
5000+12.42 грн
10000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAG nvtfs6h880n-d.pdf
NVTFS6H880NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H880NWFTAG nvtfs6h880n-d.pdf
NVTFS6H880NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 6.3A/21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAG nttfs6h880n-d.pdf
NTTFS6H880NTAG
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H880NTAG nttfs6h880n-d.pdf
NTTFS6H880NTAG
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC14SJX mm74hc14-d.pdf
MM74HC14SJX
Виробник: onsemi
Description: IC INVERT SCHMITT 6CH 1INP 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-SOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.2V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 21ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP12N60C fqp12n60c-d.pdf
FQP12N60C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S12N60A4DS hgt1s12n60a4ds-d.pdf
HGT1S12N60A4DS
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 54A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z fcu850n80z-d.pdf
FCD850N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+68.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z fcu850n80z-d.pdf
FCD850N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+218.39 грн
10+137.00 грн
100+95.06 грн
500+75.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Z fcp650n80z-d.pdf
FCP650N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
168+121.45 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCU850N80Z fcu850n80z-d.pdf
FCU850N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCU2250N80Z fcu2250n80z-d.pdf
FCU2250N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGH40N60UFTU sgh40n60uf-d.pdf
SGH40N60UFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/65ns
Switching Energy: 160µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 160 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT245PC description 74act245-d.pdf
74ACT245PC
Виробник: onsemi
Description: IC TXRX 4.5V/5.5V 20-PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-PDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT245MSA 74act245-d.pdf
74ACT245MSA
Виробник: onsemi
Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20-SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Supplier Device Package: 20-SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124XM3T5G dta124x-d.pdf
DTA124XM3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+3.34 грн
16000+2.92 грн
24000+2.77 грн
40000+2.44 грн
56000+2.34 грн
80000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124XM3T5G dta124x-d.pdf
DTA124XM3T5G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 95999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+18.85 грн
28+11.04 грн
100+6.90 грн
500+4.76 грн
1000+4.21 грн
2000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5938B 1n5913b-d.pdf
1N5938B
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 36V 3W AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 38 Ohms
Supplier Device Package: Axial
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 27.4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF fgp10n60undf-d.pdf
FGP10N60UNDF
Виробник: onsemi
Description: IGBT NPT 600V 20A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns
Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 139 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403A mmbd1405a-d.pdf
MMBD1403A
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR GP 175V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 175 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60N FCPF11N60NT-D.pdf
FCP11N60N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC640BU BC640.pdf
BC640BU
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC640 bc640-d.pdf
BC640
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DTBR2G mc33201-d.pdf
MC33204DTBR2G
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 900µA (x4 Channels)
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 2.2 MHz
Current - Input Bias: 80 nA
Voltage - Input Offset: 10 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 80 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+24.29 грн
5000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC33204DTBR2G mc33201-d.pdf
MC33204DTBR2G
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Current - Supply: 900µA (x4 Channels)
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 2.2 MHz
Current - Input Bias: 80 nA
Voltage - Input Offset: 10 mV
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 80 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.8 V
Voltage - Supply Span (Max): 12 V
на замовлення 31006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.20 грн
10+37.07 грн
25+33.31 грн
100+27.43 грн
250+25.59 грн
500+24.48 грн
1000+23.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF7N65CYDTU fqpf7n65c-d.pdf
FQPF7N65CYDTU
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FGA30N60LSDTU FAIRS46107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/250ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 480 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDW93C BDW93C-D.pdf
BDW93C
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 100V 12A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HC574ADTR2G mc74hc574a-d.pdf
MC74HC574ADTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SGL 8-BIT 20-TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 10 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 50pF
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 84059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
526+38.54 грн
Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MM74HC574WMX MM74HC574-D.PDF
MM74HC574WMX
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SINGLE 8BIT 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: Tri-State, Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Quiescent (Iq): 8 µA
Current - Output High, Low: 7.8mA, 7.8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 35 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 20-SOIC
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 27ns @ 6V, 150pF
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG bcp53m-d.pdf
NSVBCP5310MTWG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBCP5310MTWG bcp53m-d.pdf
NSVBCP5310MTWG
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 875 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30L45CTH TWSCS05157-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MBR30L45CTH
Виробник: onsemi
Description: 30A 45V TO220 SCH HFREE
Packaging: Bulk
на замовлення 400721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
284+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GBU4M-D.PDF
GBU4M
Виробник: onsemi
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 3219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.97 грн
20+83.97 грн
100+64.61 грн
500+48.44 грн
1000+44.51 грн
2000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ418-TL-E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V
Packaging: Bulk
на замовлення 23028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
58+352.13 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SJ413-TH-ON
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH
Packaging: Bulk
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
58+352.13 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3335AMN280R2G ncp3335a-d.pdf
NCP3335AMN280R2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.8V 500MA 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.34V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 14 mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+42.73 грн
6000+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP3335AMN280R2G ncp3335a-d.pdf
NCP3335AMN280R2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.8V 500MA 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Voltage - Input (Max): 16V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Voltage Dropout (Max): 0.34V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 14 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.98 грн
10+61.58 грн
25+55.80 грн
100+46.36 грн
250+43.51 грн
500+41.78 грн
1000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5661MN28T2G ncp5661-d.pdf
NCP5661MN28T2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.8V 1A 6-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 mA
Voltage - Input (Max): 9V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3.3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 65dB (120Hz ~ 1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.3V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+45.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5661MN28T2G ncp5661-d.pdf
NCP5661MN28T2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.8V 1A 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 3 mA
Voltage - Input (Max): 9V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3.3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 65dB (120Hz ~ 1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.3V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+157.11 грн
10+94.63 грн
25+79.85 грн
100+59.27 грн
250+51.58 грн
500+46.84 грн
1000+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8535MN280R2G ncv8535-d.pdf
NCV8535MN280R2G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 2.8V 500MA 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 190 µA
Voltage - Input (Max): 12V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 10-DFN (3x3)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.8V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 0.34V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 14 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+52.33 грн
6000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1277 1278 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1440 1680 1920 2160 2400 2406  [ Наступна Сторінка >> ]